一种基于GaN的宽带平衡功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于GaN的宽带平衡功率放大器，包括Lange耦合器、微带传输线、Banding金丝线、滤波电感、稳定电阻以及宽禁带GaN基HEMT组成，该功率放大器的偏置电路包括T型接头、微带传输线、滤波电容、稳定电阻以及GaN基HEMT，所述GaN基HEMT（H）的型号为NRF01-02aHEMT管芯；所述Lange耦合器选用特征阻抗为50Ω的四线3dB耦合Lange耦合器；该功率放大器结构简单、成本低廉，采用Lange耦合器构建平衡功率放大器结构，使用多节阻抗匹配技术设计输入/输出匹配网络，实现功放宽带特性，在115~315GHz频带内，功放线性增益大于12dB，饱和输出功率大于8W。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于GaN的宽带平衡功率放大器，其特征在于，包括Lange耦合器、微带传输线、Banding金丝线、滤波电感、稳定电阻以及GaN基HEMT组成；所述第一Lange耦合器（L1）的输入端（1）与信号输入端（IN）相连，该Lange耦合器（L1）的接地端（2）通过第一稳定电阻（R1）接地，该Lange耦合器（L1）的上输出端（3）通过微带传输线（TL）、Banding金丝线（Wire）与第一滤波电容（C1）相连，该Lange耦合器（L1）的下输出端（4）通过微带传输线（TL）、Banding金丝线（Wire）与第二滤波电容（C2）相连；所述的第一电容（C1）通过Banding金丝线（Wire）与第一GaN基HEMT（H1）的输入端（1）相连，第一GaN基HEMT（H1）的接地端（3）接地，第一GaN基HEMT（H1）的输出端（2）通过Banding金丝线（Wire）与第三滤波电容（C3）相连；所述第二电容（C2）通过Banding金丝线（Wire）与第二GaN基HEMT（H2）的输入端（1）相连，第二GaN基HEMT（H2）的接地端（3）接地，第二GaN基HEMT（H2）的输出端（2）通过Banding金丝线（Wire）与第三电容（C4）相连；所述的第三电容（C3）通过Banding金丝线（Wire）、微带传输线（TL）与第2个Lange耦合器（L2）的上输入端（1）相连，所述的第四电容（C4）通过Banding金丝线（Wire）、微带传输线（TL）与第二Lange耦合器（L2）的下输入端（2）相连，所述Lange耦合器（L2）的接地端（3）通过第二稳定电阻（R2）接地，该Lange耦合器（L2）的输出端（4）与信号输出端（OUT）相连。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹坤，唐余武，邹明炳，
申请(专利权)人：无锡研奥电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32