同轴低通滤波器制造技术

本实用新型专利技术适用于通信领域，提供了一种同轴低通滤波器，一根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。借此，本实用新型专利技术实现了紧凑的结构、可在低通滤波器中自由选择垂直或者水平放置。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
同轴低通滤波器
本技术涉及通信
，尤其涉及一种同轴低通滤波器。
技术介绍
在微波通信行业，很多场合(尤其是基站天馈单元)需要用到低通滤波器(LowPass Filter，简称LPF)作为高频抑制的器件。这种用作高频抑制的LPF通常采用的结构形式截面形状是圆形或者是正方形的结构形式。传统的圆形或者是正方形的结构有其优点，如结构简单，实现起来很方便、成本较低(仅圆形形式)，但是也有其缺点，如体积较大，需要在滤波器里面占用较大的面积，在如今天馈滤波器产品指标越来越趋于理论值的今天，减小除了带通滤波器以外的单元的体积是一件非常有意义和非常有必要的工作，这些单元包括LPF、COUPLER (耦合器)等。综上可知，现有技术在实际使用上，显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。
技术实现思路
针对上述的缺陷，本技术的目的在于提供一种，克服上述现有圆形或者是正方形的结构形式的LPF体积较大，需要在滤波器里面占用较大的面积的缺陷，提供一种结构紧凑，可自由选择垂直或者水平占用滤波器体积，从而达到最优化滤波器结构的目的。为了实现上述目的，本技术提供一种同轴低通滤波器，其特征在于，包括:—根金属导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴低通滤波器，其特征在于，包括： 一根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。

【技术特征摘要】
1.一种同轴低通滤波器，其特征在于，包括: 一根金属导体，所述金属导体包括交错间隔串接设置的多个低阻抗的电容结构和多个高阻抗的电感结构，所述电容结构的厚度由所述金属导体两端到中间递增，所述金属导体的外面包裹着塑料层，所述低阻抗电容结构的轴向垂直面方向的截面是扁平形状。2.根据权利要求1所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述截面是矩形。3.根据权利要求2所述的同轴低通滤波器，其特征在于，所述金属导体结构包裹所述塑料层后的所述截面的两窄边宽度小于和/或等于3.7mm。4.根据权利要求3所述的同轴低通滤波器，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：游伟，
申请(专利权)人：摩比天线技术深圳有限公司，摩比通讯技术吉安有限公司，摩比科技西安有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44