【技术实现步骤摘要】
一种OGS触摸屏的制作工艺
本专利技术涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏的制作工艺。
技术介绍
目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但无论是丝网印刷还是BM光阻剂都无法耐受高温，即温度不能高于230°C，即ITO膜层沉积时不能采用超过230°C的温度造成ITO膜层沉积质量较低，从产品的良品率不高。
技术实现思路
本专利技术所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏的制作工艺，可使用超过230°C的温度沉积ITO导电膜层。为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案:一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN ;在金属边框层上沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340°C _360°C的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。进一步的，在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280°C -320°C。进一步的，所述消影膜的沉积镀膜温度为210°C _230°C。进一步的，在OC绝缘层上沉积金属膜层的温度为215°C _225°C。进一步的，所...
【技术保护点】
一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于：包括下述步骤，(A)在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN；(B)在金属边框层上沉积一层五氧化二铌；(C)在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；(D)在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340℃‑360℃的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；(E)在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；(F)在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；(G)在金属膜层上覆盖一层保护层；(H)进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；(I)使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
【技术特征摘要】
1.一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于:包括下述步骤， (A)在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN ； (B)在金属边框层上沉积一层五氧化二铌； (C)在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜； (D)在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340°C_360°C的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路； (E)在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘； (F)在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路； (G)在金属膜层上覆盖一层保护层； (H)进行一遍或两遍边框丝印制成OG...
【专利技术属性】
技术研发人员：张吉，
申请(专利权)人：浙江金指科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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