以太网PHY芯片之间的耦合电路制造技术

技术编号:10380329 阅读:225 留言:0更新日期:2014-09-04 01:24
本实用新型专利技术公开了一种以太网PHY芯片之间的耦合电路,包括第一PHY芯片和第二PHY芯片,第一PHY芯片和第二PHY芯片对应的引脚通过电容耦合,电容的两端分别通过上拉电阻接对应芯片的偏置电压。本实用新型专利技术采用电容耦合,可以显著简化电路。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
以太网PHY芯片之间的耦合电路[
]本技术涉及以太网交换机,尤其涉及一种以太网PHY芯片之间的耦合电路。[
技术介绍
]如图1所示,以数据传输速率为100M/S为例,传统以太网PHY芯片之间的耦合电路需要T1-T4共4个以太网网络变压器进行耦合,电路结构复杂。[
技术实现思路
]本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单的以太网PHY芯片之间的耦合电路。为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案是,一种以太网PHY芯片之间的耦合电路,包括第一 PHY芯片和第二 PHY芯片,第一 PHY芯片和第二 PHY芯片对应的引脚通过电容耦合,电容的两端分别通过上拉电阻接对应芯片的偏置电压。以上所述的以太网PHY芯片之间的耦合电路,第二 PHY芯片的接收数据正引脚通过第一电容接第一 PHY芯片的发送数据正引脚,第二 PHY芯片的接收数据负引脚通过第二电容接第一 PHY芯片的发送数据负引脚,第二 PHY芯片的发送数据正引脚通过第三电容接第一 PHY芯片的接收数据正引脚,第二 PHY芯片的发送数据负弓I脚通过第四电容接第一 PHY芯片的接收数据负引脚;第一 PHY芯片的发送数据正引脚、发送数据负本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以太网PHY芯片之间的耦合电路,包括第一PHY芯片和第二PHY芯片,其特征在于,第一PHY芯片和第二PHY芯片对应的引脚通过电容耦合,电容的两端分别通过上拉电阻接对应芯片的偏置电压。

【技术特征摘要】
1.一种以太网PHY芯片之间的耦合电路,包括第一 PHY芯片和第二 PHY芯片,其特征在于,第一 PHY芯片和第二 PHY芯片对应的引脚通过电容耦合,电容的两端分别通过上拉电阻接对应芯片的偏置电压。2.根据权利要求1所述的以太网PHY芯片之间的耦合电路,其特征在于,第二PHY芯片的接收数据正引脚通过第一电容接第一 PHY芯片的发送数据正引脚,第二 PHY芯片的接收数据负引脚通过第二电容接第一 PHY芯片的发送数据负引脚,第二 PHY芯片的发送数据正引脚通过第三电容接第一 PHY芯片的接收数据正引脚,第二 PHY芯片的发送数据负引脚通过第四电容接第一 PHY芯片的接收数据负引脚;第一 PHY芯片的发送数据正引脚、发送数据负引脚、接收数据负引脚、接收数据正引脚分别通过第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻接第一 PHY芯片的偏置电压;第二 PHY芯片的发送数据正引脚、发送数据负引脚、接收数据负引脚、接收数据正引脚分别通过第五电...

【专利技术属性】
技术研发人员:熊伟
申请(专利权)人:深圳市三旺通信技术有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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