本发明专利技术公开了一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。本发明专利技术是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1.15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。本专利技术是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1.15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μm，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。【专利说明】一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种具有渐进式镀层的新型小型化电 容器。
技术介绍
传统的普通镀膜技术蒸镀的薄膜包括加厚区和非加厚区，方阻分别控制在加厚区 2?4 Ω / □，非加厚区：7?9 Ω / □。目前，电容器小型化只能是通过降低薄膜厚度达到减 小电容尺寸的目的，但这样会降低产品质量，由于电容的击穿电压高低和薄膜的厚度大小 成正比，而电容寿命的长短和薄膜的击穿电压高低也成正比，就是说电容寿命的长短和薄 膜的厚度大小成正比，所述通过降低薄膜厚度来实现电容小型化会导致电容寿命降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，提供一种具有渐进式镀层的新型小型化电 容器，散热性能和自愈性能好，薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通 的电容，它的击穿电压可提高70VAC/ym，实现不降低电容质量的前提下进行小型化。 为了实现上述目的本专利技术采用如下技术方案： -种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基 膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚 度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区 逐渐增大。 所述加厚区的方阻为2?4 Ω / 口。 所述中心区的方阻为7?9Ω/口。 所述普通区的方阻为12?16 Ω / 口。 与已有技术相比，本专利技术的有益效果如下： 本专利技术是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的 散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高一倍，使薄膜耐压提升1. 15倍薄膜的击穿 电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通的电容，它的击穿电压可提高70VAC/ym，实 现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误 差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品质量。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术薄膜结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合实施例对本专利技术作进一步的描述。 实施例： 一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，所述电容器的薄膜包括基膜1和镀在 基膜上的镀层2,所述镀层1包括加厚区3、中心区4和普通区5,所述加厚区3、中心区4和 普通区5镀层厚度呈现梯形斜坡式，厚度从加厚区3向普通区5均匀递减，所述镀层的方阻 从加厚区3向普通区5逐渐增大，所述加厚区的方阻为2?4Ω / □，所述中心区的方阻为 7?9 Ω / □，所述普通区的方阻为12?16 Ω / □。本专利技术是采用渐进式镀膜技术蒸镀的具 有渐进式镀层的小型化电容，提升电容的散热性能和自愈性能，可以使电容散热性能提高 一倍，使薄膜耐压提升1. 15倍薄膜的击穿电压提升，同样厚度的金属化薄膜，相对于普通 的电容，它的击穿电压可提高70VAC/μ m，实现不降低电容质量的前提下进行小型化，节约 成本；所述镀层的厚度均匀递减，防止累积误差造成芯体两端偏粗造成薄膜褶皱，提高产品 质量。 试验例： 将5. 8微米薄膜制成的本专利技术电容与现有技术中6. 8微米薄膜制成的电容分别经 过1. 25UN，2000H条件试验，试验结果对比情况如下表： 【权利要求】1. 一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述电容器的薄膜包括基 膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普 通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。2. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述加 厚区的方阻为2?4Ω / 口。3. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述中 心区的方阻为7?9Ω / 口。4. 根据权利要求1所述的具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述普 通区的方阻为12?16 Ω / 口。【文档编号】H01G4/015GK104143434SQ201410384339【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年8月6日 优先权日:2014年8月6日 【专利技术者】温海波, 温海清, 梅丽玲, 肖娟, 薛泽峰, 章新宇 申请人:安徽源光电器有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有渐进式镀层的新型小型化电容器，其特征在于：所述电容器的薄膜包括基膜和镀在基膜上的镀层，所述镀层包括加厚区、中心区和普通区，所述加厚区、中心区和普通区镀层厚度从加厚区向普通区均匀递减，所述镀层的方阻从加厚区向普通区逐渐增大。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：温海波，温海清，梅丽玲，肖娟，薛泽峰，章新宇，
申请(专利权)人：安徽源光电器有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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