SRAM存储卡以及电压监视电路制造技术

SRAM存储卡具备：监视部，其经由接点而对电池所产生的电源电压进行监视，在所述接点的电位比阈值低的情况下，将警报信号设定为ON值，在所述接点的电位大于或等于所述閾值的情况下，将所述警报信号设定为OFF值，并经由接口部而将所述警报信号输出至装置；检测部，其经由所述接口部而对所述装置的所述电源的接通/断开状态进行检测；以及放电电路，其根据由所述检测部所检测的所述装置的所述电源的接通/断开状态而对电容元件的第1电极所积蓄的电荷进行放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SRAM存储卡以及电压监视电路
本专利技术涉及SRAM存储卡以及电压监视电路。
技术介绍
由电池后备支持(backup)的SRAM(StaticRandomAccessMemory)存储卡可拆卸地安装于PLC(ProgrammableLogicController)等装置。如果SRAM存储卡在安装于装置时从装置接收数据，则将接收的数据作为备份用而保持。在该SRAM存储卡中，如果电池的电压比某电平低，则SRAM等的电路就无法保持数据，存在数据消失的可能性。为了防止上述情况发生，由电池后备支持的SRAM存储卡形成为，如果由电池电压检测电路检测出电池电压的下降，则将ON值的警报信号输出至装置，从装置侧进行提示用户更换电池的告知。如果该SRAM存储卡振动，则有时会瞬间地产生电池接触不良，电池电压检测电路错误地检测出电池电压的下降，误输出ON值的警报信号。为了防止该瞬间性的警报信号的误输出，在由电池后备支持的SRAM存储卡中，与电池并联地设置防振电路，在发生振颤(chattering)时，防振电路代替电池而将电压供给至SRAM等的电路。另一方面，在专利文献1中记载有如下技术，即，在防振电路中，如果在外部开关接通时，对电容器的电压和电阻所分压的电压进行比较的比较器的输出反转，则基极与比较器的输出连接的NPN晶体管接通，通过电流反射镜将其发射极电流供给至与电容器的两端连接的NPN晶体管的基极。由此，根据专利文献1，由于快速地将电容器放电，因此能够防止在电容器的阈值附近发生振颤。在专利文献2中记载有如下技术，即，在除振电路中，如果在对开关进行接通操作后，具有迟滞特性的逆变器的输入节点的电位从高电位下降至作为中间电位的第2电平，则逆变器的输出从低电位反转为高电位，晶体管进行接通动作，将与逆变器的输入节点连接的电容器快速放电，其中，该晶体管的基极与逆变器的输出侧连接，集电极与逆变器的输入节点连接，发射极与接地电位连接。另外，如果在对开关进行断开操作后，逆变器的输入节点的电位从低电位上升至作为中间电位的第1电平，则逆变器的输出从高电位反转为低电位，晶体管进行接通动作，将与逆变器的输入节点连接的电容器快速充电，其中，该晶体管的基极与逆变器的输出侧连接，集电极与逆变器的输入节点连接，发射极与电源电位连接。由此，根据专利文献2，由于将电容器快速充电/放电，因此，即使在振颤现象长时间持续的情况下，也不会使电容器成为满充电，能够可靠地去除振颤信号。在专利文献3中记载有如下技术，即，在小型电子设备的电源电路中，将电池脱落信号、接通/断开信号以及电压检测器的输出信号的逻辑积输入至晶体管的基极，其中，该电池脱落信号是如果电池从电源安装部脱落则变为“H”电平的信号，该接通/断开信号是与电源开关的接通状态对应而变为“H”电平的信号，该电压检测器的输出信号是在Vcc端子的电压供给电平达到CPU的可动作电压的状态下变为“H”电平的信号，该晶体管的集电极与Vcc端子连接，发射极与GND端子连接。由此，根据专利文献3，在电池从电源安装部脱落的情况下，由于设备电路内的电容器中的积蓄电荷从Vcc端子向GND端子进行放电，因此，不会由于电容器的积蓄电荷而使得CPU误动作，能够事先预防存储器损坏等问题的发生。专利文献1：日本特开平4–145715号公报专利文献2：日本实开平5–46122号公报专利文献3：日本实开平4–86052号公报
技术实现思路
专利文献1及专利文献2所记载的技术，不存在与电池相关的任何记载，不存在与电池的安装状态的误检测相关的任何记载，也不存在与如何降低电池的消耗电力相关的任何记载。即使假设专利文献1所记载的恒电流源及专利文献2所记载的直流电源是电池，但在专利文献1及专利文献2所记载的技术中，以始终进行电容器的充电/放电为前提，难于抑制来自电容器的每单位时间的放电量，难于降低电池的消耗电力。另外，对于专利文献3所记载的技术，由于以能够正确地检测出电池是否安装在电源安装部为前提，因此不存在与电池的安装状态的误检测相关的任何记载。另外，对于专利文献3所记载的技术，由于是与减少当电池从电源安装部脱落时的CPU的误动作相关的技术，因此几乎不存在关于电池被安装后的状态的记载，由此，也不存在与如何降低电池的消耗电力相关的任何记载。本专利技术就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于获得一种SRAM存储卡以及电压监视电路，能够减少对电池未安装时的电池的安装状态的误检测，能够降低电池安装时的电池的消耗电力。为了解决上述课题、实现目的，本专利技术的1个侧面涉及的SRAM存储卡，其可拆卸地安装于包括电源的装置上，其特征在于，具有：接口部，其在所述SRAM存储卡安装于所述装置的状态下，所述装置的所述电源接通的情况下，从所述装置接收至少电源电压；保持关联电路，其接收电源电压的供给，并进行用于保持数据的动作；接点，其用于将产生电源电压的电池电气连接在所述保持关联电路上；切换部，其以如下方式进行切换，即，在所述装置的所述电源为接通状态的情况下，将所述接口部从所述装置接收到的电源电压供给至所述保持关联电路，在所述装置的所述电源为断开状态的情况下，经由所述接点将所述电池所产生的电源电压供给至所述保持关联电路；防振电路，其包括电容元件，该电容元件具有与所述接点电气连接的第1电极以及与基准电位电气连接的第2电极；监视部，其经由所述接点对所述电池所产生的电源电压进行监视，在所述接点的电位比阈值低的情况下将警报信号设定为ON值，在所述接点的电位大于或等于所述阈值的情况下将所述警报信号设定为OFF值，经由所述接口部而向所述装置输出所述警报信号；检测部，其经由所述接口部而对所述装置的所述电源的接通/断开状态进行检测；以及放电电路，其根据由所述检测部所检测的所述装置的所述电源的接通/断开状态，对所述电容元件的所述第1电极所积蓄的电荷进行放电。专利技术的效果根据本专利技术，能够在电池未安装时的可能发生电池安装状态的误检测的情况下，进行基于放电电路的放电，在电池未安装时的不会发生电池安装状态的误检测的情况下，不进行基于放电电路的放电。其结果，能够减少电池未安装时的电池的安装状态的误检测，能够降低电池安装时的电池的消耗电力。附图说明图1是表示实施方式所涉及的SRAM存储卡的结构的图。图2是表示实施方式的变形例所涉及的SRAM存储卡的结构的图。具体实施方式下面，基于附图对本专利技术所涉及的SRAM存储卡的实施方式进行详细说明。此外，本专利技术并不限定于该实施方式。实施方式.如图1所示，由电池20后备支持的SRAM(StaticRandomAccessMemory)存储卡1可拆卸地安装于装置AP。装置AP是包括电源PS的装置，例如是PLC(ProgrammableLogicController)等。SRAM存储卡1在安装于装置AP时，由接口部10对从装置AP输入的控制信号、数据的地址、数据进行接收。读写控制部90在控制信号中包括写入命令的情况下，将由接口部10接收的数据向保持关联电路40传送并写入至保持关联电路40。保持关联电路40接收电源电压的供给并进行用于保持数据的动作。保持关联电路40包括SRAM存储器阵列及其外围电路(IC等)等。例如，读写控制部90按照写入命令，将数据写入与数据的地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM存储卡，其可拆卸地安装于包括电源的装置上，其特征在于，具有：接口部，其在所述SRAM存储卡安装于所述装置的状态下，所述装置的所述电源接通的情况下，从所述装置接收至少电源电压；保持关联电路，其接收电源电压的供给，并进行用于保持数据的动作；接点，其用于将产生电源电压的电池电气连接在所述保持关联电路上；切换部，其以如下方式进行切换，即，在所述装置的所述电源为接通状态的情况下，将所述接口部从所述装置接收到的电源电压供给至所述保持关联电路，在所述装置的所述电源为断开状态的情况下，经由所述接点将所述电池所产生的电源电压供给至所述保持关联电路；防振电路，其包括电容元件，该电容元件具有与所述接点电气连接的第1电极以及与基准电位电气连接的第2电极；监视部，其经由所述接点对所述电池所产生的电源电压进行监视，在所述接点的电位比阈值低的情况下将警报信号设定为ON值，在所述接点的电位大于或等于所述阈值的情况下将所述警报信号设定为OFF值，经由所述接口部而向所述装置输出所述警报信号；检测部，其经由所述接口部而对所述装置的所述电源的接通/断开状态进行检测；以及放电电路，其根据由所述检测部所检测的所述装置的所述电源的接通/断开状态，对所述电容元件的所述第1电极所积蓄的电荷进行放电。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SRAM存储卡，其可拆卸地安装于包括电源的装置上，其特征在于，具有：接口部，其在所述SRAM存储卡安装于所述装置的状态下，所述装置的所述电源接通的情况下，从所述装置接收至少电源电压；保持关联电路，其接收电源电压的供给，并进行用于保持数据的动作；接点，其用于将产生电源电压的电池电气连接在所述保持关联电路上；切换部，其以如下方式进行切换，即，在所述装置的所述电源为接通状态的情况下，将所述接口部从所述装置接收到的电源电压供给至所述保持关联电路，在所述装置的所述电源为断开状态的情况下，经由所述接点将所述电池所产生的电源电压供给至所述保持关联电路；防振电路，其包括电容元件，该电容元件具有与所述接点电气连接的第1电极以及与基准电位电气连接的第2电极；监视部，其经由所述接点对所述电池所产生的电源电压进行监视，在所述接点的电位比阈值低的情况下将警报信号设定为ON值，在所述接点的电位大于或等于所述阈值的情况下将所述警报信号设定为OFF值，经由所述接口部而向所述装置输出所述警报信号；检测部，其经由所述接口部而对所述装置的所述电源的接通/断开状态进行检测；以及放电电路，其根据由所述检测部所检测的所述装置的所述电源的接通/断开状态，对所述电容元件的所述第1电极所积蓄的电荷进行放电。2.根据权利要求1所述的SRAM存储卡，其特征在于，所述放电电路在所述装置的所述电源为接通状态的情况下，对所述电容元件的所述第1电极所积蓄的电荷进行放电，在所述装置的所述电源为断开状态的情况下，不对所述电容元件的所述第1电极所积蓄的电荷进行放电。3.根据权利要求1所述的SRAM存储卡，其特征在于，所述放电电路具有：一端，其与所述电容元件的所述第1电极电气连接；另一端，其与所述基准电位电气连接；以及开关，其将所述一端及所述另一端电气连接。4.根据权利要求3所述的SRAM存储卡，其特征在于，所述开关在所述装置的所述电源为接通状态的情况下，将所述放电电路的所述一端及所述另一端电气连接，在...

【专利技术属性】
技术研发人员：户本千明，宇治雅晴，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP