变频器IGBT用突波吸收器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种变频器IGBT用突波吸收器，包括依次串联的第一电容、第一二极管、第二二极管和第二电容；第一电容的另一端为P端，第二电容的另一端连接N端，P端和N端分别从直流母线连接IGBT，第一二极管和第二二极管的公共端连接IGBT的输出端；第一电阻的一端连接P端，另一端连接第二二极管和第二电容的公共端；第二电阻的一端连接N端，另一端连接第一电容和第一二极管的公共端；第三至第五电容并联在P端和IGBT的输出端之间，第六至第八电容并联在N端和IGBT的输出端之间。本实用新型专利技术可以使浪涌电压进入突波吸收器，通过电容吸收再由电阻释放能量，有效解决大功率变频器的滤波问题。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及变频器IGBT，尤其涉及一种变频器IGBT用突波吸收器。
技术介绍
变频器所使用的IGBT在高速切换时，电路的寄生电感di/dt会使IGBT的CE端产生浪涌电压，在大功率变频器中，因电流较大，浪涌电压能量较高，一般电容式滤波器不易完全滤除，且会导致电容过热。
技术实现思路
为解决大功率变频器滤波问题，本技术提供一种变频器IGBT用突波吸收器，使浪涌电压进入突波吸收器，通过电容吸收再由电阻释放能量。本技术的技术方案如下：一种变频器IGBT用突波吸收器，包括依次串联的第一电容、第一二极管、第二二极管和第二电容；第一电容的另一端为P端，第二电容的另一端连接N端，P端和N端分别从直流母线连接IGBT，第一二极管和第二二极管的公共端连接IGBT的输出端；第一电阻的一端连接P端，另一端连接第二二极管和第二电容的公共端；第二电阻的一端连接N端，另一端连接第一电容和第一二极管的公共端；第三至第五电容并联在P端和IGBT的输出端之间，第六至第八电容并联在N端和IGBT的输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种变频器IGBT用突波吸收器，其特征在于：包括依次串联的第一电容(C1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第二电容(C2)；第一电容(C1)的另一端为P端，第二电容(C2)的另一端连接N端，P端和N端分别从直流母线连接IGBT，第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的公共端连接IGBT的输出端；第一电阻(R1)的一端连接P端，另一端连接第二二极管(D2)和第二电容(C2)的公共端；第二电阻(R2)的一端连接N端，另一端连接第一电容(C1)和第一二极管(D1)的公共端；第三至第五电容(C3～C5)并联在P端和IGBT的输出端之间，第六至第八电容(C6～C8)并联在N端和IGBT的输出端...

【技术特征摘要】
1.一种变频器IGBT用突波吸收器，其特征在于：包括依次串联的第一电
容(C1)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)和第二电容(C2)；第一电容
(C1)的另一端为P端，第二电容(C2)的另一端连接N端，P端和N端分别
从直流母线连接IGBT，第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的公共端连接
IGBT的输出端...

【专利技术属性】
技术研发人员：王云增，厉茜，査刚，
申请(专利权)人：台安科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32