一种RoHS专用X荧光分析仪制造技术

本实用新型专利技术涉及一种RoHS专用X荧光分析仪，包括激发光源装置、信号探测装置、信号处理装置、计算机以及样品移动测试平台、内置高清晰度摄像头，信号探测装置中设置有与信号处理装置连接的探测器，信号处理装置与计算机连接，激发光源装置与计算机控制连接，激发光源装置中设置有X射线发生器，探测器位于X射线发生器激发射线的最佳反射角的位置上，X射线发生器前设置有滤光片选择装置和准直器，探测器为SDD电制冷探测器。本实用新型专利技术可对各类样品中的RoHS指令中有害元素（Pb，Cd，Hg，Br，Cr）进行精准测试及无卤测试。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种RoHS专用X荧光分析仪，包括激发光源装置、信号探测装置、信号处理装置、计算机以及样品移动测试平台、内置高清晰度摄像头，信号探测装置中设置有与信号处理装置连接的探测器，信号处理装置与计算机连接，激发光源装置与计算机控制连接，激发光源装置中设置有X射线发生器，探测器位于X射线发生器激发射线的最佳反射角的位置上，X射线发生器前设置有滤光片选择装置和准直器，探测器为SDD电制冷探测器。本技术可对各类样品中的RoHS指令中有害元素（Pb，Cd，Hg，Br，Cr）进行精准测试及无卤测试。【专利说明】—种RoHS专用X荧光分析仪
本技术涉及一种分析仪器，具体涉及一种能提高分析元素的灵敏度和精度且通用性强的RoHS专用X荧光分析仪。
技术介绍
目前，所使用的RoHS专用X荧光分析仪，它包括激发光源装置、信号探测装置、信号处理装置、计算机以及样品测量平台；其中，激发光源装置和信号处理装置分别连接的计算机，该激发光源安装在靠近测样装置的位置，信号探测装置连接信号处理装置，样品测量平台是用于存放被测样品。该RoHS专用X荧光分析仪由于采用S1-PIN探测器，虽然该探测器比传统的Si(Li)探测器性能有了较大的提高，而且不再采用液氮冷却方式，使用上较方便，但该探测器的缺点是探测效率低、计数率小、分辨率比较差，因此测量RoHS中的有害元素精度比较差，再者，目前的样品测量平台的托架尺寸单一，不能根据需要测试样品的尺寸而改变测试平台的测试区域范围。该仪器一般只用于RoHS有害元素检测，不能用于其它测试，用途单一。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本技术的主要目的在于提供一种能提高分析元素的灵敏度和精度且通用性强的RoHS专用X荧光分析仪。 本技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种RoHS专用X荧光分析仪，所述RoHS专用X荧光分析仪包括激发光源装置、信号探测装置、信号处理装置、滤光片准直器控制系统、样品移动测试平台、计算机、摄像头和数码控制器，计算机上连接有输出装置，所述信号探测装置中设置有与所述信号处理装置连接的SDD电制冷探测器，所述信号处理装置与所述计算机连接，所述激发光源装置与所述计算机连接，所述激发光源装置中设置有X射线发生器和高压发生器，所述SDD电制冷探测器位于所述X射线发生器激发射线的最佳反射角的位置上，所述X射线发生器前设置有滤光片准直器控制系统，所述滤光片准直器控制系统包括滤光片和准直器，所述样品移动测试平台上连接一电机驱动装置，所述计算机上连接有数码控制器，所述摄像头设置在样品移动测试平台的底部。 在本技术的一个优选实施例子中，所述样品移动测试平台包括样品测试托板、可更换的样品托架和样品压环，所述样品测试托板上设置有一带孔的容置槽，所述样品托架设置在所述容置槽内，所述样品托架上设置有一供激发光源装置中的激发射线穿过的测试孔，所述测试孔与所述容置槽的孔相对应，所述样品压环将一张迈拉膜压紧在所述样品托架上。 在本技术的一个优选实施例子中，所述迈拉膜的厚度范围为4-8 μ m。 在本技术的一个优选实施例子中，所述样品移动测试平台外围为样品室。 在本技术的一个优选实施例子中，所述信号处理装置包括与所述探测器连接的放大器以及与所述放大器连接的模数转换器。 在本技术的一个优选实施例子中，所述SDD电制冷探测器上设置有USB接口、RS232串口、以太网通信接口。 在本技术的一个优选实施例子中，在所述信号处理装置还设有与模数转换器连接而获取多道数据的单片机。 在本技术的一个优选实施例子中，所述计算机设有USB接口、RS232串口、以太网通信接口，所述单片机通过USB接口把获取的多道数据传输给计算机。 在本技术的一个优选实施例子中，所述输出设备包括显示器和打印机。 本技术的积极进步效果在于:本技术提供的RoHS专用X荧光分析仪具有以下优点:本技术探测器采用SUPER-SDD电制冷探测器，其最低分辨率达到125eV，计数效率提高500%，该SUPER-SDD电制冷探测器对硫、氯等轻元素的探测效率比S1-PIN探测器提高了 5倍，使一般样品在10-100秒内，可以得到满意的结果，大大提高了分析元素的灵敏度和检出限。本技术具有分析速度快、使用方便、精度高、成本低、故障率低、测量时间短的优点，可分析元素周期表中由硫⑶到铀⑶之间的全部元素，对RoHS指令中有害元素(Pb，Cd，Hg，Br，Cr)进行精准测试及无卤测试，完全达到了预期的目的，而且可检测各种类型的样品中如金属合金、电子元件、塑料玩具、土壤、食品等样品，样品形态可以是块状、线状、碎屑状、粉末状、液体等，无需进行专门制样，可以直接测量。另外，样品移动测试平台中间为可变尺寸样品测试托架，可以根据需要测试的样品的尺寸而改变测试平台的测试区域范围，增加本技术的通用性。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的原理框图。 图2为本技术中样品移动测试平台的结构示意图之一。 图3为本技术中样品移动测试平台的结构示意图之二。 【具体实施方式】 下面结合附图给出本技术较佳实施例，以详细说明本技术的技术方案。 图1为本技术的原理框图，如图1所示:本技术包括激发光源装置1、信号探测装置2、信号处理装置3、滤光片准直器控制系统4、样品移动测试平台5、计算机7、摄像头11和数码控制器9，计算机7上连接有输出装置，信号探测装置2中设置有与信号处理装置3连接的SDD电制冷探测器201，SDD电制冷探测器201通过探测器电源202供电，信号处理装置3与计算机7连接，激发光源装置I与计算机7连接，激发光源装置I中设置有X射线发生器101和高压发生器102，SDD电制冷探测器201位于X射线发生器101激发射线的最佳反射角的位置上，X射线发生器101前设置有滤光片准直器控制系统，滤光片准直器控制系统包括滤光片401和准直器402，滤光片准直器控制系统上连接一电机驱动装置12，计算机7上连接有数码控制器9，摄像头11设置在样品移动测试平台5的底部。 其中，该SDD电制冷探测器201选用美国AMPTEK公司最新开发研制的具有高分辨率、高计数率的SUPER-SDD电制冷探测器，需要在低温下(_40°C )工作，低温需要由半导体制冷方式提供。该SDD电制冷探测器201无需液氮冷却，Be(铍窗)厚度为7.5微米，对55Fe 5.9keV的X射线在计数率为1000CPS时的分辨率为125eV。并且对轻元素Na、Mg、Al、S1、S等具有高灵敏度与分辨率，使一般样品在200秒内，可以得到满意的结果。 激发光源装置I包括高压电源102、高压电源102上连接的X射线发生器101和数码控制器9，其中，以高压50KV的正高压X射线发生器101作为激发源，该X射线发生器101采用Be (铍)窗厚度为75微米的韧致辐射型、低功率、自然冷却、高寿命的X光管，并根据实际应用需要选择靶材，如供选择的靶材为:Rh (铑靶)，Ag(银靶)，W(钨靶)等。本技术中，在X射线发生器101前增加了滤光片401，用于降低待测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RoHS专用X荧光分析仪，其特征在于：所述RoHS专用X荧光分析仪包括激发光源装置、信号探测装置、信号处理装置、滤光片准直器控制系统、样品移动测试平台、计算机、摄像头和数码控制器，计算机上连接有输出装置，所述信号探测装置中设置有与所述信号处理装置连接的SDD电制冷探测器，所述信号处理装置与所述计算机连接，所述激发光源装置与所述计算机连接，所述激发光源装置中设置有X射线发生器和高压发生器，所述SDD电制冷探测器位于所述X射线发生器激发射线的最佳反射角的位置上，所述X射线发生器前设置有滤光片准直器控制系统，所述滤光片准直器控制系统包括滤光片和准直器，所述样品移动测试平台上连接一电机驱动装置，所述计算机上连接有数码控制器，所述摄像头设置在样品移动测试平台的底部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔文韬，苏建平，周偃，
申请(专利权)人：上海精谱科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31