本实用新型专利技术涉及晶硅太阳能电池领域，特别涉及一种晶硅太阳能电池新型正面电极。该晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是：所述新型正面电极位于晶硅电池n型面的刻槽内，为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，以铜为基质，银与镍等作为添加元素，所述刻槽宽度d为45μm；刻槽采用激光镭射制备，所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备，制备出的新型正面电极由于物理强度提高且没有与硅本体形成合金，所以在晶硅电池片产生裂纹以后不会断开，可以继续起到收集电流的作用。本实用新型专利技术与银硅合金相比，可节约白银40%以上，测试采用新型电极的电池片电性能有较大提高，主要体现在开路电压和串联电阻的降低，填充因子也有所提高。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及晶硅太阳能电池领域，特别涉及一种晶硅太阳能电池新型正面电极。该晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是：所述新型正面电极位于晶硅电池n型面的刻槽内，为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，以铜为基质，银与镍等作为添加元素，所述刻槽宽度d为45μm；刻槽采用激光镭射制备，所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备，制备出的新型正面电极由于物理强度提高且没有与硅本体形成合金，所以在晶硅电池片产生裂纹以后不会断开，可以继续起到收集电流的作用。本技术与银硅合金相比，可节约白银40%以上，测试采用新型电极的电池片电性能有较大提高，主要体现在开路电压和串联电阻的降低，填充因子也有所提高。【专利说明】—种晶硅太阳能电池新型正面电极
本专利技术涉及晶硅太阳能电池领域，特别涉及一种晶硅太阳能电池新型正面电极。
技术介绍
传统太阳能电池制备工艺所制备出的太阳能电池正面电极是采用丝网印刷的方式把纯度为80%的银浆印刷到电池片的N型面，由于传统浆料的主要原料为银，其余为玻璃料和醇组成，在印刷完后通过烧结温度840°C时达到共晶点，形成Ag-Si合金，由于硅缺乏柔韧性，极容易产生微裂纹或碎片，丝网印刷的电极在电池片产生微裂纹或碎片后，无法继续收集电流，导致电池片部分失效或报废。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题，提供了一种加工工艺简便，晶硅电池片产生微裂纹或碎片仍能收集电流的晶硅太阳能电池新型正面电极。 一种晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是:所述新型正面电极位于晶硅电池η型面的刻槽内，为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，以铜为基质，银与镍等作为添加元素，所述刻槽宽度d为45 μ m。 所述刻槽采用激光镭射制备，镭射深度根据η型层的方阻决定，这样部分新型正面电极埋入在η型层内部，增加了接受电流的面积，减少了体电阻。 所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备，制备出的新型正面电极由于物理强度提高且没有与硅本体形成合金，所以在晶硅电池片产生裂纹以后不会断开，可以继续起到收集电流的作用。 本专利技术的有益效果是:本专利技术采用的Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，选择了能大大提高合金强度、降低体电阻率、提高抗氧化性能的银与镍等作为添加元素；与银硅合金相t匕，可节约白银40%以上，显著降低成本，且Cu-Ag-Ni系低银导电合金加工工艺简便，适用于大批量生产；经测试采用新型电极的电池片电性能有较大提高，主要体现在开路电压和串联电阻的降低，填充因子也有所提高。 【专利附图】【附图说明】 下面结合附图对本专利技术作进一步的说明。 附图1为现有技术制备的晶硅太阳能电池正面电极断裂结构示意图； 附图2为本专利技术一种晶硅太阳能电池新型正面电极的使用结构示意图； 附图3为本专利技术一种晶硅太阳能电池新型正面电极在电池片断裂时的放大示意图。 图中，I新型正面电极，2刻槽，3裂缝。 【具体实施方式】 附图为本专利技术的一种具体实施例。该晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是:所述新型正面电极I位于晶娃电池η型面的刻槽2内，为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，以铜为基质，银与镍等作为添加元素，所述刻槽2宽度d为45 μ m,仅为传统电极宽度的四分之三；刻槽2采用激光镭射制备，镭射深度根据η型层的方阻决定，这样部分新型正面电极I埋入在η型层内部，增加了接受电流的面积，减少了体电阻；所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备，制备出的新型正面电极I由于物理强度提高且没有与硅本体形成合金，所以在晶硅电池片产生裂缝3以后不会断开，可以继续起到收集电流的作用。本专利技术与银硅合金相比，节约白银40%以上，显著降低了成本；低银合金加工工艺简便，适用于大批量生产；经测试采用新型电极的电池片电性能有较大提高，主要体现在开路电压和串联电阻的降低，填充因子也有所提高。【权利要求】1.一种晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是:所述新型正面电极(I)位于晶硅电池η型面的刻槽⑵内，为Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极，所述刻槽⑵宽度d为45 μ m。2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是:所述刻槽(2)采用激光镭射制备。3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是:所述Cu-Ag-Ni系低银导电合金电极采用无电镀法制备。【文档编号】H01L31/0224GK203932072SQ201320888377【公开日】2014年11月5日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日 【专利技术者】秦广飞, 金保华, 燕飞 申请人:秦广飞本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶硅太阳能电池新型正面电极，其特征是：所述新型正面电极(1)位于晶硅电池n型面的刻槽(2)内，为Cu‑Ag‑Ni系低银导电合金电极，所述刻槽(2)宽度d为45μm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：秦广飞，金保华，燕飞，
申请(专利权)人：秦广飞，
类型：新型
国别省市：山东;37
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