DRAM安全擦除制造技术

一种存储器，包括具有存储器单元(101)、联接至存储器单元的字线(WL(0)，WL(1)，WL(2)，WL(3))和位线(BL(0)，/BL(0)，BL(1)，/BL(1))的DRAM阵列(100)以及读出放大器(110)。存储器可用于执行方法，其中DRAM阵列(100)的字线设置为激活状态。当字线被激活时，根据联接至字线的存储器单元和各个位线之间的电荷的流动在各个位线上产生信号。连接至各个位线的读出放大器可以保持退激活以使读出放大器不将信号放大至可存储信号电平。然后，当字线再次被设为退激活状态时，不足的电荷保持在联接至字线的存储器单元中以便擦除存储在联接至字线的存储器单元中的电荷。可以使用DRAM阵列的全部或所选范围的每个其余的字线重复这些步骤以擦除存储在整个DRAM阵列或所选范围内的数据。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】DRAM安全擦除相关申请的交叉引用本申请要求2011年8月31日申请的韩国专利申请10-2011-0087736的权益，其公开内容通过引用并入本文。
本申请的主题涉及动态随机存取存储器(DRAM)，DRAM典型地配备作为特定的DRAM芯片以实现特定的功能，或配备作为DRAM宏功能单元以配备在还包含大量逻辑电路的其他类型的芯片中。更具体地，本申请涉及一种擦除存储在DRAM中的数据的方法。
技术介绍
微电子元件(例如半导体芯片)是可以包含集成电路(包括有源半导体装置(例如晶体管、二极管等)以及提供点互连的布线)的薄的、平的元件。半导体芯片还可以或者可选地包括无源装置，例如电容器、电感或电阻。在特别的构造中，微电子元件可包含一个或多个半导体芯片，该一个或多个半导体芯片在其一个或多个表面上具有密封剂并且具有与一个或多个半导体芯片的触点电连接的导电元件，其中触点暴露在微电子元件的表面处。在一些情况中，微电子元件可以是包含一个或多个半导体芯片的扇出晶片级的微电子单元，其中，密封剂至少覆盖一个或多个半导体芯片的边缘，并且其中导电迹线沿一个或多个芯片的表面延伸至一个或多个芯片的边缘之外的密封剂的表面上。半导体芯片可以配备具有用于存储器存储阵列和将数据写入到存储阵列以及读取存储在存储阵列中的数据的电路的动态随机存取存储器(以下称作“DRAM芯片”或“DRAM”)。在典型的常规DRAM的操作中，通过在每个存储器单元的存储电容器中存储高电压或低电压而将数据写入到存储阵列的存储器单元以及从存储阵列的存储器单元读取数据。在二进制数据体系中，高电压典型地表示存储“1”，低电压典型地表示存储“0”。DRAM是易失性存储器，以便只要DRAM保持通电并且在规定的间隔被刷新，则数据就保持存储在DRAM中的存储电容器中。当DRAM被断电时，则不再进行刷新，并且存储在存储电容器中的电压电平开始衰减。但是，存储在存储电容器中的数据不会立刻消失。相反地，在可以确认所存储的数据被擦除之前，DRAM可能需要保持断电若干分钟。在典型的计算系统(例如台式机、笔记本，或平板电脑，以及智能手机)中，使用一个或多个DRAM芯片提供有源系统存储器以使能用于声音和显示处理以及大量的内置和用户选择附加的应用程序或“apps”(例如，互联网访问、媒体或音乐访问、文字处理、数据库访问、演示(presentation)等等)的有源系统操作。为了安全起见，存储在计算系统中的非易失性硬盘驱动或固态存储器驱动中的数据可被加密。但是，存储在有源系统存储器中的用于计算系统的有源操作的数据不被加密。因为上述DRAM芯片的操作方式，即使计算系统断电之后，其中的有源系统存储器中的数据可以存留若干分钟。因此，甚至当笔记本或智能手机计算系统断电且无人看管，或被其他人留置时(例如，当用户经过机场安检时)，存在窃取计算系统的聪明的盗窃者可以访问仍然存留在计算系统的基于DRAM的有源系统存储器中的敏感数据的风险。因此，期望快速擦除存储在DRAM芯片中的数据。这可以帮助防止从计算系统的有源系统存储器窃取数据。但是，常规的DRAM芯片不提供快速擦除数据的可靠方法。当数据需要被擦除时，典型的DRAM芯片使用常规的写操作来重写已经以高电压或低电压或以高电压和低电压的一些形式存储在DRAM芯片中的数据。由此，擦除整个DRAM芯片中的数据花费与将数据写入以填充整个DRAM芯片一样多的时间和资源。擦除DRAM芯片中的数据的方法在以下参考文件提供的描述中：美国专利7,751,263；7,164,611；5,255,223；4,873,672；美国专利公布20090016133；韩国专利公布2009-0105093。
技术实现思路
根据本专利技术的方面，提供一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法。该方法可以包括：将DRAM阵列的字线设置为激活状态，由此使得电荷根据存储在存储器单元中的数据在联接至字线和各个位线的存储器单元之间流动，其中根据联接至字线和各个位线的存储器单元之间的电荷的流动在各个位线上形成信号。在保持连接至各个位线的读出放大器处于读出放大器不将信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，可将字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与字线联接的存储器单元中，由此擦除存储在与字线联接的存储器单元中的数据。可使用存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复以上步骤以擦除存储在所选范围中的数据。在一个示例中，所选范围可以是整个存储器阵列，以擦除存储在整个存储器阵列中的数据。可选地，所选范围可以小于整个存储器阵列。所选范围可以是连续的，或在某些情况中，可以是非连续的。例如，可以擦除联接至在特定地址范围中的两个字线或每三个字线或每四个字线中选出的每个字线的存储器单元中存储的数据，而不擦除存储在联接至位于所选字线之间的字线的存储器单元中的数据。在另一个示例中，擦除存储在联接至每四个字线中选出的三个字线的存储器单元中的数据，而不擦除联接至特定地址范围内的每四个字线的未选字线的存储器单元中的数据。在一个示例中，将字线设为激活状态的步骤可包括使用地址计数器选择字线。在特定示例中，地址计数器可以是刷新地址计数器。该方法可进一步包括在将字线设为激活状态的步骤之前将位线预充至第一电压电平。在特定示例中，第一电压电平可以是高信号电压电平和低信号电压电平之间的中间电平，在高信号电压电平和低信号电压电平，分别将“1”和“0”存储在联接至字线的存储器单元中。在特定示例中，预充位线的步骤可以通过将连接至位线的预充装置设置为激活状态来进行。在这种情况中，该方法可以进一步包括在保持读出放大器处于退激活状态的期间保持连接至位线的预充装置处于退激活状态，以及将所选字线设置回退激活状态。在特定示例中，数据存储元件包括电容器。本专利技术的另一方面提供另一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法。在该方法中，在保持联接至DRAM阵列的位线的预充装置处于将位线充电至一个或多个预定电压电平的激活状态时，可以将DRAM阵列的字线设置为激活状态，以使联接至字线的存储器单元中的电压充电至一个或多个预定电压电平，而不管存储在存储器单元中的数据。在保持连接至位线的读出放大器处于退激活状态时，可以将字线设置为退激活状态以使存储器单元根据一个或多个预设电压电平存储电荷，由此擦除存储在存储器单元中的数据。因此，联接至处于激活状态的字线的存储器单元将根据位线预充至的一个或多个预定电压电平存储电荷，而不是根据在预充操作之前它们可能已经存储的电压电平存储电荷。使用存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复以上步骤以擦除存储在所选范围中的数据。在一个示例中，所选范围可以是整个存储器阵列，以擦除存储在整个存储器阵列中的数据。可选地，与前述的方式相同，所选范围可以小于整个存储器阵列。在一个示例中，将字线设为激活状态的步骤可以包括使用地址计数器选择字线。在特定示例中，地址计数器可以是刷新地址计数器。预定电压电平可以是单个预定电压电平，所有位线均预充至该单个预定电压电平。在另一个示例中，一些位线可以预充至一个预定电压电平，其他位线可以预充至另一个预定电压电平。在一个示例中，用于这个方法的预定电压电平可以对应参考电压电平。预定电压电平可以是参考电压电平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法，包括：(a)将所述DRAM阵列的字线设置为激活状态，从而使得电荷根据存储在存储器单元中的所述数据在联接至所述字线和各个位线的所述存储器单元之间流动，其中根据联接至所述字线和所述各个位线的所述存储器单元之间的所述电荷的流动在所述各个位线上形成信号；(b)在保持连接至所述各个位线的读出放大器处于所述读出放大器不将所述信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与所述字线联接的所述存储器单元中，从而擦除存储在与所述字线联接的所述存储器单元中的所述数据；以及(c)使用所述存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的所述数据。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.08.31 KR 10-2011-00877361.一种擦除存储在动态随机存取存储器阵列中的数据的方法，包括：(a)将所述动态随机存取存储器阵列的字线设置为激活状态，从而使得电荷根据存储在存储器单元中的数据在联接至所述字线和各个位线的存储器单元之间流动，其中根据联接至所述字线和所述各个位线的所述存储器单元之间的所述电荷的流动在所述各个位线上形成信号；(b)在保持连接至所述各个位线的读出放大器处于所述读出放大器不将所述信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与所述字线联接的所述存储器单元中，从而擦除存储在与所述字线联接的所述存储器单元中的数据；以及(c)使用所述动态随机存取存储器阵列的所选范围的其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的数据，其中所述其余的字线为非连续的。2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围是整个所述动态随机存取存储器阵列，以擦除存储在整个所述动态随机存取存储器阵列中的数据。3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围小于整个所述动态随机存取存储器阵列。4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(a)包括使用地址计数器选择所述字线。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述地址计数器是刷新地址计数器。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在步骤(a)之前将所述位线预充至第一电压电平。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电压电平是高信号电压电平和低信号电压电平之间的中间电平，在所述高信号电压电平和所述低信号电压电平，分别将“1”和“0”存储在联接至所述字线的所述存储器单元中。8.根据权利要求7所述的方法，其中，预充所述位线的步骤通过将连接至所述位线的预充装置设置为激活状态来进行，所述方法进一步包括在保持所述读出放大器处于退激活状态的期间保持连接至所述位线的预充装置处于退激活状态。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储器单元包括数据存储元件，所述数据存储元件包括电容器。10.一种擦除存储在动态随机存取存储器阵列中的数据的方法，包括：(a)在保持联接至所述动态随机存取存储器阵列的位线的预充装置处于将所述位线保持在一个或多个预定电压电平的激活状态时，将所述动态随机存取存储器阵列的字线设置为激活状态，以使联接至所述字线的存储器单元中的电压充电至所述一个或多个预定电压电平，而不管存储在所述存储器单元中的数据；(b)在保持连接至所述位线的读出放大器处于退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使所述存储器单元根据所述一个或多个预设电压电平存储电荷，由此擦除存储在所述存储器单元中的所述数据；以及(c)使用所述动态随机存取存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的数据；其中，保持联接至所述动态随机存取存储器阵列的位线的预充装置处于所述位线保持在一个或多个预定电压电平的激活状态的步骤包括：在所述步骤期间保持一些所述位线处于第一预定电压电平，并且在所述步骤期间保持其他所述位线处于与所述第一预定电压电平不同的第二预定电压电平。11.根据权利要求10所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围是整个所述动态随机存取存储器阵列，以擦除存储在整个所述动态随机存取存储器阵列中的数据。12.根据权利要求10所述的方法，其中步骤(c)中的所述所选范围小于整个所述动态随机存取存储器阵列。13.根据权利要求10所述的方法，其中，步骤(a)包括使用地址计数器选择所述字线。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述地址计数器是刷新地址计数器。15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个或多个预定电压电平为电源电压电平。16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·C·派瑞斯，
申请(专利权)人：泰塞拉公司，
类型：发明
国别省市：美国;US