一种射频开关组件制造技术

本发明专利技术公开了一种射频开关组件，所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55)；所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4。本发明专利技术通过在NMOS管两端并联电感的方法消除NMOS管产生的寄生电容的影响，有效提高了隔离度，同时本发明专利技术的电路结构简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种射频开关组件
本专利技术涉及开关组件
，更具体涉及一种射频开关组件。
技术介绍
收发开关组件广泛应用于民用、军用及特殊领域中，它是无线通信中必不可少的关键部件；目前主要实现方式还是以分立元件的形式实现，这就造成了收发组件体积大、功耗大、使用不方便等不利因素。 传统的收发开关一般采用PIN管串/并联结构，其实现原理图如图1所示，其工作原理为PIN1、PIN2为串联发支路的开关，PIN5、PIN6为并联到地发支路的开关；PIN3、PIN4为串联收支路的开关，PIN7、PIN8为并联到地收支路的开关；当信号发射时ΡΙΝΙ、PIN2导通，PIN5.PIN6截止，同时收支路中PIN3、PIN4截止，PIN7.PIN8导通将泄露信号导通到地，从而可以提高射频开关的隔离度。结合图1的电路结构可以看出，传统的收发开关电路采用PIN管实现，其开关隔离度主要由PIN管的截止时的电路参数决定，一般在20dBc，隔离度不高。其次这种电路实现结构复杂，且电路工作还需要较复杂的驱动电路，这就造成收发开关组件体积大、功耗大，不能与其它功能模块集成。
技术实现思路
(一 )要解决的技术问题 本专利技术要解决的技术问题是如何提高开关组件的隔离度，同时简化电路结构。 ( 二 )技术方案 为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种射频开关组件，所述一种射频开关组件包括发射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55 ;所述通道11包括NMOS管Ml以及电感LI ;所述接收通道22包括NMOS管M3以及电感L3 ;所述接地通道44包括NMOS管M2以及电感L2 ;所述接地通道55包括NMOS管M4以及电感L4 ； 所述NMOS管Ml的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管Ml的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vctl连接；所述NMOS管Ml的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端33连接；所述公共端33连接天线；所述电感LI并联在所述NMOS管Ml的两端；所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接；所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接；所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端；所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地；所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端；所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。 优选地，所述控制电压Vct2与控制电压Vctl相位相反。 优选地，所述电感L1、L2、L3、L4均为蛇形电感。 (三)有益效果 本专利技术提供了一种射频开关组件，通过在NMOS管上并联电感，使电感与NMOS射频开关的等效寄生电容形成并联谐振，从而大大提闻了射频链路之间的隔尚度，另外，该电路结构简单，功耗小、电路集成度高。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为传统的收发开关的电路结构示意图； 图2为本专利技术的一种射频开关组件的电路结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的范围。 图2为本专利技术的一种射频开关组件的电路结构示意图；所述一种射频开关组件包括发射通道11、接收通道22、接地通道44以及接地通道55 ;所述通道11包括NMOS管Ml以及电感LI ;所述接收通道22包括NMOS管M3以及电感L3 ;所述接地通道44包括NMOS管M2以及电感L2 ;所述接地通道55包括NMOS管M4以及电感L4。 所述NMOS管Ml的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管Ml的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vctl连接；所述NMOS管Ml的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端33连接；所述公共端33连接天线；所述电感LI并联在所述NMOS管Ml的两端；所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接；所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接；所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端；所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地；所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端；所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。所述控制电压Vct2与控制电压Vctl相位相反。图2中电阻R均为导线电阻。 工作原理:控制电压Vctl控制晶体管Ml和M4关闭和导通，Vct2控制晶体管M3和M2关闭和导通，从而实现射频信号的路径的不同选择。当控制电压为Vctl为高电平时，控制电压Vct2为低电平，Ml和M4处于导通状态，M3和M2处于截止状态，在理想情况下射频信号通过发射通道11到达公共点33发射出去，但由于电路工艺的实现缺陷及在高频工作情况下电路的寄生电容的影响，导致电路中部分射频信号会在各个通道中彼此泄露从而造成隔离度不高的问题，此时通过在匪OS管并联电感的方法，使高频下NMOS管产生的寄生电容与并联电感发生谐振，谐振阻抗远远大于寄生电容本身的阻抗，抵消寄生电容的影响，提高高频下的隔离度；同时通过M4使泄露到接地通道55中的射频信号导通到地，这样接收端的射频信号就会很小，提高了接收通道和发射通道的隔离度。 当控制电压为Vctl为低电平时，控制电压Vct2为高电平，Ml和M4处于截止状态，M3和M2处于导通状态，射频信号通过公共端33发射到接收通道22，通过并联在NMOS管两端的电感抵消寄生电容的影响，同时泄露到接地通道44中的射频信号通过M2导通到地，这样发射端的射频信号就会很小，从而提高了接收通道和发射通道的隔离度。 所述电感L1、L2、L3、L4均采用蛇形电感，使高频下NMOS管产生的寄生电容与并联电感发生谐振，谐振阻抗远远大于寄生电容本身的阻抗，抵消寄生电容的影响。设工作频率为f0 = 1320MHz下的寄生电容为Ct,则谐振在1320MHz下的电感值为L = Ct/(1320*2 π)2。本专利技术的一种射频开关组件实现简单、效果改善明显，不仅大大提高了收发隔离度，还对通道的差损有很大改善。 以上实施方式仅用于说明本专利技术，而非对本专利技术的限制。尽管参照实施例对本专利技术进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，对本专利技术的技术方案进行各种组合、修改或者等同替换，都不脱离本专利技术技术方案的精神和范围，均应涵盖在本专利技术的权利要求范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频开关组件，其特征在于，所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55)；所述通道(11)包括NMOS管M1以及电感L1；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3；所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2；所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4；所述NMOS管M1的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管M1的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vct1连接；所述NMOS管M1的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端(33)连接；所述公共端(33)连接天线；所述电感L1并联在所述NMOS管M1的两端；所述NMOS管M3的栅极以及所述NMOS管M2的栅极均与所述控制电压Vct2连接；所述NMOS管M3的漏极以及所述NMOS管M4的漏极均与接收端连接；所述电感L3并联在所述NMOS管M3的两端；所述NMOS管M4的源极以及所述NMOS管M2的源极均接地；所述电感L2并联在所述NMOS管M2的两端；所述电感L4并联在所述NMOS管M4的两端。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关组件，其特征在于，所述一种射频开关组件包括发射通道(11)、接收通道(22)、接地通道(44)以及接地通道(55);所述通道(11)包括NMOS管Ml以及电感LI ；所述接收通道(22)包括NMOS管M3以及电感L3 ;所述接地通道(44)包括NMOS管M2以及电感L2 ;所述接地通道(55)包括NMOS管M4以及电感L4 ； 所述NMOS管Ml的漏极以及所述NMOS管M2的漏极均与发射端连接，所述NMOS管Ml的栅极以及所述NMOS管M4的栅极均与控制电压Vctl连接；所述NMOS管Ml的源极以及所述NMOS管M3的源极均与公共端(33)连接；所述公共端(33)连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓刚，张继英，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11