DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及一种DRAM控制方法以及系统。该方法包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。通过使得DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时保持剩余的存储器组在正常操作状态，本发明专利技术的方法能够更好地节约电能。

【技术实现步骤摘要】
DRAM控制方法和系统以及计算机节电控制方法和系统
本专利技术总体涉及半导体技术，包括半导体动态随机存取存储器(DRAM)器件。更具体地，本专利技术涉及DRAM控制方法和系统，以及计算机节电控制方法和系统。
技术介绍
随着计算机和移动设备技术的发展，节电已成为越来越重要的特性。 目前，包括移动设备的计算机设备具有三种常见的节电状态。第一种节电状态通常被称为“挂起”状态。在这种状态中，计算机设备的显示器自动断电，但主机仍然通电，后台任务仍然在后台继续运行。在这种状态中，当对该计算机设备作出触动时(例如敲任意键)，该计算机设备事实上能够立即回到正常工作状态。 第二种节电状态是S3状态，其通常被称为“挂起到RAM (随机存取存储器)状态”。在这种状态中，该计算机设备将当前的信息存储在RAM中，并且所有的风扇、硬盘驱动器以及其它部件断电并进入休眠状态。在这种状态中，该计算机设备处于高度节电状态，但是当给予该计算机触动(例如敲任意键)后，该计算机会从RAM中读取信息并快速回到正常工作状态。 第三种状态是S4状态，通常被称为“休眠”或者“挂起到DISK (硬盘)”状态。在这种状态中，主存储器(例如RAM)中的所有内容被保存到非易失性存储器(例如硬盘)中，并且主存储器(例如RAM)断电。当给予该计算机一激发时，例如按下开关键预定的时间，该计算机设备会从该非易失性存储器读取数据并回到正常工作状态，而无须重新启动操作系统。 许多计算机设备，包括移动设备，使用动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM是随机存取存储器(RAM)中的一种类型，其将每个字节的数据保存在集成电路或芯片中的独立的电容中。在使用DRAM的计算机或者移动设备中，DRAM的控制在该计算机或移动设备的节电方面能起到重要的作用。 与上述的三种节电状态相对应，DRAM具有三种操作状态。对此，在DRAM芯片中具有结构为由多行和多列(类似电子制表程序例如微软Excel中的工作表)形成的存储器组(memory bank)。第一种DRAM操作状态如图1所示，其对应于上面描述的“挂起”状态。在该第一种DRAM操作状态中，该DRAM的所有的存储器组(例如图1中所示的存储器组O-存储器组3)都处于正常操作状态(即，被读和/或写的状态)并保持数据。相应地，在该第一种操作状态中，该DRAM的能耗是很高的。 第二种DRAM操作状态如图2所示，其对应于上面描述的S3状态，S卩“挂起到RAM”状态。该第二种DRAM操作状态是自刷新状态，其中，保存在该DRAM中的数据通过周期性的存储器刷新(即，周期性地从计算机存储器的一区域读取信息并且立即将该读取的信息不作任何改变重写到相同的区域以维持该信息)来保持。在这种状态中，没有存储器组(例如，图2中的存储器组O-存储器组3)是处于正常操作状态的，这些存储器组都处于自刷新状态。因而，在该第二种操作状态的DRAM的能耗是很低的。 第三种DRAM状态与上面描述的S4状态，S卩“挂起到DISK”状态相对应。在这种状态中，DRAM处于断电状态，即不工作状态，此时该DRAM中不保存数据。
技术实现思路
现有技术中的对DRAM的控制的缺陷在于，在正常操作状态中(即，上述第一种DRAM操作状态)，不管该DRAM是高负载还是低负载，该DRAM的所有存储器组都是处于正常操作状态，这在DRAM处于低负载而无须所有的存储器组都处于正常操作状态时不利于节约电能。 为了克服现有技术中对DRAM的控制的缺陷，本专利技术提供了一种具有更好的节电性能的DRAM控制方法。 在第一方面，提供了一种DRAM控制方法。该DRAM控制方法包括如下步骤:当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。 在进一步的实施例中，所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤:根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。 在第二方面，提供了一种DRAM控制系统，该系统包括:装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。在进一步的实施例中，所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置包括:装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态；装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。 在第三方面，提供了一种计算机节电控制方法，该方法包括如下步骤:当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。 在第四方面，提供了一种计算机节电控制系统，该系统包括:装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态。 通过提供上述方法和系统，本专利技术能克服现有技术中的上述缺陷。 【附图说明】 附图以示例的方式图示了本专利技术，其并不构成对本专利技术的限制。在附图中相同的数字表示相同的部件，其中: 图1为现有技术中DRAM的正常操作状态的示意图； 图2为现有技术中DRAM的自刷新状态的示意图； 图3为根据本专利技术的一个示例性实施例的DRAM控制方法的流程图； 图4为图3中的框302中的步骤的流程图； 图5为根据本专利技术的一个示例性实施例的DRAM的部分存储器组自刷新状态的示意图； 图6为根据本专利技术的另一个实施例的计算机节电控制方法的流程图； 图7为根据本专利技术的另一个实施例的计算机节电控制方法的流程图；以及 图8显示了本专利技术的方法和系统的节电效果的柱形图。 【具体实施方式】 下面将参照附图中所示的一些实施例具体描述本专利技术。在下文的描述中，描述了一些具体的细节以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种DRAM控制方法，包括如下步骤：当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值，如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤，如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种DRAM控制方法，包括如下步骤: 当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值， 如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤， 如果该DRAM的工作负载大于该预定的工作负载阈值，则继续将该DRAM保持在正常操作状态并重新执行所述判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值的步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持正常操作状态的步骤包括如下步骤: 根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及 使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。3.根据权利要求1或2所述的方法，还包括执行如下步骤: 在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRA M的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 如果该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值，则使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。4.一种DRAM控制系统，包括: 装置，用于当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值；以及 装置，用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。5.根据权利要求4所述的系统，其中所述用于使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态的装置包括: 装置，用于根据该DRAM中的现行的任务判断该DRAM的哪些存储器组需保持在正常操作状态以及哪些存储器组需进入自刷新状态； 装置，用于重新组织该DRAM的数据区并释放该DRAM的一部分存储器组；以及装置，用于使该释放的存储器组进入自刷新状态、同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态。6.根据权利要求4或5所述的系统，还包括: 装置，用于在使该DRAM的一部分存储器组进入自刷新状态同时使剩余的存储器组保持在正常操作状态之后，判断该DRAM的工作负载是否变得大于该预定的工作负载阈值；以及 装置，用于当该DRAM的工作负载变得大于该预定的工作负载阈值时使该DRAM的所有存储器组都进入正常操作状态。7.—种计算机节电控制方法,包括如下步骤: 当该DRAM处于正常操作状态时，判断该DRAM的工作负载是否小于或者等于预定的工作负载阈值， 如果该DRAM的工作负载小于或等于该预定的工作负载阈值，那么执行使该DRAM的一部分存储器组进入自刷...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗仕材，
申请(专利权)人：超威半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31