具有导电性添加剂的反应性介晶组合物制造技术

本发明专利技术涉及包含导电性添加剂的反应性介晶组合物(RM)，由其获得的聚合物膜以及该RM组合物和聚合物膜在光学或电光学组件或器件(如用于液晶显示器(LCD)的光学延迟膜)中的用途。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有导电性添加剂的反应性介晶组合物专利
本专利技术涉及包含导电性添加剂的反应性介晶(RM)组合物，由其获得的聚合物膜，以及该RM组合物和聚合物膜在光学或电光学组件或器件(如用于液晶显示器(LCD)的光学延迟膜)中的用途。
技术介绍
RM和RM的混合物可以通过原位聚合的过程用于制备光学膜，例如补偿、延迟或偏振膜，例如用作光学或电光学器件例如LC显示器的组件的那些。所述膜的光学性能可以通过多种因素控制，例如混合物配方或基板性质。所述膜通常通过以下制备：将RM或RM混合物的溶液涂覆在基板上，移除溶剂，使RM配向成期望的方向和通过暴露于热或光化辐射例如UV辐射原位地使经涂覆并且配向的RM聚合，并且任选地从基板移除聚合的膜。然而，如果溶液不是导电的，则用含有RM的溶液涂覆基板可以导致静电荷的积累。这可以通过电弧导致静电放电，并且如果溶剂是易燃的，则导致火灾或爆炸。此危害可以通过工程解决方法例如使用箔片和静电中和棒降低。然而，非导电的易燃流体至涂覆头的快速泵送也可以导致静电放电。例如，用于这种聚合的RM膜产品的典型的制造方法是塑料基板的辊到辊处理，其中反应性介晶溶液的涂覆是一个整体步骤。在该生产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物，包含>50％的一种或多种可聚合的介晶化合物，和一种或多种导电性添加剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.08 EP 12000814.91.一种组合物，包含>50％的一种或多种可聚合的介晶化合物，和一种或多种导电性添加剂；其中所述可聚合的介晶化合物选自式I和式III的化合物：P1-Sp1-MG-Sp2-P2I其中MG是式II的棒状介晶基团，-(A1-Z1)n-A2-II其中A1和A2在多次出现的情况下彼此独立地选自呋喃、吡咯、噻吩、噁唑、噻唑、噻二唑、咪唑、亚苯基、环亚己基、二环亚辛基、亚环己烯基、吡啶、嘧啶、吡嗪、薁、茚满、芴、萘、四氢萘、蒽、菲和二噻吩并噻吩，所有这些是未取代的或被如下所定义的1、2、3或4个基团L取代，L为P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR00R000、-C(＝O)X、-C(＝O)OR00、-C(＝O)R0、-NR00R000、-OH、-SF5，具有1-12个C原子的芳基或杂芳基，和具有1-12个C原子的直链或支链的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一个或多个H原子任选被F或Cl替代，R00,R000彼此独立地表示H或具有1-12个C原子的烷基，X是卤素，Z1在多次出现的情况下彼此独立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR00-、-NR00-CO-、-NR00-CO-NR000、-NR00-CO-O-、-O-CO-NR00-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-(CH2)n1、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-CH＝CR00-、-CY1＝CY2-、-C≡C-、-CH＝CH-COO-、-OCO-CH＝CH-或单键，Y1和Y2彼此独立地表示H、F、Cl或CN，n为1、2、3或4，n1为1-10的整数；P1-Sp1-MG-RIII其中MG具有在式I中给出的含义，R表示P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)NR00R000、-C(＝O)X、-C(＝O)OR0、-C(＝O)R00、-NR00R000、-OH、-SF5，任选取代的甲硅烷基，具有1-12个C原子的直链或支链的烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一个或多个H原子任选被F或Cl代替，X为卤素，和R00和R000彼此独立地为H或具有1-12个C原子的烷基；并且所述导电性添加剂选自式1和式2的化合物：P1-Sp-C+A-1其中C+是选自铵、鏻、锍、脲鎓、硫脲鎓、胍鎓和杂环阳离子的有机阳离子，且A-是选自卤离子、硼酸根、酰亚胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、琥珀酸根、环烷酸根和羧酸根的阴离子；P1-Sp3-G2其中G是选自COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH、PO3H2和苯的极性基团，该苯被COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH或PO3H2单取代或多取代；其中，在式1、2、I和III中的可聚合基团P1和P2选自CH2＝CH-COO-、CH2＝C(CH3)-COO-、CH2＝CF-COO-、(CH2＝CH)2CH-OCO-、(CH2＝CH)2CH-O-、和其中W2为H或具有1-5个C原子的烷基和k1为0或1，并且在式1、2、I和III中的间隔基Sp、Sp1、Sp2和Sp3选自式Sp'-X'，其中Sp'为具有1-20个C原子的亚烷基，其任选地被F、Cl、Br、I或CN单或多取代，并且其中一个或多个非相邻的CH2基团在每种情况下彼此独立地任选地被-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-SiR0R00-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR0-CO-O-、-O-CO-NR0-、-NR0-CO-NR0-、-CH＝CH-或-C≡C-以O和/或S原子不直接彼此连接的方式代替，X'为-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR0-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-CH＝CR0-、-CY1＝CY2-、-C≡C-、-CH＝CH-COO-、-OCO-CH＝CH-或单键，R0和R00彼此独立地为H或具有1-12个C原子的烷基，和Y1和Y2彼此独立地为H、F、Cl或CN。2.根据权利要求1的组合物，其特征在于，在式II中的基团A1和A2选自1,4-亚苯基、吡啶-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢-萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基、二环亚辛基或1,4-环亚己基，其中一个或两个非相邻的CH2基团任选地被O和/或S代替，其中这些基团是未取代的或被1、2、3或4个基团L取代。3.根据权利要求1的组合物，其特征在于，在式II中的基团Z1表示-COO-、-OCO-或单键。4.根据权利要求1的组合物，其特征在于，所述导电性添加剂选自离子有机化合物。5.根据权利要求1的组合物，其特征在于，所述导电性添加剂含有选自以下的阴离子：全氟烷基-氟-二氰基硼酸根，全氟烷基-二氟-氰基硼酸根，烷氧基-三氰基硼酸根，全氟烷基-氟硼酸根(FAB)，全氟烷基-烷氧基-二氰基硼酸根，烷基苯磺酸根，烷基萘磺酸根，烷基芳基醚磷酸根，烷基醚磷酸根，烷基羧酸根，和(氟烷基)氟磷酸根，其中“烷基”是C1-C20的烷基、“氟烷基”为氟化的C1-C20的烷基，“全氟烷基”为C1-C20的全氟烷基，和“芳基”为任选取代的C5-C8-芳基。6.根据权利要求1的组合物，其特征在于，所述导电性添加剂含有选自以下的阴离子：氯离子，溴离子，碘离子，四氟硼酸根，四氰基硼酸根(TCB)，二氟-二氰基硼酸根，氟-三氰基硼酸根，五氟乙基-氟-二氰基硼酸根，五氟乙基-二氟-氰基硼酸根，甲氧基-三氰基硼酸根，乙氧基-三氰基硼酸根，2,2,2-三氟乙氧基-三氰基硼酸根，双(2,2,2-三氟乙氧基)-二氰基硼...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·史密斯，O·L·帕里，V·库克，G·贝尔纳兹，D·韦尔克斯，J·H·威尔逊，M·詹姆斯，P·E·梅，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE