【技术实现步骤摘要】
本技术涉及刻写光纤光栅的
,特别涉及一种正交错位光纤光栅的刻写装置,采用掩模板法单面曝光刻写的正交错位光纤光栅。
技术介绍
涡旋光束的特性在于在光束横截面上相位具有空间非均匀分布,光束携带了一定的轨道角动量分布,其中心点位相具有奇异性。此光束在高数值孔径透镜聚焦下能产生特殊的场分布,在量子通信和微结构操控等领域有广泛应用。采用单面曝光技术将光纤刻写成正交错位型光栅,从而在光纤中激发出涡旋光束。随着光纤通信和光纤传感技术的快速发展,人们对全光纤型光波调制器件的功能及性能提出了更高要求,手征光纤光栅因其具有圆偏振选择特性而备受关注,采用单面曝光技术将光纤刻写成长周期正交错位型光栅,从而实现对光束的偏振控制。目前国内外报道涡旋光束的产生大都在自由空间中产生,即使利用特殊结构的光纤产生的涡旋光束,其特殊结构的制作对机械加工要求也较高,在一般情况下也难以实现,本刻写装置结构简单。并且刻写好后的光栅可以根据输入光的形式,有多种实现涡旋光的输出,灵活方便。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
一种正交错位光纤光栅的刻写装置,其特征在于:包括:紫外光源(101)、第一准直聚焦透镜(102)、第二准直聚焦透镜(108)、第一掩模板(103)、第二掩模板(109)、分光镜(102)、平面镜组、电机控制系统,其中平面镜组包括第一平面反射镜(106)、第二平面反射镜(107)和第三平面镜(114),电机控制系统包括旋转电机(110)跟前进电机(111);紫外光源(101)产生的紫外光,经过分光镜(102)分为两束,一束直接通过第一准直聚焦透镜(103)后,后照射到掩模板(104)上,形成衍射能够产生±1级衍射,衍射光形成的干涉光对被刻写的光纤(105)进行曝光,另一束光经 ...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种正交错位光纤光栅的刻写装置,其特征在于:包括:紫外光源(101)、第一准
直聚焦透镜(102)、第二准直聚焦透镜(108)、第一掩模板(103)、第二掩模板(109)、
分光镜(102)、平面镜组、电机控制系统,其中平面镜组包括第一平面反射镜(106)、第二
平面反射镜(107)和第三平面镜(114),电机控制系统包括旋转电机(110)跟前进电机(111);
紫外光源(101)产生的紫外光,经过分光镜(102)分为两束,一束直接通过第一准直
聚焦透镜(103)后,后照射到掩模板(104)上,形成衍射能够产生±1级衍射,衍射光
形成的干涉光对被刻写的光纤(105)进行曝光,另一束光经过平面镜组后经第二准直聚焦
透镜(108)垂直照射到第二掩模板(109)上,后对光纤(105)在另一位置处进行曝光。
2.根据权利要求1所述的一种正交错位光纤光栅的刻写装置,其特征在于:紫外光源
(101)为氩离子激光器或准分子激光器。
技术研发人员:张晓强,王安廷,许立新,顾春,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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