“V”型播种法制造技术

本发明专利技术公开了一种“V”型播种法，其具体的播种步骤如下：(1)将种子深入泥土7-8cm；(2)在种子的上方开出一个深度为5-6cm，槽口宽度7-8cm的“V”型槽子；通过将种子播种在地表下方7-8cm深处，并在种子上方开出一个“V”型槽口，以达到确保种子安全出苗、聚集光能、促进光合作用、保温防冻、降低株高、防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种“V”型播种法，其具体的播种步骤如下：(1)将种子深入泥土7-8cm；(2)在种子的上方开出一个深度为5-6cm，槽口宽度7-8cm的“V”型槽子；通过将种子播种在地表下方7-8cm深处，并在种子上方开出一个“V”型槽口，以达到确保种子安全出苗、聚集光能、促进光合作用、保温防冻、降低株高、防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。【专利说明】"V"型播种法
本专利技术是一种" V "型播种法。
技术介绍
传统的播种方法一般都是采用平面播种，就是将种子播种到土壤地表以下2-3cm 处，然后盖上泥土即完成。此种播种方法存在如下问题：1、在粘土地上，在2-3cm的深度范 围内，经过耕、耙等多层次的作业后，土壤墒情散失严重，大部分土壤墒情不足，难以原墒全 面，需要抗旱补墒才能全苗；在抗旱补墒的过程中，不仅会造成肥料流失，而且会形成过水 时间偏长导致僵种、烂种，不能够实现全苗、匀苗，无法满足高产栽培所必需的条件；2、只能 正常吸收光能，不能聚集光能；3、作物易倒伏而减产；4、北方冬麦区经常遭受冻害而减产； 5、冬春易形成干旱而减产。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种"V"型播种法，以达到作物播种后能够确 保原墒出苗、集聚光能、促进作物的光合作用、保温防冻、降低株高防止作物倒伏、抵御干旱 和提商广量的目的。 "V"型播种法，其具体的操作步骤如下： (1) ·将种子播种入土至7-8cm深处； (2).在种子的上方开出一个深度为5-6cm，槽口宽度7-8cm的"V"型槽子。 通过上述技术方案，本专利技术通过将种子播种在地表下方7_8cm深处，并在种子上 方开出一个"V"型槽口，以达到确保种子安全出苗、聚集光能、促进光合作用、保温防冻、降 低株高、防止作物倒伏、抵御干旱和提高产量的目的。 【具体实施方式】 下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。 本专利技术提供了一种"V"型播种法，其工作原理是通过将种子播种在地表下方 7-8cm深处，并在种子上方开出一个"V"型槽口，该"V"型槽口可以使种子上方的盖土深度 控制在2-3cm，确保种子能够吸足水分后安全出苗；该"V"型槽口可以利用其独特的"V"型 结构聚焦并反射光能，增强光合作用，促进幼苗生长。同时，产生温室效应，提高温度，防止 或减轻冻害的发生，促进幼苗的快速生长，以苏北地区为例，该地区的冻土层一般在3-5cm， 传统的播种方法将种子播种在2-3cm深处，处于冻土层内，容易形成冻害。而"V"型播种 法将种子播种在7-8cm深处，种子处在冻土层以下。尽管开出的"V"型槽子会使冻土层下 移，但其会比平面播种法的保温防冻的效果要好得多。越冬期间，经过一个时期的冻融风化 后，"V"型槽口斜坡上的泥土，会有一部分回塌到槽子的底部，对麦苗的分蘖节形成保护，大 大增强了植株保温防冻的效果，使植株免受冻害，安全越冬。另外，将种子播种在地表以下 7-8cm深处，可使幼苗在后续的生长过程中能够很快吸收到土壤深处的养分和水分，促进幼【权利要求】1. "V"型播种法，其特征在于，具体的播种步骤如下： (1) .将种子深入泥土 7-8cm; (2) .在种子的上方开出一个深度为5-6cm，槽口宽度7-8cm的"V"型槽子。【文档编号】A01G1/00GK104115648SQ201410313451【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年7月2日 优先权日:2014年7月2日 【专利技术者】孙如俊 申请人:孙如俊本文档来自技高网...

【技术保护点】
“V”型播种法，其特征在于，具体的播种步骤如下：(1).将种子深入泥土7‑8cm；(2).在种子的上方开出一个深度为5‑6cm，槽口宽度7‑8cm的“V”型槽子。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙如俊，
申请(专利权)人：孙如俊，
类型：发明
国别省市：江苏;32