形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池技术

本发明专利技术涉及一种用于形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的Na浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。本发明专利技术的方法通过三步真空共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层，并包括：同时真空蒸发In、Ga和Se的第一步骤；同时真空蒸发Cu和Se的第二步骤；和真空蒸发In、Ga和Se的第三步骤。在第一步骤中蒸发并供应的Ga的量大于在第三步骤中蒸发并供应的Ga的量。根据本发明专利技术的另一方面的CIGS太阳能电池包括：衬底；在衬底上形成的电极层；和在电极层上形成的CIGS光吸收层。在电极层和CIGS光吸收层的界面处的Ga/(In+Ga)的比率为0.45或更高。本发明专利技术的方法配置为使得在通过三步真空共蒸发法形成CIGS光吸收层的方法中，提高第一步骤中Ga的蒸发量，使得能够在Na浓度低的衬底上形成CIGS光吸收层，从而提高深度深的耗尽层的CIGS太阳能电池的效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池
本专利技术涉及一种形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法及CIGS太阳能电池，尤其涉及一种形成CIGS光吸收层的方法，其可以在衬底的碱浓度低，由此CIGS光吸收层的耗尽层厚的情况下，提高太阳能电池的效率。
技术介绍
近来由于严重的环境污染问题和化石能源的枯竭，下一代清洁能源开发的重要性越来越受到人们的关注。其中，预期用于直接将太阳能转换为电能的太阳能电池成为能够解决未来能源问题的能量来源，这是因为其产生较少的污染，采用无限的太阳能，并且具有半永久性的寿命。太阳能电池根据用于光吸收层的材料分为很多种类，而当前最广为使用的是利用硅的硅太阳能电池。但是，近来因硅供应量的短缺，硅的价格急剧攀升，因此，薄膜型太阳能电池受到人们的青睐。薄膜型太阳能电池的厚度较小，使得能够消耗较少量的材料，并且重量轻，因此，用途非常广泛。对作为这类薄膜型太阳能电池的材料的非晶硅和CdTe、CIS(CuInSe2)或 CIGS (CuIrvxGaxSe2)正在进行深入研究。CIGS薄膜具有IXlO5Cnr1的高吸收系数，且根据添加剂的类型可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用三步共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，所述方法包括如下步骤：共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第一步骤；共蒸发Cu和Se以使其沉积的第二步骤；和共蒸发In、Ga和Se以使其沉积的第三步骤；其中，在所述第一步骤中通过蒸发供应的Ga的量大于在所述第三步骤中通过蒸发供应的Ga的量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.13 KR 10-2012-00765621.一种利用三步共蒸发法形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，所述方法包括如下步骤: 共蒸发IruGa和Se以使其沉积的第一步骤； 共蒸发Cu和Se以使其沉积的第二步骤；和 共蒸发IruGa和Se以使其沉积的第三步骤； 其中，在所述第一步骤中通过蒸发供应的Ga的量大于在所述第三步骤中通过蒸发供应的Ga的量。2.根据权利要求1所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于:在所述CIGS光吸收层中形成的耗尽层区域的深度为400nm或更大。3.根据权利要求2所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于:在其上形成所述GIGS光吸收层的衬底包含与钠钙玻璃衬底不同的材料。4.根据权利要求2所述的形成用于太阳能电池的CIGS光吸收层的方法，其特征在于:在其上形成所述GIGS光吸收层的衬底为碱浓度为8重量％或更低的钠钙玻璃衬底。5.根据权利要求1所述的形成用于太阳能电池的C...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹载浩，郭智惠，安世镇，尹庆勋，申基植，安承奎，赵阿拉，朴相炫，朴海森，崔森武，
申请(专利权)人：韩国ENERGY技术硏究院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR