本发明专利技术提供分别能够在不损害屏幕的一致性的情况下获得高品质显示图像的一种显示装置、驱动显示装置的方法及电子设备，所述显示装置设置有排列成矩阵形式的像素，且所述像素中的每一个包含：电光器件；晶体管；及电容器，所述电容器通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中，其中，在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。
【技术实现步骤摘要】
显示装置、驱动显示装置的方法及电子设备
本专利技术涉及一种显示装置、驱动显示装置的方法及电子设备，且更具体而言，本专利技术涉及分别能够在不损害屏幕的一致性的情况下获得高品质显示图像的一种显示装置、驱动显示装置的方法及电子设备。
技术介绍
有机EL(电致发光)显示装置、液晶显示器(IXD)、等离子显示面板(TOP)等等被广泛称为平板显示装置。某些有机EL显示装置快速地执行 阈值校正，其中，驱动晶体管的阈值电压的变化得到校正，从而使得发光时段设定为更长(例如，参见第2009-294507号日本未经审查专利申请公开公报)。然而，在第2009-294507号日本未经审查专利申请公开公报中的显示装置中，由于增加了校正扫描信号AZ或对写入扫描信号WS进行三元处理(ternary processing)而使得驱动器的成本提高，并且为了具有4Tr/lC配置而必须添加晶体管，因此，相应地造成成品率等等的下降。
技术实现思路
本专利技术期望在不损害屏幕的一致性的情况下以更简单的配置来获得高品质显示图像。根据本专利技术实施例，提供一种显示装置，所述显示装置设置有排列成矩阵形式的像素，所述像素中的每一个包含:电光器件；晶体管；及电容器，所述电容器是通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中，其中，在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。所述像素中的每一个包含作为所述电容器的用于保持图像信号的信号电压的保持电容器，且所述保持电容器的所述金属层与写入晶体管的栅电极设置于同一层中，所述写入晶体管用于将所述信号电压写入到所述保持电容器。可在从所述电光器件发光期间对所述保持电容器的所述金属层施加使所述保持电容器的所述电容值增大的电压。所述像素中的每一个还包含作为所述电容器的辅助电容器，所述辅助电容器用作所述电光器件的等效电容的辅助，所述辅助电容器的所述金属层与驱动晶体管的栅电极设置于同一层中，所述驱动晶体管用于驱动所述电光器件，且可在将所述信号电压写入到所述保持电容器期间，对所述辅助电容器的所述金属层施加使所述辅助电容器的电容值增大的电压。可在对所述驱动晶体管的阈值电压进行校正期间分别对所述保持电容器的所述金属层及所述辅助电容器的所述金属层施加使所述保持电容器的所述电容值减小的电压及使所述辅助电容器的所述电容值减小的电压。所述金属层与布线层可设置于同一层中。根据本专利技术实施例，提供一种驱动显示装置的方法，所述方法包括:制备显示装置，所述显示装置设置有排列成矩阵形式的像素，所述像素中的每一个包含电光器件、晶体管及电容器，所述电容器是通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中；及在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。根据本专利技术实施例，提供一种电子设备，所述电子设备设有显示装置，所述显示装置包含排列成矩阵形式的像素，所述像素中的每一个包括:电光器件；晶体管；及电容器，所述电容器是通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中，其中，在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。在本专利技术各实施例中，在从所述电光器件发光期间对所述金属层施加使所述电容器的所述电容值增大的所述电压。在本专利技术各实施例中，使得能够在不损害屏幕的一致性的情况下以更简单的配置来获得高品质显示图像。应理解，上文总体说明及下文详细说明均为例示性的，且旨在提供对所主张的技术的进一步解释。【附图说明】所包含的附图用于对本专利技术提供进一步的理解，且并入本说明书并构成本说明书的一部分。附图图示了各实施例，且与本说明书一起用来解释本专利技术的原理。图1为图示根据本专利技术实施例的有源矩阵显示装置的方块图。图2为图示像素电路的配置示例的图。图3为用于描述像素电路的操作的时序图。图4为用于描述驱动晶体管的迁移率的差异的图。图5为图示具有顶栅结构的晶体管的剖面结构的剖面图。图6为图示具有底栅结构的晶体管的剖面结构的剖面图。图7为用于描述对电容器的电容值的控制的时序图。图8为图示像素电路的另一配置示例的图。图9为用于描述对电容器的电容值的控制的时序图。图10为图示应用本专利技术实施例的电视机的外观的图。图1lA及图1lB为图示应用本专利技术实施例的数码相机的外观的图。图12为图示应用本专利技术实施例的笔记本式个人计算机的外观的图。图13为图示应用本专利技术实施例的数码摄像机的外观的图。图14为图示应用本专利技术实施例的多功能蜂窝式电话的外观的图。【具体实施方式】下面将参照附图来阐述本专利技术的某些实施例。(显示装置的配置示例)图1为图示根据本专利技术实施例的有源矩阵显示装置的方块图。有源矩阵显示装置是用于通过有源器件来控制流过电光器件的电流的显示装置，所述有源器件例如是设置于包含电光器件的像素中的绝缘栅场效应晶体管。例如，可将薄膜晶体管(TFT)用作绝缘栅场效应晶体管。下面将阐述将有机EL器件用作像素(像素电路)的发光器件的有源矩阵有机EL显示装置的配置作为示例，所述有机EL器件为发光亮度随着电流值而变化的电流驱动式电光器件。如图1中所图示，根据本专利技术实施例的有机EL显示装置I包含像素阵列部11、写入扫描器12、驱动扫描器13、水平选择器14、第一扫描器15及第二扫描器16。像素阵列部11由多个像素30构成，所述多个像素30各自包含有机EL器件且以二维排列成矩阵形式，且从写入扫描器12到第二扫描器16的部件用作驱动像素阵列部11的像素30的驱动电路部。在有机EL显示装置I具有彩色显示能力的情况下，作为用于形成彩色图像的单位的一个像素(单位像素)是由多个子像素构成，且各个子像素对应于图1中的各个像素30。更具体而言，在具有彩色显示能力的显示装置中，一个像素可由例如三个子像素(即，发射红(R)光的子像素、发射绿(G)光的子像素及发射蓝(B)光的子像素)构成。然而，一个像素未必是由三种颜色RGB的子像素的组合构成，且可通过将一种颜色的子像素或多种颜色的子像素添加到三种颜色的子像素构成。更具体而言，为了提高亮度，一个像素可通过将发射白(W)光的子像素添加到三种颜色的子像素构成，或者为了扩大色彩再现范围，一个像素可通过将一种或多种发射互补色光的子像素添加到三种颜色的子像素构成。在像素阵列部11中，扫描线31-1?31-m及电源线32_1?32_m在具有m行及η列像素30的矩阵中沿着行方向(像素行的像素排列方向)布线至各个像素行。此外，信号线33-1?33-η在具有m行及η列像素30的矩阵中沿着列方向(像素列的像素排列方向)布线至各个像素列。扫描线31-1?31-m连接至写入扫描器12的对应行的各个输出端。电源线32_1?32-m连接至驱动扫描器13的对应行的各个输出端。信号线33-1?33_n连接至水平选择器14的对应列的各个输出端。此外，在像素阵列部11中，扫描线34-1?34-m及本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，其设置有排列成矩阵形式的像素，所述像素中的每一个包括：电光器件；晶体管；及电容器，所述电容器通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中，其中，在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。
【技术特征摘要】
2013.02.21 JP 2013-0320881.一种显示装置，其设置有排列成矩阵形式的像素，所述像素中的每一个包括: 电光器件； 晶体管；及 电容器，所述电容器通过在第一半导体层与第二半导体层之间设置金属层而形成，所述第一半导体层形成所述晶体管的源极区及漏极区，且所述第二半导体层形成于与形成有所述第一半导体层的层不同的层中， 其中，在从所述电光器件发光期间，对所述金属层施加使所述电容器的电容值增大的电压。2.如权利要求1所述的显示装置，其中， 所述像素中的每一个包含作为所述电容器的用于保持图像信号的信号电压的保持电容器，且 所述保持电容器的所述金属层与写入晶体管的栅电极设置于同一层中，所述写入晶体管用于将所述信号电压写入到所述保持电容器。3.如权利要求2所述的显示装置，其中，在从所述电光器件发光期间，对所述保持电容器的所述金属层施加使所述保持电容器的所述电容值增大的电压。4.如权利要求3所述的显示装置，其中， 所述像素中的每一个还包含作为所述电容器的辅助电容器，所述辅助电容器用作所述电光器件的等效电容的辅助， 所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：多田罗智史，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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