一种低损耗整流电路制造技术

本发明专利技术公开了一种低损耗整流电路，其包括第一、第二、第三、第四二极管；此外其还包括：与所述四个二极管对应并联的四个MOSFET；逻辑控制模块，其包括信号分压器、比较电路、反向器和三态门，所述逻辑控制模块控制各MOSFET的导通和截断，以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道。本发明专利技术公开的低损耗整流电路，其使得整流电路具有极低的整流压降，从而能有效减少整流电路的损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低损耗整流电路，用于将交流输入信号整流变换为直流输出信号，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管，其中第一二极管的负极与第二二极管的正极相连，第二二极管的负极与第三二极管的负极相连，第三二极管的正极与第四二极管的负极相连，第四二极管的正极相连与第一二极管的正极相连，其中第一二极管的负极和第四二极管的负极连接交流输入端，第一二极管的正极和第二二极管的负极连接直流输出端；其特征在于，还包括：第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET，其分别与第一二极管、第二二极管、第三二极管和第四二极管对应并联；逻辑控制模块，所述逻辑控制模块根据接收自交流输入端的交流信号，输出逻辑控制信号来控制各MOSFET的导通和截断，以使各MOSFET在导通的状态下替代与其对应并联的二极管作为整流变换信号的通道；所述逻辑控制模块包括：信号分压器，其输入端连接所述交流输入端，所述信号分压器将交流输入端输入的交流电压分压为可供下述比较电路处理的电压后输出；    比较电路，其与信号分压器的输出端连接，所述比较电路将接收自信号分压器输出端的交流信号转换为控制信号输出；     反向器，其输入端连接比较电路的输出端；第一三态控制门、第二三态控制门、第三三态控制门和第四三态控制门，所述各三态控制门的输入端和控制端还均分别与比较电路的输出端和反向器的输出端连接，所述第一三态控制门、第二三态控制门、第三三态控制门和第四三态控制门的输出端分别与所述第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET的栅极对应连接，输出所述逻辑控制信号以分别对应控制各MOSFET的导通和截断。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈缨，彭倩，刘亚东，曹永兴，代杰杰，唐勇，李珏龙，胡赟，刘嘉美，陈佳俊，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网四川省电力公司电力科学研究院，上海交通大学，
类型：发明
国别省市：北京;11