一种内嵌式触摸屏和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种内嵌式触摸屏和显示装置。该内嵌式触摸屏包括对合设置的阵列基板和彩膜基板，触控电极设置在阵列基板和彩膜基板之间，还包括设置在彩膜基板的远离阵列基板一侧的静电释放层，静电释放层为方块电阻阻值在兆欧级以上的透明导电层。该内嵌式触摸屏通过设置方块电阻阻值在兆欧级以上的透明的静电释放层，使触摸屏既能够对静电进行很好的释放，又不会对触摸屏的触控信号形成屏蔽，从而使触摸屏既能很好地防止静电的干扰和破坏，又能正常地进行触控显示。该显示装置，通过采用上述内嵌式触摸屏，既能很好地防止静电的干扰和破坏，又能正常地进行触控显示。

【技术实现步骤摘要】
一种内嵌式触摸屏和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种内嵌式触摸屏和显示装置。
技术介绍
由于内嵌式触摸屏（in cell touch panel)能使屏幕变得更加轻薄，所以目前内 嵌式触摸屏在显示面板中的应用越来越广泛。 如：目前常见的一种ADS(高级超维场转换显示模式）内嵌式触摸屏，通常将触控 驱动电极（TX)和触控感应电极（RX)都设计在阵列基板和彩膜基板对合形成的液晶盒内 部，具体为：将设置在阵列基板上的公共电极层分成两部分，一部分作为公共电极，另一部 分在触控时复用为触控驱动电极（TX)，触控感应电极（RX)设置在公共电极区域所对应的 彩膜基板上的横向黑矩阵区域内（或者纵向黑矩阵区域内）。 该ADS内嵌式触摸屏为了防止外界的静电，通常在对合后的彩膜基板的外表面上 设置一层导电涂层，该导电涂层与触摸屏的接地端连接，以便对静电进行释放。 目前，该导电涂层通常采用氧化铟锡（ΙΤ0)材料制成，一方面，ΙΤ0材料为透明材 料，不影响触摸屏的正常显示，另一方面，ΙΤ0材料具有良好的导电性能，能够很好地将静电 释放至接地端。但是，ΙΤ0材料由于具有良好的导电性，会将触控信号屏蔽掉，从而导致触 摸屏的触控功能失灵，严重影响触摸屏的触控显示。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种内嵌式触摸屏和显示装 置，该内嵌式触摸屏通过设置方块电阻阻值在兆欧级以上的透明的静电释放层，使触摸屏 既能够对静电进行很好的释放，又不会对触摸屏的触控信号形成屏蔽，从而使触摸屏既能 很好地防止静电的干扰和破坏，又能正常地进行触控显示。 本专利技术提供一种内嵌式触摸屏，包括对合设置的阵列基板和彩膜基板，触控电极 设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，还包括设置在所述彩膜基板的远离所述阵列基 板一侧的静电释放层，所述静电释放层为方块电阻阻值在兆欧级以上的透明导电层。 优选地，所述静电释放层的方块电阻阻值范围为大于等于1ΜΩ、且小于等于 lkMQ。 优选地，还包括导电外壳和接地端，所述导电外壳包覆在所述内嵌式触摸屏的除 触控面以外的至少一个外侧面上，所述接地端用于将所述静电释放层上积聚的静电进行接 地处理； 所述接地端设置在所述阵列基板上，所述接地端与所述静电释放层连接； 或者，所述接地端设置在所述导电外壳上，所述静电释放层与所述导电外壳连 接； 或者，所述接地端包括第一接地端和第二接地端，所述第一接地端设置在所述阵 列基板上，所述第二接地端设置在所述导电外壳上，所述第一接地端与所述静电释放层连 接，且所述第一接地端和所述第二接地端连接。 优选地，还包括盖板和上偏光片，所述盖板用于对所述内嵌式触摸屏的所述触控 面进行盖合； 所述上偏光片设置在所述彩膜基板的远离所述阵列基板的一侧。 优选地，所述静电释放层采用绝缘光学胶材料，所述绝缘光学胶中掺杂有导电粒 子，所述导电粒子均匀分布于所述绝缘光学胶中。 优选地，所述上偏光片和所述静电释放层依次叠覆在所述彩膜基板上，所述盖板 盖合在所述静电释放层上，所述静电释放层能将所述盖板和所述彩膜基板粘结在一起。 优选地，还包括粘结层，所述静电释放层、所述上偏光片和所述粘结层依次叠覆在 所述彩膜基板上，所述盖板盖合在所述粘结层上，所述粘结层能将所述盖板和所述彩膜基 板粘结在一起。 优选地，还包括粘结层，所述上偏光片、所述粘结层和所述静电释放层依次叠覆在 所述彩膜基板上，所述盖板盖合在所述静电释放层上，所述粘结层能将所述盖板和所述彩 膜基板粘结在一起。 优选地，所述盖板的朝向所述彩膜基板的一侧、且与所述内嵌式触摸屏的非触控 显示区域相对应的边缘区域设置有导电油墨，所述导电油墨与所述静电释放层的外围边缘 相对应且连接。 优选地，所述导电油墨的厚度范围为50 μ m-100 μ m，所述导电油墨的宽度范围为 0. lmm-〇. 5_，所述导电油墨的方块电阻阻值范围为小于等于ΙΙ?Ω。 优选地，所述接地端与所述静电释放层通过导电银浆和/或导电胶带连接，所述 静电释放层与所述导电外壳通过导电银浆连接，所述第一接地端与所述静电释放层通过导 电银浆和/或导电胶带连接，所述导电银浆和所述导电胶带均设置在与所述非触控显示区 域相对应的所述内嵌式触摸屏的边缘区域。 本专利技术还提供一种显示装置，包括上述内嵌式触摸屏。 本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的内嵌式触摸屏，通过设置方块电阻阻值在兆 欧级以上的透明的静电释放层，使触摸屏既能够对静电进行很好的释放，又不会对触摸屏 的触控信号形成屏蔽，从而使触摸屏既能很好地防止静电的干扰和破坏，又能正常地进行 触控显示。本专利技术所提供的显示装置，通过采用上述内嵌式触摸屏，既能很好地防止静电的 干扰和破坏，又能正常地进行触控显示。 【附图说明】 图1为本专利技术实施例1中内嵌式触摸屏的结构剖视图； 图2为图1中内嵌式触摸屏的静电释放层的另一种接地连接剖视图； 图3为图1中内嵌式触摸屏的静电释放层的又一种接地连接剖视图； 图4为本专利技术实施例2中内嵌式触摸屏的结构剖视图； 图5为本专利技术实施例3中内嵌式触摸屏的结构剖视图； 图6为本专利技术实施例4中内嵌式触摸屏的结构剖视图。 其中的附图标记说明： 1.阵列基板；12.驱动电极；2.彩膜基板；21.感应电极；3.静电释放层；4.盖板； 5.上偏光片；6.导电外壳；7.接地端；71.第一接地端；72.第二接地端；8.导电油墨；9.导 电银浆；10.粘结层；11.导电胶带。 【具体实施方式】 为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施 方式对本专利技术所提供的一种内嵌式触摸屏和显示装置作进一步详细描述。 实施例1 : 本实施例提供一种内嵌式触摸屏，如图1所示，包括对合设置的阵列基板1和彩膜 基板2,触控电极（即驱动电极12和感应电极21)设置在阵列基板1和彩膜基板2之间，还 包括设置在彩膜基板2的远离阵列基板1 一侧的静电释放层3,静电释放层3为方块电阻阻 值在兆欧级以上的透明导电层。 其中，静电释放层3的方块电阻阻值范围为大于等于1ΜΩ、且小于等于lkMQ。该 方块电阻阻值的静电释放层3既能够对静电进行很好的释放，又不会对触摸屏的触控信号 形成屏蔽，从而使该触摸屏既能很好地防止静电的干扰或破坏，又能正常地进行触控。 本实施例中，内嵌式触摸屏还包括导电外壳6和接地端，导电外壳6包覆在内嵌式 触摸屏的除触控面以外的至少一个外侧面上，接地端用于将静电释放层3上积聚的静电进 行接地处理；接地端包括第一接地端71和第二接地端72,第一接地端71设置在阵列基板1 上，第二接地端72设置在导电外壳6上，第一接地端71与静电释放层3连接，且第一接地 端71和第二接地端72连接。 其中，导电外壳6采用能够包覆触摸屏的除触控面以外的所有外侧面的槽型外 壳。由于导电外壳6通常采用金属材料制成且其表面积较大，具有良好的电荷承载和传导 能力，其电荷迁移率相对较高，所以能使静电释放层3上积聚的静电进行更加快速彻底的 释放。 内嵌式触摸屏还包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式触摸屏，包括对合设置的阵列基板和彩膜基板，触控电极设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间，还包括设置在所述彩膜基板的远离所述阵列基板一侧的静电释放层，其特征在于，所述静电释放层为方块电阻阻值在兆欧级以上的透明导电层。

【技术特征摘要】
1. 一种内嵌式触摸屏，包括对合设置的阵列基板和彩膜基板，触控电极设置在所述阵 列基板和所述彩膜基板之间，还包括设置在所述彩膜基板的远离所述阵列基板一侧的静电 释放层，其特征在于，所述静电释放层为方块电阻阻值在兆欧级以上的透明导电层。2. 根据权利要求1所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述静电释放层的方块电阻阻 值范围为大于等于1ΜΩ、且小于等于lkMQ。3. 根据权利要求2所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，还包括导电外壳和接地端，所述 导电外壳包覆在所述内嵌式触摸屏的除触控面以外的至少一个外侧面上，所述接地端用于 将所述静电释放层上积聚的静电进行接地处理； 所述接地端设置在所述阵列基板上，所述接地端与所述静电释放层连接； 或者，所述接地端设置在所述导电外壳上，所述静电释放层与所述导电外壳连接； 或者，所述接地端包括第一接地端和第二接地端，所述第一接地端设置在所述阵列基 板上，所述第二接地端设置在所述导电外壳上，所述第一接地端与所述静电释放层连接，且 所述第一接地端和所述第二接地端连接。4. 根据权利要求3所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，还包括盖板和上偏光片，所述盖 板用于对所述内嵌式触摸屏的所述触控面进行盖合； 所述上偏光片设置在所述彩膜基板的远离所述阵列基板的一侧。5. 根据权利要求4所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述静电释放层采用绝缘光学 胶材料，所述绝缘光学胶中掺杂有导电粒子，所述导电粒子均匀分布于所述绝缘光学胶中。6. 根据权利要求5所述的内嵌式触摸屏，其特征在于，所述上偏光片和所述静电释放 层依次叠覆在所述彩膜基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英明，董学，王海生，丁小梁，杨盛际，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11