用于线路驱动器的三态控制制造技术

可实现用于发射机单元的线路驱动器的三态控制机制，以将发射机单元的输出阻抗在传送模式中的低阻抗状态与接收模式中的高阻抗状态之间进行切换，而同时使关断毛刺最小化。可确定包括该发射机单元的通信设备是被配置为在传送工作模式中还是在接收工作模式中。如果该通信设备被配置为在接收工作模式中，则可生成第一偏置电压以将该线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态。如果该通信设备被配置为在传送工作模式中，则可生成第二偏置电压以将该线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于线路驱动器的三态控制相关申请本申请要求于2011年12月29日提交的美国申请S/N.13/340，365的优先权权益。背景本专利技术主题内容的各实施例一般涉及通信设备领域，且尤其涉及用于线路驱动器的三态控制。通信设备包括发射机和接收机，它们通常共享共同通信介质用于传送或接收信号。对于有线通信网络而言，发射机的输出阻抗应该为低以便驱动低阻抗通信介质。发射机的输出处(例如，在线路驱动器电路处)的低阻抗能使得将要传送的信号被恰当地耦合至该通信介质。然而，当接收机正经由该通信介质接收信号时，发射机的输出阻抗应该为高以确保收到的信号被耦合至该接收机而非耦合至发射机。概述公开了用于线路驱动器的三态控制机制的各种实施例。在一个实施例中，通信设备包括接收机单元，其可操作用于在该通信设备被配置为在接收工作模式中时经由通信介质接收一个或多个信号。该通信设备还包括发射机单元，其可操作用于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时经由该通信介质传送一个或多个信号。发射机单元包括线路驱动器电路，其可操作用于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时放大经由该通信介质传送的这一个或多个信号。发射机单元还包括与线路驱动器电路耦合的偏置电路。该偏置电路可操作用于响应于在该通信设备被配置为在接收工作模式中时接收到第一控制信号来生成第一偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态。该偏置电路可操作用于响应于在该通信设备被配置为在传送工作模式中时接收到第二控制信号来生成第二偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。在一些实施例中，偏置电路包括第一 P沟道晶体管，其中第一 P沟道晶体管的漏极端与第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一 P沟道晶体管的源极端与电源耦合；第二 P沟道晶体管，其中第二 P沟道晶体管的漏极端与第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二P沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合，其中第二 P沟道晶体管的源极端与第一 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合，其中第二 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合；第一开关器件，其中第一开关器件的第一端与电源耦合并且第一开关器件的第二端与第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一开关器件的控制端可操作用于接收控制信号；第一 η沟道晶体管，其中第一 η沟道晶体管的漏极端与第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与电源耦合，其中第一 η沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合；第二 η沟道晶体管，其中第二 η沟道晶体管的漏极端与第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与第一 P沟道晶体管的源极端耦合，其中第二η沟道晶体管的源极端与接地端耦合；以及与第二η沟道晶体管耦合的第二开关器件，其中第二开关器件的第一端与接地端耦合并且第二开关器件的第二端与第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二开关器件的控制端可操作用于接收控制信号。在一些实施例中，线路驱动器电路包括与第三η沟道晶体管耦合的第三P沟道晶体管，其中第三P沟道晶体管的漏极端与第三η沟道晶体管的源极端耦合，第三P沟道晶体管的源极端与第三η沟道晶体管的漏极端耦合，第三P沟道晶体管的栅极端与偏置电路的第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，第三η沟道晶体管的栅极端与偏置电路的第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第三P沟道晶体管的漏极端与第三η沟道晶体管的源极端之结与接地端耦合，其中第三P沟道晶体管的源极端与第三η沟道晶体管的漏极端之结与电源耦合；以及线路驱动器电路的P沟道输出晶体管，其与该线路驱动器电路的η沟道输出晶体管耦合，其中P沟道输出晶体管的源极端与电源耦合，P沟道输出晶体管的漏极端与η沟道输出晶体管的漏极端耦合，η沟道输出晶体管的源极端与接地端耦合，其中P沟道输出晶体管的栅极端与第三P沟道晶体管的源极端与第三η沟道晶体管的漏极端之结耦合，其中η沟道输出晶体管的栅极端与第三P沟道晶体管的漏极端之结耦合并且第三η沟道晶体管的源极端与接地端耦合，其中P沟道输出晶体管的漏极端与η沟道输出晶体管的漏极端之结是该线路驱动器电路的输出端。在一些实施例中，偏置电路可操作用于生成第一偏置电压以将线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态包括:该偏置电路可操作用于将第一偏置电压应用于线路驱动器电路的每个输出晶体管的栅极端以将输出晶体管偏置在与输出晶体管相关联的截止状态和与输出晶体管相关联的饱和状态之间的中间工作状态，其中输出晶体管在被配置为在截止状态时关断，其中输出晶体管在被配置为在饱和状态时导通。在一些实施例中，线路驱动器电路与电阻性分压器电路耦合并且其中该电阻性分压器电路可操作用于在该通信设备被配置为在接收工作模式时接收第一控制信号以在电阻性分压器电路的输出端处维持恒定的输出共模电压；以及在该通信设备被配置为在传送工作模式时接收第二控制信号到电阻性分压器电路以将该电阻性分压器电路与通信介质解耦。在一些实施例中，发射机单元和接收机单元以差分模式相互耦合，其中该通信设备与通信介质耦合从而发射机单元与变压器的第一初级端口耦合，接收机单元与该变压器的第二初级端口耦合，并且该变压器的次级端口与通信介质耦合。在一些实施例中，该通信设备进一步包括工作模式控制单元，其可操作用于确定该通信设备是被配置为在传送工作模式还是接收工作模式；响应于确定该通信设备被配置为在接收工作模式而生成第一控制信号；以及响应于确定该通信设备被配置为在传送工作模式而生成与第一控制信号不同的第二控制信号。在一些实施例中，一种装置包括线路驱动器电路；以及与该线路驱动器电路耦合的偏置电路，该偏置电路包括:第一 P沟道晶体管，其中第一 P沟道晶体管的漏极端与第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一 P沟道晶体管的源极端与电源耦合；第二 P沟道晶体管，其中第二 P沟道晶体管的漏极端与第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二 P沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合，其中第二 P沟道晶体管的源极端与第一 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合，其中第二 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合；第一开关器件，其中第一开关器件的第一端与电源耦合并且第一开关器件的第二端与第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一开关器件的控制端可操作用于接收工作模式控制信号；第一 η沟道晶体管，其中第一 η沟道晶体管的漏极端与第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第一 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与电源耦合，其中第一 η沟道晶体管的栅极端与线路驱动器电路耦合；第二 η沟道晶体管，其中第二 η沟道晶体管的漏极端与第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与第一 P沟道晶体管的源极端耦合，其中第二η沟道晶体管的源极端与接地端耦合；以及与第二η沟道晶体管耦合的第二开关器件，其中第二开关器件的第一端与接地端耦合并且第二开关器件的第二端与第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中第二开关器件的控制端可操作用于接收工作模式控制信号。在一些实施例中，第一开关器件可操作用于在第一开关器件的控制端处接收工作模式控制信号，其中该工作模式控制信号指示将禁用线路驱动器电路；响应于第一开关器件接收到该工作模式控制信号以饱和模式工作；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通信设备，包括：接收机单元，其能操作用于在所述通信设备被配置为在接收工作模式时经由通信介质接收一个或多个信号；以及发射机单元，其能操作用于在所述通信设备被配置为在传送工作模式时经由所述通信介质传送一个或多个信号，其中所述发射机单元包括：线路驱动器电路，其能操作用于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时放大经由所述通信介质传送的所述一个或多个信号；以及与所述线路驱动器电路耦合的偏置电路，所述偏置电路能操作用于：响应于在所述通信设备被配置为在所述接收工作模式时接收到第一控制信号来生成第一偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态；响应于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时接收到第二控制信号来生成第二偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.29 US 13/340,3651.一种通信设备，包括: 接收机单元，其能操作用于在所述通信设备被配置为在接收工作模式时经由通信介质接收一个或多个信号；以及 发射机单元，其能操作用于在所述通信设备被配置为在传送工作模式时经由所述通信介质传送一个或多个信号，其中所述发射机单元包括: 线路驱动器电路，其能操作用于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时放大经由所述通信介质传送的所述一个或多个信号；以及 与所述线路驱动器电路耦合的偏置电路，所述偏置电路能操作用于: 响应于在所述通信设备被配置为在所述接收工作模式时接收到第一控制信号来生成第一偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在阈下状态； 响应于在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时接收到第二控制信号来生成第二偏置电压以将所述线路驱动器电路的输出晶体管偏置在饱和状态。2.如权利要求1所述的通信设备，其特征在于，所述偏置电路包括: 第一 P沟道晶体管，其中所述第一 P沟道晶体管的漏极端与所述第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一 P沟道晶体管的源极端与电源耦合； 第二 P沟道晶体管，其中所述第二 P沟道晶体管的漏极端与所述第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述 第二 P沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合，其中所述第二 P沟道晶体管的源极端与所述第一 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合，其中所述第二 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合； 第一开关器件，其中所述第一开关器件的第一端与所述电源耦合并且所述第一开关器件的第二端与所述第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一开关器件的控制端能操作用于接收所述控制信号； 第一 η沟道晶体管，其中所述第一 η沟道晶体管的漏极端与所述第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述电源耦合，其中所述第一 η沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合； 第二 η沟道晶体管，其中所述第二 η沟道晶体管的漏极端与所述第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第二 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述第一 P沟道晶体管的源极端耦合，其中所述第二 η沟道晶体管的源极端与所述接地端耦合；以及 与所述第二 η沟道晶体管耦合的第二开关器件，其中所述第二开关器件的第一端与所述接地端耦合并且所述第二开关器件的第二端与所述第二 η沟道晶体管的所述栅极端耦合，其中所述第二开关器件的控制端能操作用于接收所述控制信号。3.如权利要求2所述的通信设备，其特征在于，所述线路驱动器电路包括: 与第三η沟道晶体管耦合的第三P沟道晶体管，其中所述第三P沟道晶体管的漏极端与所述第三η沟道晶体管的源极端耦合，所述第三P沟道晶体管的源极端与所述第三η沟道晶体管的漏极端耦合，所述第三P沟道晶体管的栅极端与所述偏置电路的所述第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，所述第三η沟道晶体管的栅极端与所述偏置电路的所述第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第三P沟道晶体管的漏极端与所述第三η沟道晶体管的源极端之结与所述接地端耦合，其中所述第三P沟道晶体管的源极端与所述第三η沟道晶体管的漏极端之结与所述电源耦合；以及所述线路驱动器电路的P沟道输出晶体管，其与所述线路驱动器电路的η沟道输出晶体管耦合，其中所述P沟道输出晶体管的源极端与所述电源耦合，所述P沟道输出晶体管的漏极端与所述η沟道输出晶体管的漏极端耦合，所述η沟道输出晶体管的源极端与所述接地端耦合，其中所述P沟道输出晶体管的栅极端与所述第三P沟道晶体管的源极端与所述第三η沟道晶体管的漏极端之结耦合，其中所述η沟道输出晶体管的栅极端与所述第三P沟道晶体管的漏极端之所述结耦合并且所述第三η沟道晶体管的所述源极端与所述接地端耦合，其中所述P沟道输出晶体管的漏极端与所述η沟道输出晶体管的漏极端之结是所述线路驱动器电路的输出端。4.如权利要求1所述的通信设备，其特征在于，所述偏置电路能操作用于生成第一偏置电压以将所述线路驱动器电路的所述输出晶体管偏置在所述阈下状态包括所述偏置电路能操作用于: 将所述第一偏置电压应用于所述线路驱动器电路的每个所述输出晶体管的栅极端以将所述输出晶体管偏置在与所述输出晶体管相关联的截止状态和与所述输出晶体管相关联的饱和状 态之间的中间工作状态，其中所述输出晶体管在被配置为在截止状态时被关断，其中所述输出晶体管在被配置为在饱和状态时被导通。5.如权利要求1所述的通信设备，其特征在于，所述线路驱动器电路与电阻性分压器电路耦合并且其中所述电阻性分压器电路能操作用于: 在所述通信设备被配置为在所述接收工作模式时接收所述第一控制信号以在所述电阻性分压器电路的输出端处维持恒定的输出共模电压；以及 在所述通信设备被配置为在所述传送工作模式时接收所述第二控制信号到所述电阻性分压器电路以将所述电阻性分压器电路与所述通信介质解耦。6.如权利要求1所述的通信设备，其特征在于，所述发射机单元和所述接收机单元以差分模式相互耦合，其中所述通信设备与所述通信介质耦合从而使所述发射机单元与变压器的第一初级端口耦合，所述接收机单元与所述变压器的第二初级端口耦合，以及所述变压器的次级端口与所述通信介质耦合。7.如权利要求1所述的通信设备，其特征在于，进一步包括工作模式控制单元，所述工作模式控制单元能操作用于: 确定所述通信设备被配置为在所述传送工作模式还是所述接收工作模式； 响应于确定所述通信设备被配置为在所述接收工作模式，生成所述第一控制信号；以及 响应于确定所述通信设备被配置为在所述传送工作模式，生成与所述第一控制信号不同的所述第二控制信号。8.一种装置，包括: 线路驱动器电路；以及 与所述线路驱动器电路耦合的偏置电路，所述偏置电路包括: 第一 P沟道晶体管，其中所述第一 P沟道晶体管的漏极端与所述第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一 P沟道晶体管的源极端与电源耦合； 第二 P沟道晶体管，其中所述第二 P沟道晶体管的漏极端与所述第二 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第二 P沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合，其中所述第二 P沟道晶体管的源极端与所述第一 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结耦合，其中所述第二 P沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与接地端耦合； 第一开关器件，其中所述第一开关器件的第一端与所述电源耦合并且所述第一开关器件的第二端与所述第一 P沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一开关器件的控制端能操作用于接收工作模式控制信号； 第一 η沟道晶体管，其中所述第一 η沟道晶体管的漏极端与所述第一 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第一 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述电源耦合，其中所述第一 η沟道晶体管的栅极端与所述线路驱动器电路耦合； 第二 η沟道晶体管，其中所述第二 η沟道晶体管的漏极端与所述第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第二 η沟道晶体管的漏极端与栅极端之结与所述第一 P沟道晶体管的源极端耦合，其中所述第二 η沟道晶体管的源极端与所述接地端耦合；以及 与所述第二 η沟道晶体管耦合的第二开关器件，其中所述第二开关器件的第一端与所述接地端耦合并且所述第二开关器件的第二端与所述第二 η沟道晶体管的栅极端耦合，其中所述第二开关器件的控制端能操作用于接收所述工作模式控制信号。9.如权利要求8所述的装置，其特征在于， 所述第一开关器件能操作用于 : 在所述第一开关器件的所述控制端处接收所述工作模式控制信号，其中所述工作模式控制信号指示将禁用所述线路驱动器电路； 响应于所述第一开关器件接收到所述工作模式控制信号，以饱和模式工作；以及基于所述第一开关器件以所述饱和模式工作，通过将所述第一 P沟道晶体管耦合至所述电源来短路所述第一 P沟道晶体管；以及所述第二开关器件能操作用于: 在所述第二开关器件的所述控制端处接收所述工作模式控制信号的逻辑反，其指示将禁用所述线路驱动器电路； 响应于所述第二开关器件接收到所述工作模式控制信号的所述逻辑反，以所述饱和模式工作；以及 基于所述第二开关器件以所述饱和模式工作，通过将所述第二 η沟道晶体管耦合至所述接地端电源来短路所述第二 η沟道晶体管。10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，响应于所述第一开关器件基于所述第一开关器件以所述饱和模式工作通过将所述第一 P沟道晶体管耦合至所述电源来短路所述第一 P沟道晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：SM·李，M·P·玛克，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US