恒流电源的自适应调整电路、方法及芯片技术

本发明专利技术适用于电源控制领域，提供了一种恒流电源的自适应调整电路、方法及芯片。本发明专利技术实施例通过采用包括电流校准模块、数字负载调整模块以及一个或多个电流检测模块的恒流电源的自适应调整电路，实现了对恒流电源电路进行电流检测并相应地输出一个或多个判断电平信号，然后可由电流校准模块根据一个或多个判断电平信号校准恒流电源的输出电流，且数字负载自动调整模块还可以根据一个或多个判断电平信号判断恒流电源的输出电流是否达到匹配电流值，并根据判断结果调整数字负载的工作频率以达到数字负载的工作频率与恒流电源的输出电流相匹配的目的，同时还降低了电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
恒流电源的自适应调整电路、方法及芯片
本专利技术属于电源控制领域，尤其涉及恒流电源的自适应调整电路、方法及芯片。
技术介绍
目前，恒流电源（S卩shunt电源)普遍作为电源而应用于芯片内部。对于shunt电源 的供电模式，主要是采用恒定电流供电，这样可以屏蔽芯片工作时所产生的功耗波动，进而 减少干扰，同时还可防止攻击者对芯片做功耗分析，减少遭受安全攻击的风险，因此，shunt 电源被广泛应用于非接触卡类芯片和安全类芯片中。 然而，由于shunt电源是采用外部电源的恒定电流进行供电的，且其内部是通过 旁路电流方式进行电压调节，所以其必然存在功耗的浪费。那么，为了减少功耗浪费，则需 要匹配芯片功耗和恒流配置；另外，由于芯片工艺偏差的影响，一般还需要较为细致的电流 校准才能实现匹配，且在温度不同的情况下，数字负载也会相应地发生变化，这就需要精度 较高的检测机制才能相应地实现精准的匹配。因此，现有技术存在难以对恒流电源进行电 流检测并输出相应的检测结果以实现自动调节数字负载以匹配电流配置，在芯片测试过程 中校准电流配置，且根据芯片的工作状态对电流配置进行动态调本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种恒流电源的自适应调整电路，与恒流电源连接，其特征在于，所述自适应调整电路包括电流校准模块和数字负载调整模块，所述电流校准模块连接所述恒流电源，所述数字负载调整模块与数字负载及所述恒流电源相连接，所述数字负载连接所述恒流电源；所述自适应调整电路还包括一个或多个电流检测模块，所述一个或多个电流检测模块与所述电流校准模块及所述数字负载调整模块连接；所述一个或多个电流检测模块对所述恒流电源中的冗余电流进行检测并相应地输出一个或多个判断电平信号至所述电流校准模块和所述数字负载自动调整模块；当需要对恒流电源进行测试校准时，所述电流校准模块根据所述一个或多个判断电平信号校准所述恒流电源的输出电流；当所述...

【技术特征摘要】
1. 一种恒流电源的自适应调整电路，与恒流电源连接，其特征在于，所述自适应调整电 路包括电流校准模块和数字负载调整模块，所述电流校准模块连接所述恒流电源，所述数 字负载调整模块与数字负载及所述恒流电源相连接，所述数字负载连接所述恒流电源； 所述自适应调整电路还包括一个或多个电流检测模块，所述一个或多个电流检测模块 与所述电流校准模块及所述数字负载调整模块连接； 所述一个或多个电流检测模块对所述恒流电源中的冗余电流进行检测并相应地输出 一个或多个判断电平信号至所述电流校准模块和所述数字负载自动调整模块； 当需要对恒流电源进行测试校准时，所述电流校准模块根据所述一个或多个判断电平 信号校准所述恒流电源的输出电流； 当所述恒流电源对所述数字负载供电时，所述数字负载通过所述数字负载调整模块预 先设置所述恒流电源的输出电流，再根据所述一个或多个判断电平信号调整所述数字负载 的工作频率。2. 如权利要求1所述的自适应调整电路，其特征在于，所述电流检测模块包括第一 PMOS管PM3、第一 NMOS管NMO、第一反相器INV1、第二反相器INV2以及第二NMOS管NM1 ; 所述第一 PMOS管PM3的栅极和源极分别连接所述恒流电源中的PMOS管PM2的栅极和 所述恒流电源的输出端，所述第一 PMOS管PM3的漏极与所述第二NMOS管匪1的漏极共接于 所述第一反相器INV1的输入端，所述第一反相器INV1的输出端连接所述第二反相器INV2 的输入端，所述第二反相器INV2的输出端同时连接所述数字负载调整模块和所述漏电流 判断模块，所述第一 NMOS管NM0的栅极与漏极共接于基准电流源，所述第一 NMOS管NM0的 源极接地，所述第二NMOS管NM1的栅极连接所述第一 NMOS管NM0的栅极，所述第二NMOS 管匪1的源极接地。3. 如权利要求1所述的自适应调整电路，其特征在于，电流检测模块包括第一 PMOS管 PM3、第一 NMOS管NM0、第一反相器INV1、第二反相器INV2以及多个NMOS管； 所述第一 PMOS管PM3的栅极和源极分别连接所述恒流电源中的PMOS管PM2的栅极 和所述恒流电源的输出端，所述第一 PMOS管PM3的漏极接所述第一反相器INV1的输入端， 所述第一反相器INV1的输出端连接所述第二反相器INV2的输入端，所述第二反相器INV2 的输出端同时连接所述数字负载调整模块和所述漏电流判断模块，所述第一 NMOS管NM0的 栅极与漏极共接于基准电流源，所述第一 NMOS管NM0的源极接地，所述多个NMOS管中与所 述第一 PMOS管PM3连接的NMOS管NM1的漏极连接所述第一 PMOS管PM3的漏极，所述多个 NMOS管中所有NMOS管的栅极共接于所述第一 NMOS管NM0的栅极，所述多个NMOS管中从所 述NMOS管NM1开始以所述NMOS管NM1的源极连接所述多个NMOS管中的NMOS管NM2的漏 极的形式依次连接，所述多个NMOS管中所有NMOS管的衬底与所述多个NMOS管中的NMOS 管NMn的源极共接于地。4. 如权利要求1所述的自适应调整电路，其特征在于，电流检测模块包括第一 PMOS管 PM3、第一 NMOS管NM0、第一反相器INV1、第二反相器INV2以及多个NMOS管； 所述第一 PMOS管PM3的栅极和源极分别连接所述恒流电源中的PMOS管PM2的栅极和 所述恒流电源的输出端，所述第一 PMOS管PM3的漏极接所述第一反相器INV1的输入端，所 述第一反相器INV1的输出端连接所述第二反相器INV2的输入端，所述第二反相器INV2的 输出端同时连接所述数字负载调整模块和所述漏电流判断模块，所述第一 NMOS管NM0的栅 极与漏极共接于基准电流源，所述第一 NMOS管NMO的源极接地，所述多个NMOS管中的所有 NM0S管的漏极和源极分别连接所述第一 PM0S管PM3的漏极和地，所述多个NM0S管中的所 有NMOS管的栅极共接于基准电流源。5. 如权利要求1所述的自适应调整电路，其特征在于，所述电流检测模块包括第二 NMOS管Q1、第二PM0S管P0、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3以及第三 PM0S 管 P1 ; 所述第二NMOS管Q1的栅极连接所述恒流电源中的NMOS管匪的栅极，所述第二NMOS 管...

【专利技术属性】
技术研发人员：石道林，李鸿雁，
申请(专利权)人：国民技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44