【技术实现步骤摘要】
基于MgxZr^xO压电薄膜的固体装配型谐振器
本专利技术涉及一种固体装配型谐振器，特别是涉及一种基于MgxZrvxO压电薄膜的固体装配型谐振器。
技术介绍
薄膜体声波谐振器(FBAR)作为体声波器件的一种，由于小尺寸、高的器件性能及在高频领域很大的潜在应用吸引了人们的广泛关注。FBAR从结构来说可分为固体装配型谐振器(Solidly Mounted Resonator,简称SMR)和背部刻蚀型FBAR两种。SMR由电极、高低声阻薄膜组成的布拉格反射层及夹在它们之间的压电薄膜组成的三明治结构构成，具有相比于背部刻蚀的FBAR结构更加牢固的优点。氧化锌(ZnO)作为SMR的压电 薄膜已被广泛应用，但是ZnO薄膜的缺点是纵向声速低，电阻低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种基于MgxZrvxO压电薄膜的固体装配型谐振器，其工艺简单、结构稳定、机械强度高、回波损耗值高、机电耦合系数和品质因数较高，且成本较低。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:一种基于MgxZrvxO压电薄膜的固体装配型谐振器，其特征在于，其包括电极、压电薄膜、...
【技术保护点】
一种基于MgxZn1‑xO压电薄膜的固体装配型谐振器，其特征在于，其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片，所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成，依次溅射n个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜，且最上层为低声阻薄膜；压电薄膜的材料是MgxZn1‑xO，其中n为正整数，0.05≦x≦0.33。
【技术特征摘要】
1.一种基于MgxZrvxO压电薄膜的固体装配型谐振器，其特征在于，其包括电极、压电薄膜、Bragg反射层薄膜和基片,所述的Bragg反射层由高声阻薄膜和低声阻薄膜组成,依次溅射η个周期的高声阻薄膜和低声阻薄膜，且最上层为低声阻薄膜；压电薄膜的材料是MgxZrvxO，其中 η 为正整数，0.05≤x ≤ 0.33。2.如权利要求1所述的基于MgxZrvxO压电薄膜的固体装配型谐振器，其特征在于，所述电极材料为金属，通过射频磁控派射的方法得到，厚度为60nm-200nm。3.如权利要求1所述的基于MgxZrvx...
【专利技术属性】
技术研发人员：张亚非，沈勇，刘一剑，徐东，杨翰林，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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