一种电流源产生器制造技术

本发明专利技术公开了一种电流源产生器，包括：带隙源核心模块，用于产生稳定基准电压；隔离模块一，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离；滤波器，与所述隔离模块一连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行滤波；基准电流产生器，与所述滤波器连接，用于产生基准电流；隔离模块二，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离；PTAT电流产生器，与所述隔离模块二连接，用于产生正温度系数的电流。本发明专利技术通过含preLDO的带隙源核心模块克服了电源电压高的缺陷，实现低电源、低功耗的目的；采用隔离模块、滤波模块实现了同时具备低功耗、低噪声和高PSRR的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种电流源产生器
本专利技术涉及微电子学
，特别是涉及一种含基准源的电流源产生器。
技术介绍
在电子设备领域，特别是手机射频通讯集成电路设计中，都需要通过带隙源(bandgap)产生低功耗、高 PSRR (Power Supply Rejection Ratio,电源抑制比)、低噪声、超低温度系数的、可调的精确的电压和电流，同时还需要产生精确的正温度系数的电流，如低至luA、5uA的低电流。对于一个SOC (System on Chip,片上系统)芯片而言更重要，需要低成本，则依赖数字的可调，需要高PSRR，低的输出阻抗，低功耗，还要面积小，适合集成。如图1是通常的带隙源的结构示意图，利用Dl和D2的器件个数比，并利用运放把Va和Vb钳制相等，再调试合适的R1、R2、R3的电阻值，得到基准电压Vref，完成电流产生器的设计。但是这种结构只能产生精确的基准电压，其功耗和PSRR性能一般，想要得到一个低功耗、高PSRR、低噪声的基准源则达不到。对于现代的高度集成的SOC芯片，数字信号的翻转都会带来内在的噪声源，对于关键的模拟电路形成很大的影响，通过电源的串扰降低带隙源的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流源产生器，其特征在于，包括： 带隙源核心模块，用于产生稳定基准电压； 隔离模块一，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离； 滤波器，与所述隔离模块一连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行滤波； 基准电流产生器，与所述滤波器连接，用于产生基准电流； 隔离模块二，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离； PTAT电流产生器，与所述隔离模块二连接，用于产生正温度系数的电流。

【技术特征摘要】
1.一种电流源产生器，其特征在于，包括: 带隙源核心模块，用于产生稳定基准电压； 隔离模块一，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离； 滤波器，与所述隔离模块一连接，用于对隔离噪声后的所述稳定基准电压进行滤波； 基准电流产生器，与所述滤波器连接，用于产生基准电流； 隔离模块二，与所述带隙源核心模块连接，用于对所述稳定基准电压进行噪声隔离； PTAT电流产生器，与所述隔离模块二连接，用于产生正温度系数的电流。2.如权利要求1所述的电流源产生器，其特征在于，所述带隙源核心模块包括=PreLDO电路、金属氧化物半导体场效应晶体管MPl、MP2、MP3、MP4、MNl和MN2，以及三极管PNPl、PNP2和PNP3 ;其中，MPl的栅极分别与MP2、MP3、MP4的栅极连接；MP1、MP2、MP3和MP4的源极均与PreLDO电路连接；MP2的栅极与其漏极连接；丽1的栅极与丽2的栅极连接，丽I的栅极与其漏极连接；MP1、MP2、MP3和MP4的源级连接在一起；MP1的漏极与丽I的漏极连接；MP2的漏极与丽2的漏极连接；MN1的源极通过电阻Rl与PNPl的发射极连接，MN2的源极与PNP2的发射极连接，PNPl的基极与PNP2的基极连接；PNP2的发射极通过电阻R2与MP3的漏极连接；PNP3的发射极通过电阻R3与MP4的漏极连接，PNP3的基极与其集电极连接；PNP1、PNP2和PNP3的集电极连接在一起。3.如权利要求2所述的电流源产生器，其特征在于，MPl、MP2、丽I和丽2管构成自偏置镜像电流源结构；调节MP1、MP2、MP3和MP4的宽长比，使MP1、MP2、MP3和MP4中电流大小为1:1:4:1 ；MN1和MN2组成N型电流镜，其漏极用运放强制成相等。4.如权利要求2或3所述的电流源产生器，其特征在于，所述preLDO电路包括:误差放大器、金属氧化物半导体场效应晶体管PM6和匪7...

【专利技术属性】
技术研发人员：易律凡，谢豪律，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44