基片处理的控制设备制造技术

本实用新型专利技术的基片处理的控制设备，包括处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构。所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置。所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并进行加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热。所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。本实用新型专利技术的基片处理的控制设备能在一个加热周期内同时对多组基片组进行加热，则每片基片的加热周期大大缩短，从而大大提高工作效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术的基片处理的控制设备，包括处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构。所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置。所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并进行加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热。所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。本技术的基片处理的控制设备能在一个加热周期内同时对多组基片组进行加热，则每片基片的加热周期大大缩短，从而大大提高工作效率。【专利说明】基片处理的控制设备
本技术涉及一种基片处理的控制设备，更具体地涉及太阳能电池玻璃基片在镀膜前的加热及在镀膜后的冷却处理的控制设备。
技术介绍
随着人们对能源的需求量日益增大，太阳能电池作为新兴的环保资源，其应用越来越广泛。相应地，太阳能电池制造产业也因其广阔的应用前景而不断发展壮大。 在太阳能电池的制造过程中，太阳能电池玻璃基片的等离子体化学气相沉积(PECVD)是一个关键的处理工序。而在沉积镀膜前，基片必须进行加热处理，而沉积镀膜后，基片亦要进行冷却处理，才得以达到其制造的要求。传统上，一般由一传送机构输送待加热的基片组至一独立的加热装置，待基片组达到加热周期后，再被传送至镀膜装置进行等离子体化学气相沉积，等到镀膜完成后，基片组被输送至独立的冷却装置进行冷却，直至等待冷却完成被输送出，才可进行下一轮的基片组加热。这样，基片组的等待时间极长，工作效率极低，远远不能满足市场的需求。 因此，提供一种工作周期短、工作效率高的基片处理的控制设备实为必要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种工作周期短、工作效率高的基片处理的控制设备。 为实现上述目的，本技术的基片处理的控制设备，包括处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构。其中，所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置。所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并对待加热的所述基片组加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热。所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。每组的基片组的加热完成的时间点各不相同，各不冲突，从而在一组基片组的加热周期内可对多组基片组进行加热，进而缩短基片组的等待时间，提闻工作效率。 较佳地，所述处理装置还包括若干冷却装置，所述冷却装置用于定时接收来自所述第二传送机构传送的待冷却的所述基片组并进行冷却，所述处理装置将达到冷却周期的所述基片组所对应的冷却装置移动至所述第一传送机构的位置，达到冷却周期的所述基片组由所述第一传送机构传送输出。 较佳地，所述处理装置的加热装置及冷却装置呈交错的间隔排列。 较佳地，所述第一传送机构及第二传送机构位于同一直线上并分别置于所述处理装置的两侧。 较佳地，还包括机械手，所述机械手设置于所述第一传送机构的远离所述处理装置的一端，用以对所述基片组进行初始放置及最终移取。 较佳地，还包括一夹具，用以夹持固定所述基片组。 较佳地，还包括一轨道，用以供所述处理装置在其上滑移。 较佳地，所述下一平台为镀膜装置。 通过以下的描述并结合附图，本技术将变得更加清晰，这些附图用于解释本技术的实施例。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术基片处理的控制设备的一个实施例的结构框图。 图2为本技术基片处理的控制设备的结构示意图。 图3为本技术基片处理的控制设备的另一实施例的示意图。 【具体实施方式】 下面结合优选实施例及附图对本技术作进一步的描述，但本技术的实施方式不限于此。 请参考图1-2，本技术基片处理的控制设备I的一个实施例包括处理装置10、分别与该处理装置10接应的第一传送机构12及第二传送机构14。其中，第一传送机构12用于将待加热的基片组20传送至处理装置10。该处理装置10包括若干加热装置110，该加热装置110用于定时接收待加热的基片组20并对其加热，处理装置10将达到加热周期的基片组20所对应的加热装置110移动至第二传送机构14的位置，形成空载状态后的加热装置110接收下一待加热的基片组20继而对其加热。该第二传送机构14用于将达到加热周期的基片组20传送至下一平台，在本实施例中，该平台为镀膜装置16。 如图2所示，该处理装置10还包括若干冷却装置120，该冷却装置120用于定时接收来自第二传送机构14传送的待冷却的基片组20并进行冷却，处理装置10将达到冷却周期的基片组20所对应的冷却装置120移动至第一传送机构12的位置，达到冷却周期的基片组20由所述第一传送机构12传送输出。 具体地，该处理装置10在一轨道101上滑行，其上交错设置有若干加热装置110及冷却装置120。第一传送机构12及第二传送机构14固定设置于处理装置10的两侧，该第一传送机构12及第二传送机构14位于同一直线上,第一传送机构12及第二传送机构14靠近处理装置10的一端均为运输口，处理装置10相对此两传送机构12、14在轨道101上左右滑行(如图中箭头所示)。 本实施例的加热装置110及冷却装置120在处理装置10中呈交错的间隔排列。此夕卜，亦可适应于实际需求而采用其它不同的排列顺序。 在本技术中，还包括机械手30及夹具，该机械手30用于对基片组20进行初始放置及最终移取，其设置于第一传送机构12的远离处理装置10的一端，而夹具用于夹持固定基片组20。处理过程的初始，藉由机械手30将若干基片置入夹具中，夹持有基片组20的夹具随第一传送机构12传送至处理装置10。在整个处理过程中，基片组20均由该夹具40夹持固定。本实施例中的基片组20包括若干基片201。 基片组20由第一传送机构12输送至处理装置10的加热装置110中进行加热处理，加热后的基片组20将由第二传送机构14传送至镀膜装置16。被加热后的基片组20将进入镀膜装置16进行气相沉积镀膜处理，镀膜后的基片组20则由第二传送机构14传送至处理装置10的冷却装置120进行冷却，冷却后的基片组20最后由第一传送机构12运送输出。 结合图3，下面将更详细描述本技术基片处理的控制设备的优选实施例。本实施例中，一个夹具一次装载10片基片，处理装置10的加热装置110的个数为4，分别标示为A1-A4，冷却装置120的个数也为4，分别标示为B1-B4，它们按两两交错排列，第一轮进入加热装置的基片组有4组，按先后顺序分别表示为N1-N4，如此类推。 本实施例中，一组的基片组20的加热周期为Tl，预设处理装置10每隔移动时间T2的时长发生一次移动一次，其移动的位移量为SI，本实施例的SI设定为两个加热装置之间的距离。为使在加热周期Tl内至少加入4次基片组至加热装置，Tl，T2的关系设定为:T2 ( T1/3。这是考虑了处理装置10的加热装置Al接收第一个待加热的基片组NI时并不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片处理的控制设备，包括：处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构，其特征在于： 所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置； 所述处理装置包括若干加热装置，所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并对待加热的所述基片组加热，所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置，形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热； 所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊丹，
申请(专利权)人：熊丹，
类型：新型
国别省市：广东;44