本实用新型专利技术公开的T字型三电平拓扑结构，在四个开关管均处于关断的状态，电网电压加到结电容不同的第二开关管和第三开关管上时，所述第二开关管和第三开关管两者中结电容较大的开关管的结电容，不仅可以通过另一个结电容较小的开关管的结电容进行放电，还可以通过与所述结电容较小的开关管并联的放电模块进行放电，使得所述结电容较小的开关管两端的电压不至于超过允许值，解决了现有技术中因结电容较小的开关管可能承受超过其允许值的电压而造成的系统稳定性降低的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开的T字型三电平拓扑结构，在四个开关管均处于关断的状态，电网电压加到结电容不同的第二开关管和第三开关管上时，所述第二开关管和第三开关管两者中结电容较大的开关管的结电容，不仅可以通过另一个结电容较小的开关管的结电容进行放电，还可以通过与所述结电容较小的开关管并联的放电模块进行放电，使得所述结电容较小的开关管两端的电压不至于超过允许值，解决了现有技术中因结电容较小的开关管可能承受超过其允许值的电压而造成的系统稳定性降低的问题。【专利说明】一种T字型三电平拓扑结构及逆变器
本技术涉及电压转换
，尤其涉及一种T字型三电平拓扑结构及逆变器。
技术介绍
现有的逆变器中的T字型三电平拓扑结构如图1所示，当四个半导体开关管Tl、T2、T3及T4均处于关断状态时，电网电压Ve通过两个电感LI和L2加到a点与η点之间。 在实际情况中，如图2所示，半导体开关管Τ2的结电容C2与半导体开关管Τ3的结电容C3必然会存在偏差，假设结电容C2的容量大于C3，η点电压为0，在电网电压Ve负半周的下降沿时，二极管D2截止，D3导通，结电容C2处于充电状态，b点电压小于零，并逐渐减小，最大会嵌位到负半周的最低点，由于结电容C2的容量大于C3，串联电路中流过结电容C2与C3的电量相同，结电容C3上的电压变化就大于C2上的电压变化，b点电位被充电到谷底后，通过结电容C3充电，结电容C3正电压变化到峰值后，不足以使b点电位回到正电位，b点一直处于负电平状态，这样就会出现ab两点压降大于an两点压降，半导体开关管T3管出现过压现象。假设极限情况下，即结电容C3的量为零时，C2没有了放电回路，b点电平会一直停在电网电压的谷底，半导体开关管T2压降为负的电网峰值电压，T3两端的电压就为正偏置的正弦波。 在230V电网中，半导体开关管T3两端电压值会达到650V(电网峰峰值)，277V电网中，这个值会达到783V(电网峰峰值)。230V电网系统中，极限条件下不容易出现，而在277V的电网系统中，半导体开关管T2与T3现有拓扑结构再用600V耐压管就不合适了。尤其当机器运行一段时间后，半导体开关管T2与T3的结电容容量的偏差会很大，降低了系统的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种T字型三电平拓扑结构及逆变器，以解决现有技术中可靠性低的问题。 为了实现上述目的，现提出的方案如下: —种T字型三电平拓扑结构,包括: 输入端接收正母线电平的第一开关管； 输入端接收两电容串联接点电平的第二开关管； 输出端与所述第二开关管输出端相连的第三开关管；所述第三开关管的输入端与所述第一开关管的输出端相连； 输入端与所述第一开关管的输出端相连的第四开关管； 与所述第二开关管并联的第一放电模块； 与所述第三开关管并联的第二放电模块。 优选的，所述第一放电模块包括第一电阻；所述第二放电模块包括第二电阻。 优选的，所述第一电阻及第二电阻的阻值为兆欧级。 一种逆变器，包括T字型三电平拓扑结构，所述T字型三电平拓扑结构包括: 输入端接收正母线电平的第一开关管； 输入端接收两电容串联接点电平的第二开关管； 输出端与所述第二开关管输出端相连的第三开关管；所述第三开关管的输入端与所述第一开关管的输出端相连； 输入端与所述第一开关管的输出端相连的第四开关管； 与所述第二开关管并联的第一放电模块； 与所述第三开关管并联的第二放电模块。 优选的，所述第一放电模块包括第一电阻；所述第二放电模块包括第二电阻。 优选的，所述第一电阻及第二电阻的阻值为兆欧级。 从上述的技术方案可以看出，本技术公开的T字型三电平拓扑结构，在四个开关管均处于关断的状态，电网电压加到结电容不同的第二开关管和第三开关管上时，所述第二开关管和第三开关管两者中结电容较大的开关管的结电容，不仅可以通过另一个结电容较小的开关管的结电容进行放电，还可以通过与所述结电容较小的开关管并联的放电模块进行放电，使得所述结电容较小的开关管两端的电压不至于超过允许值，解决了现有技术中因结电容较小的开关管可能承受超过其允许值的电压，而造成的系统稳定性降低的问题。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有技术公开的T字型三电平拓扑结构示意图； 图2为现有技术公开的T字型三电平拓扑结构示意图； 图3为本技术实施例公开的T字型三电平拓扑结构示意图； 图4为本技术另一实施例公开的T字型三电平拓扑结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。 本技术提供了一种T字型三电平拓扑结构，以解决现有技术中可靠性低的问题。 具体的，如图3所示，所述T字型三电平拓扑结构包括: 输入端接收正母线电平的第一开关管Tl ； 输入端接收两电容串联接点电平的第二开关管T2 ； 输出端与第二开关管T2输出端相连的第三开关管T3 ;第三开关管T3的输入端与第一开关管Tl的输出端相连； 输入端与第一开关管Tl的输出端相连的第四开关管T4 ； 与第二开关管T2并联的第一放电模块101 ； 与第三开关管T3并联的第二放电模块102。 具体的工作原理为: 第一开关管Tl中包括第一二极管D1，第二开关管T2中包括第二二极管D2，第三开关管T3中包括第三二极管D3，第四开关管T4中包括第四二极管D4 ;为方便描述，第二开关管T2的结电容C2，及第三开关管T3的结电容C3也以连接形式进行展示。 假设结电容C2的容量大于C3，n点电压为0，在电网电压Ve负半周的下降沿时，第二二极管D2截止，第三二极管D3导通，结电容C2处于充电状态，b点电压小于零，并逐渐减小，最大会嵌位到负半周的最低点，由于结电容C2的容量大于C3，串联电路中流过结电容C2与C3的电量相同，结电容C3上的电压变化就大于C2上的电压变化，b点电位被充电到谷底后，在a点电压上升阶段，结电容C2通过结电容C3及第二放电模块102进行放电，进而使b点电平拉高，第三开关管T3两端电压达到较低值；进而使得第三开关管T3两端的电压不至于超过允许值，解决了现有技术中因结电容较小的开关管可能承受超过其允许值的电压，而造成的系统稳定性降低的问题。 同理，当结电容C3的电容大于C2时，同样可以避免第二开关管T2两端电压超过允许值，维持系统的稳定性。 本实施例公开的所述T字型三电平拓扑结构，通过并联第一放电模块101及第二放电模块102，使得第二开关管T2与第三开关管T3两端的电压不至于超过允许值，进而不会造成对系统的可靠性的影响。 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种T字型三电平拓扑结构，其特征在于，包括：输入端接收正母线电平的第一开关管；输入端接收两电容串联接点电平的第二开关管；输出端与所述第二开关管输出端相连的第三开关管；所述第三开关管的输入端与所述第一开关管的输出端相连；输入端与所述第一开关管的输出端相连的第四开关管；与所述第二开关管并联的第一放电模块；与所述第三开关管并联的第二放电模块。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海明，楚洪法，宋炀，李浩源，
申请(专利权)人：阳光电源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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