用于在毫微微小区部署中对干扰进行抑制的方法和装置制造方法及图纸

提供了用于可以对接入点的一个或多个参数进行确定的方法和装置，其中可以对所述参数进行设置和调整以抑制对其它接入点的干扰。可以基于诸如路径损耗测量值、该接入点的位置等的一个或多个参数来在接入点处对热噪声增加量(RoT)阈值进行设置，使得可以对来自与该接入点进行通信的设备的干扰进行抑制。此外，可以基于对发射功率差、小区外的干扰和/或类似的测量值的确定来对噪声基底、RoT阈值等进行调整。

【技术实现步骤摘要】
用于在毫微微小区部署中对干扰进行抑制的方法和装置本申请是申请日为2011年06月29日、申请号为201180032661.7、名称为“用于在毫微微小区部署中对干扰进行抑制的方法和装置”的中国专利申请的分案申请。基于35U.S.C § 119要求优先权本专利申请要求于2010年6月29日提交的、题目为“ADAPTIVERISE-OVER-THERMAL (ROT) THRESHOLD AND NOISE FLOOR ADJUSTMENT FOR FEMT0CELL UPLINKINTERFERENCE MANAGEMENT”的临时申请N0.61/359，762的优先权，该临时申请已转让给本申请的受让人，故明确地以引用方式并入本文；并且，本专利申请要求于2010年9月28 日提交的、题目为 “ADAPTIVE RISE-OVER-THERMAL (ROT) THRESHOLD AND NOISE FLOORADJUSTMENT FOR FEMT0CELL UPLINK INTERFERENCE MANAGEMENT ” 的临时申请 N0.61/387，359的优先权，该临时申请已转让给本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基于对干扰的确定来对接入点的参数进行调整的方法，包括：检测一个或多个接入点的最强的发射功率；确定所述最强的发射功率是否超过在毫微微小区接入点处使用的发射功率；以及至少部分地基于所述最强的发射功率是否超过所述发射功率来调整所述毫微微小区接入点的估计的噪声基底。

【技术特征摘要】
2010.06.29 US 61/359,762;2010.09.28 US 61/387,359;1.一种用于基于对干扰的确定来对接入点的参数进行调整的方法，包括: 检测一个或多个接入点的最强的发射功率； 确定所述最强的发射功率是否超过在毫微微小区接入点处使用的发射功率；以及 至少部分地基于所述最强的发射功率是否超过所述发射功率来调整所述毫微微小区接入点的估计的噪声基底。2.根据权利要求1所述的方法，还包括: 估计小区外干扰的水平，其中，所述调整估计的噪声基底的步骤进一步至少部分地基于所述小区外干扰的水平。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述估计小区外干扰的水平的步骤包括在一段时间期间对噪声进行测量。4.根据权利要求1所述的方法，还包括: 至少部分地基于所述最强的发射功率是否超过所述发射功率来调整所述毫微微小区接入点的热噪声增加量阈值。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述调整估计的噪声基底的步骤包括: 针对在软切换过程中由不同的接入点服务的给定的设备来对所述毫微微小区接入点 的所述估计的噪声基底进行调整。6.根据权利要求5所述的方法，还包括: 请求在软切换过程中由所述接入点服务的设备的标识符；以及 至少部分地基于所述请求从所述不同的接入点接收所述给定的设备的标识符。7.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在与所述至少一个设备进行通信期间增强所述估计的噪声基底。8.一种用于基于对干扰的确定来对接入点的参数进行调整的装置，包括: 至少一个处理器，其被配置为: 检测一个或多个接入点的最强的发射功率； 确定所述最强的发射功率是否超过在毫微微小区接入点处使用的发射功率；以及 至少部分地基于所述最强的发射功率是否超过所述发射功率来调整所述毫微微小区接入点的噪声基底；以及存储器，其被耦合到所述至少一个处理器。9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述至少一个处理器被进一步配置为估计小区外干扰的水平，其中，所述至少一个处理器进一步至少部分地基于所述小区外干扰的水平来对所述噪声基底进行调整。10.根据权利要求8所述的装置，其中，所述至少一个处理器被进一步配置为至少部分地基于所述最强的发射功率是否超过所述发射功率来对所述毫微微小区接入点的热噪声增加量阈值进行调整。11.根据权利要求8所述的装置，其中，所述至少一个处理器针对在软切换过程中由不同的接入点服务的给定的设备来对所述毫微微小区接入点的所述噪声基底进行调整。12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述至少一个处理器被进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：周彦，F·梅什卡蒂，V·昌德，M·亚武兹，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US