高剂量辐射检测器制造技术

本发明专利技术涉及一种高剂量辐射检测器。描述了一种处理器，包括：多个辐射检测器；用于从所述多个辐射检测器接收输出的第一逻辑单元，所述第一逻辑单元用于根据所接收的输出来产生输出，所述第一逻辑单元的输出表示处理器是否暴露于入射辐射之下；以及用于接收所述第一逻辑单元的输出并且使所述处理器根据所述第一逻辑单元的输出来执行动作的第二逻辑单元。

【技术实现步骤摘要】
高剂量辐射检测器
技术介绍
由集成电路(IC)接收的单个带电粒子能够将数以千计的电子撞击至释放，从而导致电子噪声和信号尖峰。例如，就数字电路而言，电子噪声和信号尖峰能够导致寄存器捕获不正确的数据。商用集成电路的耐辐射性随着工艺技术缩放而增加。附图说明根据以下给出的具体实施方式以及本专利技术的各种实施例的附图，将更加充分地理解本专利技术的实施例，然而，这不应当被理解为将本专利技术限制为特定的实施例，而是仅用于解释和理解。图1是根据本专利技术的一个实施例的辐射检测的高级架构。图2A是根据本专利技术的一个实施例的可编程辐射检测器。图2B是根据本专利技术的一个实施例的图2A的可编程辐射检测器的具体形式。图3是根据本专利技术的一个实施例的基于可编程共栅极积分器的辐射检测器。图4A是光-电流二极管的常规布局。图4B是根据本专利技术的一个实施例的用于高效辐射检测的、具有较小结面积和电容的光-电流二极管的改进布局。图5是根据本专利技术的一个实施例的具有用作光-电流二极管的寄生双极的光电晶体管设计。图6是根据本专利技术的一个实施例的具有用作辐射检测器的装置的智能设备或计算机系统或SOC(片上系统)。具体实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多核处理器，包括：多个辐射检测器；第一逻辑单元，用于从所述多个辐射检测器接收输出，所述第一逻辑单元用于根据从所述多个辐射检测器接收的输出来产生输出，所述第一逻辑单元的所述输出表示所述多核处理器是否暴露于辐射之下；以及第二逻辑单元，用于接收所述第一逻辑单元的所述输出并且使所述多核处理器根据所述第一逻辑单元的所述输出来执行动作。

【技术特征摘要】
2013.02.20 US 13/772,2601.一种多核处理器，包括：多个辐射检测器，至少一个所述辐射检测器包括二极管，所述二极管包括衬底、阳极区和阴极区，其中所述阳极区和所述阴极区分布在所述衬底的端部附近，使得所述衬底的大部分没有所述阳极区和所述阴极区；第一逻辑单元，用于从所述多个辐射检测器接收输出，所述第一逻辑单元用于根据从所述多个辐射检测器接收的输出来产生输出，所述第一逻辑单元的所述输出表示所述多核处理器是否暴露于辐射之下；以及第二逻辑单元，用于接收所述第一逻辑单元的所述输出并且使所述多核处理器根据所述第一逻辑单元的所述输出来执行动作。2.根据权利要求1所述的多核处理器，其中所述多个辐射检测器中的每一个辐射检测器包括：处于反向偏置模式的所述二极管；以及耦合到所述二极管的正反馈单元。3.根据权利要求2所述的多核处理器，其中所述二极管是利用MOS晶体管的寄生BJT来实现的。4.根据权利要求2所述的多核处理器，还包括偏置单元，所述偏置单元耦合到所述二极管，以设置所述二极管的辐射检测灵敏度。5.根据权利要求4所述的多核处理器，其中所述偏置单元能够被编程为调整所述二极管的灵敏度。6.根据权利要求1所述的多核处理器，其中所述第一逻辑单元根据来自于所述多个辐射检测器中的大多数辐射检测器的响应来产生所述输出。7.根据权利要求1所述的多核处理器，其中所述多个辐射检测器中的每一个辐射检测器包括：所述二极管；一端耦合到所述二极管的共栅极晶体管；电容器，该电容器具有：耦合到所述二极管的另一端的第一节点；以及耦合到地的第二节点；以及用于检测和存储所述第一节点的电压的锁存器。8.根据权利要求1所述的多核处理器，其中所述第二逻辑单元根据所述第一逻辑单元的所述输出来关闭所述多核处理器。9.一种用于检测高剂量辐射的装置，包括：分布在处理器管芯中的多个辐射检测器，至少一个所述辐射检测器包括二极管，所述二极管包括衬底、阳极区和阴极区，其中所述阳极区和所述阴极区分布在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·S·吉尔，N·R·塞弗特，J·A·马伊斯，X·杨，A·科恩菲尔德，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US