锆基、铜基非晶合金及其制备方法、及由其制得的电子产品结构件及加工方法技术

技术编号:10354598 阅读:195 留言:0更新日期:2014-08-27 11:00
本发明专利技术公开了一种锆基、铜基非晶合金及其制备方法、及由其制得的电子产品结构件及加工方法,其中,该锆基非晶合金具有结构式(ZraAlbCucNid)100-e-fTieMf,铜基非晶合金(CuaZrbAlcNid)100-e-fTieMf。本发明专利技术提供的电子产品结构件的加工方法包括:在真空度大于等于10-3torr的条件下,将本发明专利技术提供的铜基或锆基非晶合金熔融得到熔融液;将模具加热至温度大于等于150℃且小于等于350℃;将上述熔融液倒入模具中冷却得到电子产品结构件。本发明专利技术提供的锆基、铜基非晶合金具有较低的临界冷却温度,由其制得的电子产品结构件具有更好的力学性能,并且其加工工艺简单且成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非晶合金领域,具体而言,涉及一种。
技术介绍
当前信息、新材料、新能源成科技创新的三大支柱,尤其在IT电子产品领域三者有机结合,大大推动了社会的发展和生活水平的提高。电子产品在技术创新的过程中,同时追求着时尚的外观,轻巧的结构设计,这些都离不开新材料新工艺的应用。目前,市场上的高端电子产品结构件材料主要是不锈钢、铝合金、镁合金、钛合金等。铝合金、镁合金存在先天的力学性能不足的问题,强度达不到设计的要求,加工得到的电子产品结构件弹性强度小,易产生塑性变形,即变形后不会恢复到原有的形状,成为产品开发的瓶颈。钛合金难加工,加工成本高,并且金属表面容易氧化发蓝,也不适合作为电子产品结构件的材料,尤其是电子产品的外壳。不锈钢是目前电子产品机构件的首选材料,但是利用不锈钢生产电子产品结构件,需要大量的计算机数字控制机床(Computer Numerical Control,简称为CNC)加工,加工成本高,并且随着全球消费性电子产品需求量的增速加快,全球的CNC机台出货量已不能满足加工需求。此外,不锈钢加工得到的产品容易变形,产品良率低,增加了额外加工成本。
技术实现思路
针对相关技术中电子产品结构件弹性强度低的问题,本专利技术提供了一种,以至少解决上述问题。根据本专利技术的一个方面,提供了一种锆基非晶合金,上述锆基非晶合金的化学式为:(ZraAlbCucNid) 100_e_fTieMf, a、b、C、d、e 和 f 为原子数,其中,0.4 ≤ a ≤ 0.7,0.08 ≤ b ≤ 0.2,0.07≤ c≤0.33,0.05≤d ≤ 0.2,0 ≤ e ≤ 10,0 ≤ f ≤25,并且 a、b、C、d之和为I ;其中,M选自Nb、Ta和Sc中的一种或一种以上的组合。优选地,上述锆基非晶合金的化学式为Zr57AlltlCu15.4Ni12.6Nb5或Zr52.5A110Cui7> gNii4.6。根据本专利技术的又一个方面,提供了一种铜基非晶合金,上述铜基非晶合金的化学式为:(CuaZrbAlcNid) 100-e-fTieMf, a、b、C、d、e 和 f 为原子数,其中,0.4 ≤ a ≤0.8,0.1≤bv0.5,0≤c≤0.1,0≤d≤0.2,0≤e≤40,0≤f≤25,并且a、b、C、d之和为I ;其中,M选自Nb、Si和Se中的一种或一种以上的组合。优选地,上述铜基非晶合金的化学式为Cu47Zr11Ni8Ti34或Cu47Zr11Ni8Ti33Si115根据本专利技术的又一个方面,提供了一种非晶体合金的制备方法,包括:按照上述锆基非晶合金或铜基非晶合金的化学式中原子数配比准备各个原料;将上述各个原料中熔点高于2000°C的原料熔炼得到母合金;将上述母合金和剩余原料熔炼得到上述非晶体合金。优选地,熔炼得到上述母合金的步骤包括:在惰性气氛,真空度大于等于10_5tOrr以及电流强度IOA飞OA的条件下,熔炼得到上述母合金。根据本专利技术的又一个方面,提供了一种电子产品结构件,由上述锆基非晶合金或铜基非晶合金制备而成。根据本专利技术的又一个方面,提供了一种电子产品结构件的加工方法,包括:在真空度大于等于10_3torr的条件下,将上述锆基非晶合金或铜基非晶合金熔融得到熔融液;将模具加热至温度大于等于150°C且小于等于350°C;将上述熔融液倒入上述模具中冷却得到电子产品结构件。本专利技术提供的锆基、铜基非晶合金具有较低的临界冷却温度,由其制得的电子产品结构件具有更好的力学性能,并且其加工工艺简单且成本低。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本申请的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1是根据本专利技术实施例的块体非晶合金的制备方法的流程示意图;图2是根据本专利技术实施的电子产品结构件的加工方法与切削加工方法的对照图;图3是根据本专利技术实施例的电子产品结构件的加工方法所得的移动终端支架的结构图;以及图4是根据本专利技术实施例的电子产品结构件的XRD测试的曲线图。【具体实施方式】下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在本专利技术实施例的一个实施方式中,提供了一种锆基非晶合金,该锆基非晶合金的化学式为:(ZraAlbCueNid) 1QQ_e_fTieMf,其中,a、b、C、d、e 和 f 为原子数,0.4 ≤ a ≤ 0.7,0.08 ≤ b ≤ 0.2,0.07 ≤ c ≤ 0.33,0.05 ≤ d ≤ 0.2,并且 a、b、c、d 之和为 I ;0 ≤ e ≤ 10,O≤f≤25 ;其中,M选自Nb、Ta和Sc中的一种或一种以上的组合。在专利技术实施例的另一个实施方式中,提供了一种铜基非晶合金,该铜基非晶合金的化学式为:(CuaZrbAleNid) 1QQ_e_fTieMf,其中,a、b、C、d、e 和 f 为原子数,0.4 ≤ a ≤ 0.8,0.1 ^ 0.5,0 ^ c ^ 0.1,0 ≤ d ≤ 0.2,并且a、b、c、d之和为 I ;0 ≤ e ≤ 40,O ≤ f ≤ 25 ;其中,M选自Nb、Si和Se中的一种或一种以上的组合。按照本专利技术实施例的上述元素和配比得到的锆基非晶合金和铜基非晶合金,具有更高的临界冷却速度,降低了形成非晶合金的临界冷却速度,即在冷却温度变化更慢的情况下,就能够得到非晶合金,因此,便于工业生产。并且,本专利技术实施例的上述锆基非晶合金和铜基非晶合金,相对于不锈钢具有更好的耐蚀性、耐磨性、强度、硬度和韧性。在本专利技术实施例的再一个实施方式中,提供了一种非晶体合金的制备方法,该制备方法包括:按照上述锆基非晶合金或铜基非晶合金的化学式中原子数配比准备各个原料,将上述各个原料中熔点高于2000°C的原料熔炼得到母合金,将上述母合金和剩余原料熔炼得到非晶体合金。在本专利技术实施例中,通过将熔点高于2000°C的原料熔炼得到母合金,再将母合金和其他原料熔炼得到非晶体合金,能够降低熔炼的熔点。在本专利技术实施例的一个优选实施方式中,熔炼得到上述母合金的步骤包括:在惰性气氛下,真空度大于等于10_5torr、电流强度IOA飞OA熔炼得到上述母合金。在实际应用中,可以将上述母合金和剩余原料得到的熔融液进行冷却凝固,从而得到非晶体合金。通过本专利技术实施例的上述方法,在真空度大于等于10_5torr、电流强度IOA飞OA熔炼得到上述母合金,并将母合金和剩余原料熔炼得到分晶合金,由于熔炼过程处于真空度大于等于10_5torr的环境,降低了氧气含量,使得非晶合金不易被氧化,使得非晶合金的性能更优越。在本专利技术实施例的一个实施 方式中,还提供了一种电子产品结构件,由上述锆基非晶合金或铜基非晶合金制备而成。在本专利技术实施例的一个实施方式中,还提供了一种电子产品结构件的加工方法,该方法包括:在真空度大于等于10_3torr的条件下,将上述锆基非晶合金或铜基非晶合金熔融得到熔融液;将模具加热至温度大于等于150°c且小于等于350°C ;将上述熔融液倒入上述模具中冷却得到电子产品结构件。在压铸过程中,模具的温度过高,则会增加产品的氧化程度,模具的温度过低,则会导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锆基非晶合金,其特征在于,所述锆基非晶合金的化学式为:(ZraAlbCucNid)100‑e‑fTieMf,a、b、c、d、e和f为原子数,其中,0.4≤a≤0.7,0.08≤b≤0.2,0.07≤c≤0.33,0.05≤d≤0.2,0≤e≤10,0≤f≤25,并且a、b、c、d之和为1;其中,M选自Nb、Ta和Sc中的一种或一种以上的组合。

【技术特征摘要】
1.一种锆基非晶合金,其特征在于,所述锆基非晶合金的化学式为: (ZraAlbCucNid) 100-e-fTieMf, a、b、C、d、e 和 f 为原子数,其中,0.4 ≤ a ≤ 0.7,0.08 ^ b ^ 0.2,0.07 ^ c ^ 0.33,0.05 ^ d ^ 0.2,0 ^ e ^ 10,0 ^ f ^ 25,并且 a、b、C、d之和为I ; 其中,M选自Nb、Ta和Sc中的一种或一种以上的组合。2.根据权利要求1所述的锆基非晶合金,其特征在于,所述锆基非晶合金的化学式为Zr57Al10Cu15.4Ni12.6Nb5 或 Zr52.5Al10Cu17.9Ni14.6。3.一种铜基非晶合金,其特征在于,所述铜基非晶合金的化学式为: (CuaZrbAlcNid) 100-e-fTieMf, a、b、C、d、e 和 f 为原子数,其中,0.4 ≤ a ≤ 0.8,0.1≤b≤0.5,0≤c≤0.1,0≤d≤0.2,0≤e≤40,0≤f≤25,并且a、b、C、d之和为I ; 其中,M选自Nb、Si和Se中...

【专利技术属性】
技术研发人员:李杨勇魏冬胡浩李建邦
申请(专利权)人:中兴通讯股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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