一种电源电路，包括一欠压保护单元及一电压转换单元，所述欠压保护单元包括一控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻。所述欠压保护单元与所述电压转换单元相连。所述欠压保护单元及所述电压转换单元均与一电源相连。当所述电源的电压在正常范围内时，所述欠压保护单元输出一第一控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出，当所述电源的电压低于一阈值电压时，所述欠压保护单元输出一第二控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元不工作。上述电源电路具有欠压保护的功能。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种电源电路，包括一欠压保护单元及一电压转换单元，所述欠压保护单元包括一控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻。所述欠压保护单元与所述电压转换单元相连。所述欠压保护单元及所述电压转换单元均与一电源相连。当所述电源的电压在正常范围内时，所述欠压保护单元输出一第一控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出，当所述电源的电压低于一阈值电压时，所述欠压保护单元输出一第二控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元不工作。上述电源电路具有欠压保护的功能。【专利说明】电源电路
本专利技术涉及一种电源电路。
技术介绍
电源是电子设备（如台式电脑，笔记本电脑，服务器等）的功率部件，电子设备中 每个部件的电能都来自于电源。当由于短路等原因而造成电源的电压在短时间内出现大幅 度降低甚至消失(即欠压）时，若不及时采取相应的保护措施，电子设备将会受到损坏。
技术实现思路
鉴于上述内容，有必要提供一种具有欠压保护功能的电源电路。 -种电源电路，包括一欠压保护单元及一电压转换单元，所述欠压保护单元包括 一控制芯片、第一至第三NM0S场效应管及第一至第四电阻，所述控制芯片与所述第一 NM0S 场效应管的栅极相连，所述第一 NM0S场效应管的漏极通过所述第一电阻与一电源相连，所 述第一 NM0S场效应管的源极接地，所述第二NM0S场效应管的栅极与所述第一 NM0S场效应 管的漏极相连，所述第二NM0S场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第 二NM0S场效应管的源极接地，所述第三NM0S场效应管的栅极与所述第二NM0S场效应管 的漏极相连，所述第三NM0S场效应管的漏极通过所述第三电阻与所述电源相连，所述第三 NM0S场效应管的源极与所述电压转换单元相连并通过所述第四电阻接地，所述电压转换单 元与所述电源相连，所述控制芯片输出一高电平信号给所述第一 NM0S场效应管的栅极，所 述第一 NM0S场效应管导通，所述第二NM0S场效应管截止，所述第三NM0S场效应管导通，当 所述电源的电压在正常范围内时，所述第三NM0S场效应管的源极输出一第一控制信号给 所述电压转换单元，所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出，当所 述电源的电压低于一阈值电压时，所述第三NM0S场效应管的源极输出一第二控制信号给 所述电压转换单元，所述电压转换单元不工作。 本专利技术电源电路通过所述欠压保护单元根据所述电源的电压的大小来控制所述 电压转换单元是否工作，以在所述电源的电压小于所述阈值电压时使所述电压转换单元停 止工作，从而实现了欠压保护的功能。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术电源电路的较佳实施方式的电路图。 主要元件符号说明 【权利要求】1. 一种电源电路，包括一欠压保护单元及一电压转换单元，所述欠压保护单元包括一 控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻，所述控制芯片与所述第一 NMOS场 效应管的栅极相连，所述第一 NMOS场效应管的漏极通过所述第一电阻与一电源相连，所述 第一 NMOS场效应管的源极接地，所述第二NMOS场效应管的栅极与所述第一 NMOS场效应管 的漏极相连，所述第二NMOS场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第二 NMOS场效应管的源极接地，所述第三NMOS场效应管的栅极与所述第二NMOS场效应管的漏 极相连，所述第三NMOS场效应管的漏极通过所述第三电阻与所述电源相连，所述第三NMOS 场效应管的源极与所述电压转换单元相连并通过所述第四电阻接地，所述电压转换单元与 所述电源相连，所述控制芯片输出一高电平信号给所述第一 NMOS场效应管的栅极，所述第 一 NMOS场效应管导通，所述第二NMOS场效应管截止，所述第三NMOS场效应管导通，当所述 电源的电压在正常范围内时，所述第三NMOS场效应管的源极输出一第一控制信号给所述 电压转换单元，所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出，当所述电 源的电压低于一阈值电压时，所述第三NMOS场效应管的源极输出一第二控制信号给所述 电压转换单元，所述电压转换单元不工作。2. 如权利要求1所述的电源电路，其特征在于：所述电压转换单元包括一驱动芯片、 一第一电子开关、一第二电子开关、一电感及一第一电容，所述驱动芯片的使能引脚与所述 第三NMOS场效应管的源极相连，所述第一电子开关的第一端与所述驱动芯片的高通驱动 引脚相连，所述第一电子开关的第二端与所述电源相连，所述第一电子开关的第三端依次 通过所述电感及所述第一电容接地，所述第二电子开关的第一端与所述驱动芯片的低通驱 动引脚相连，所述第二电子开关的第二端与所述第一电子开关的第三端相连，所述第二电 子开关的第三端接地，所述电感与所述第一电容之间的节点作为所述电压转换单元的输出 端，当所述驱动芯片的使能引脚接收到所述第三NMOS场效应管的源极输出的第一控制信 号时，所述驱动芯片开始工作，所述驱动芯片的高通驱动引脚及低通驱动引脚交替输出高 低电平信号以交替控制所述第一及第二电子开关的导通及截止，当所述驱动芯片的高通驱 动引脚输出高电平信号，低通驱动引脚输出低电平信号时，所述第一电子开关导通，所述第 二电子开关截止，所述电源通过所述第一电子开关给所述电感及所述第一电容充电，当所 述驱动芯片的高通驱动引脚输出低电平信号，低通驱动引脚输出高电平信号时，所述第一 电子开关截止，所述第二电子开关导通，所述电感及所述第一电容通过所述第二电子开关 放电，所述电压转换单元的输出端输出所述工作电压，当所述驱动芯片的使能引脚接收到 所述第三NMOS场效应管的源极输出的第二控制信号时，所述驱动芯片不工作，所述电压转 换单元的输出端不输出所述工作电压。3. 如权利要求2所述的电源电路，其特征在于：所述电压转换单元还包括一第二电容， 所述第一电子开开关的第二端通过所述第二电容接地。4. 如权利要求3所述的电源电路，其特征在于：所述第一及第二电子开关均为NMOS场 效应管，所述第一及第二电子开关的第一端、第二端及第三端分别对应于NMOS场效应管的 栅极、漏极及源极。5. 如权利要求2所述的电源电路，其特征在于：所述第一控制信号的电压大于或等于 所述驱动芯片的使能引脚的使能电压，所述第二控制信号的电压小于所述驱动芯片的使能 引脚的使能电压。【文档编号】H02H3/24GK104122971SQ201310155048【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月29日 优先权日:2013年4月29日【专利技术者】周海清 申请人:鸿富锦精密电子(天津)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电源电路，包括一欠压保护单元及一电压转换单元，所述欠压保护单元包括一控制芯片、第一至第三NMOS场效应管及第一至第四电阻，所述控制芯片与所述第一NMOS场效应管的栅极相连，所述第一NMOS场效应管的漏极通过所述第一电阻与一电源相连，所述第一NMOS场效应管的源极接地，所述第二NMOS场效应管的栅极与所述第一NMOS场效应管的漏极相连，所述第二NMOS场效应管的漏极通过所述第二电阻与所述电源相连，所述第二NMOS场效应管的源极接地，所述第三NMOS场效应管的栅极与所述第二NMOS场效应管的漏极相连，所述第三NMOS场效应管的漏极通过所述第三电阻与所述电源相连，所述第三NMOS场效应管的源极与所述电压转换单元相连并通过所述第四电阻接地，所述电压转换单元与所述电源相连，所述控制芯片输出一高电平信号给所述第一NMOS场效应管的栅极，所述第一NMOS场效应管导通，所述第二NMOS场效应管截止，所述第三NMOS场效应管导通，当所述电源的电压在正常范围内时，所述第三NMOS场效应管的源极输出一第一控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元将所述电源的电压转换成一工作电压后输出，当所述电源的电压低于一阈值电压时，所述第三NMOS场效应管的源极输出一第二控制信号给所述电压转换单元，所述电压转换单元不工作。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周海清，
申请(专利权)人：鸿富锦精密电子天津有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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