本发明专利技术涉及有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置。本发明专利技术涉及用于液晶显示装置的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。本发明专利技术的有源矩阵基板具备：基板；形成在基板上的栅极配线；和层间绝缘层，该层间绝缘层用于将形成在栅极配线上的其它层与栅极配线绝缘，在基板的一部分区域中，层间绝缘层不设置在栅极配线的上表面而使上表面露出，另一方面，在栅极配线的至少沿着长度方向的端面，层间绝缘层以与端面相接的方式设置在基板上。根据本发明专利技术，能够减少在有源矩阵基板的制造时和部件安装时的不良情况的产生，因此能够利用在追求低成本且高可靠性的液晶显示装置的制造中。
【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置本案是申请日为2008年8月4日、申请号为200880101062.4、专利技术名称为有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法和液晶显示装置的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及用于液晶显示装置的有源矩阵基板和具备该有源矩阵基板的液晶显示装置。
技术介绍
历来，作为电视和监视器等显示装置，广泛使用液晶显示装置。其中，在各像素中具备作为开关元件的晶体管的有源矩阵型的液晶显示装置，从高显示品质和高速响应性等观点来看，近年来逐渐成为液晶显示装置的主流。构成该有源矩阵型液晶显示装置的液晶显示面板，一般通过将作为对置基板的彩色滤光片基板、和有源矩阵基板组合为一对而形成。并且，在上述有源矩阵基板中，具备:配置为棋盘格子状的像素电极、相互正交地设置在该像素电极之间的多条栅极配线和源极配线、设置在该栅极配线和源极配线的交点近旁的作为开关元件的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。这里，在上述液晶显示面板中的显示区域即像素区域中，一般在上述栅极配线与像素电极或源极配线之间设置有绝缘层。此外，在液晶显示面板的周边区域即端子区域中，为了与其他部件电连接，设置有上述栅极配线和源极配线的表面露出的部分。(专利文献I)作为具有这样的结构的液晶显示装置，例如，存在专利文献I记载的液晶显示装置。具体而言，在专利文献I中记载有如下结构:在显示区域(像素区域)中，栅极电极和源极电极在它们之间隔着栅极绝缘膜而形成在第一透明基板上，进一步，栅极电极、栅极绝缘膜和源极电极被保护膜覆盖。并且，上述保护膜，在位于上述显示区域的周边的端子区域中，形成在配线端子部以外的部分。(专利文献2)此外，在专利文献2中记载有如下结构:在像素区域中，在信号配线(源极配线)上设置上部绝缘膜，在使表面平坦后，在该上部绝缘膜上形成像素电极。(专利文献3)此外，在专利文献3中记载有如下结构:在像素部(像素区域)和端子部(端子区域)中，除在基板上设置基底层以外，还在其上形成配线。专利文献1:日本国公开专利公报“特开2007-94028号公报(2007年4月12日公开)，，专利文献2:日本国公开专利公报“特开2001-281680号公报(2001年10月10日公开)”专利文献3:日本国公开专利公报“特开2005-210081号公报(2005年8月4日公报)，，
技术实现思路
但是，在现有的液晶显示装置，例如上述专利文献I所记载的液晶显示装置中，存在如下问题:在端子区域中，容易产生配线的剥落、在该配线上进一步层叠层的情况下，在该层叠的层上容易产生切断。下面，基于附图进行说明。图10是表示液晶显示面板10的概略结构的俯视图。如图10所示，液晶显示面板10通过将彩色滤光片基板20和有源矩阵基板30贴合而形成。并且，当比较上述彩色滤光片基板20和有源矩阵基板30时，有源矩阵基板30大一圈。其结果，在液晶显示面板10的周围，形成有有源矩阵基板30从彩色滤光片基板20伸出的部分。这里，在液晶显示面板10中，将占据其中心区域且显示图像的区域作为像素区域RA。另一方面，在上述有源矩阵基板30伸出的部分中，将形成有用于与外部电连接的配线的区域作为端子区域RB。并且，将图10所示的液晶显示面板10的端子区域RB的一部分即区域Rl放大，表示形成在该区域的配线的结构的图为图11。如图11所示那样在上述端子区域RB中，栅极配线50等配线几乎平行地形成有多条。并且，表示图11所示的端子区域RB的A-A线截面的图为图12。(栅极配线3层结构)这里，在图12中，表示形成在端子区域RB的配线即配线50具有3层结构的情况。如下所示，从图13至图15中，同样地以栅极配线50具有3层构造的情况为例进行说明。如图12所示，例如，在由3层结构形成的栅极配线50从玻璃基板32侧依次为钛(T1:Titanium、第一钛层 52)、招(Al:Aluminium、招层 54)、钛(T1:Titanium、第二钛层 56)的情况下，因在对上述栅极配线50进行图案化之际等的耐药液性等的影响，位于3层内的中间的铝层54比其他第一钛层52和第二钛层56被更大地被削入，在第一钛层52和第二钛层56之间形成空隙(图12所示的区域R10)。并且，该空隙如接下来说明的那样，成为栅极配线50的剥落、层叠在该栅极配线50的上层的层切断的原因。另外，如表示上述图11的B-B线截面的图即图15所示那样，多条并列设置的栅极配线50的截面形状几乎相同。(剥落)首先，对栅极配线50的剥落进行说明。如示意性地表示栅极配线50的剥落情况的图即图13所示，对于成为上述空隙(参照图12所示的区域R10)的上边的第二钛层56，由于在其下不存在铝层54，因此容易产生弯曲等变形(参照图13所示的区域R12)，进而产生第二钛层56的剥落。(切断)接着，对切断进行说明。图14是表示层叠在栅极配线50上的层已切断的情况的图。这里，切断的意思是层在台阶部分断裂。如图14所示，在层间具有空隙(参照图12所示的区域R10)的栅极配线50中，在其上层层叠有栅极绝缘层78和沟道半导体层80的情况下，该栅极绝缘层78和沟道半导体层80变为覆盖上述空隙RlO的形态。并且，由于如上所述第二钛层56容易弯曲，因此由于该第二钛层56的变形的影响，栅极绝缘层78和沟道半导体80断裂，产生所谓的上述切断。此外，存在由于第二钛层56与第一钛层52或玻璃基板32的陡峭的台阶而产生上述切断的情况。(栅极配线I层结构)此外，在上述使用图12至图15进行的说明中，对栅极配线50具有3层结构的情况进行了说明，但即使在栅极配线50由一层构成的情况下，上述剥落和切断也会产生。S卩，如在栅极配线50由一层构成的情况下的相当于上述图11的A-A线截面图的图16所示那样，在栅极配线50由基于例如钛或铝的一层构成的情况下，栅极配线50的截面形状存在变为所谓的倒锥形状的情况。这里，倒锥形状的意思是如下形状:关于栅极配线50的线宽度，该线宽度随着远离与玻璃基板32相接的部分而扩展。即，意思是与玻璃基板32相接的部分的线宽度变得最狭窄的形状。此外，在栅极配线50由一层构成的情况下的表示上述图11的B-B线截面的图为图17。如图17所示，在栅极配线50由一层构成的情况下，多条并列设置的栅极配线50的截面形状(倒锥形状)几乎相同。即使在这样的具有倒锥形状的栅极配线50中，与形成有上述空隙的栅极配线50相同，也容易产生剥落和切断。S卩，就剥落而言，在倒锥形状中，相对于玻璃基板32的接触面积变小，另外，当什么东西与倒锥形状的顶端部分接触时，会轻易地产生促使剥离的应力。此外，就切断而言，当在锥形状的栅极配线50的上层层叠有栅极绝缘层78和沟道半导体层80等时，容易由该栅极绝缘层78和沟道半导体层80、和锥形状的栅极配线50的边缘形成空隙。并且，覆盖该空隙的栅极绝缘层78和沟道半导体层80，由于与使用上述的图14说明了的情况相同的理由，容易产生断裂。即，在倒锥形状的边缘部分(图16和图17所示的区域R16)，容易产生切断。如以上那样，对于端子区域的栅极配线50等配线，容易产生剥落和切断等不良情况。但是，在上述各现有技术中难以回避该不良情况的产生。S卩，在本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有源矩阵基板，其具备：基板；形成在所述基板上的具有2层以上的结构且各层的截面形状为锥形状的栅极电极；形成在该栅极电极上的其他层；和绝缘层，该有源矩阵基板的特征在于：在所述基板上形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有：形成在所述基板上的所述栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘膜和沟道半导体层；和分别与所述沟道半导体层单独连接的源极电极和漏极电极，在所述薄膜晶体管中，在所述栅极电极与所述栅极绝缘膜重叠的部分没有形成所述绝缘层，所述栅极电极的端部具有帽檐状地突出的部分，在所述基板的一部分区域中，在该栅极电极的上表面没有设置所述绝缘层，所述上表面露出，而在所述栅极电极中最上层的正下方的层的至少沿着长度方向的端面，所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上，所述2层以上的结构的栅极电极的端面的凹的部分被所述绝缘层填埋。
【技术特征摘要】
2007.10.02 JP 2007-2592051.一种有源矩阵基板，其具备:基板；形成在所述基板上的具有2层以上的结构且各层的截面形状为锥形状的栅极电极；形成在该栅极电极上的其他层；和绝缘层，该有源矩阵基板的特征在于: 在所述基板上形成有薄膜晶体管， 所述薄膜晶体管具有:形成在所述基板上的所述栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘膜和沟道半导体层；和分别与所述沟道半导体层单独连接的源极电极和漏极电极， 在所述薄膜晶体管中，在所述栅极电极与所述栅极绝缘膜重叠的部分没有形成所述绝缘层， 所述栅极电极的端部具有帽檐状地突出的部分， 在所述基板的一部分区域中， 在该栅极电极的上表面没有设置所述绝缘层，所述上表面露出， 而在所述栅极电极中最上层的正下方的层的至少沿着长度方向的端面，所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上，所述2层以上的结构的栅极电极的端面的凹的部分被所述绝缘层 填埋。2.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于: 在所述基板上形成有:与所述栅极电极连接的栅极配线；和与所述源极电极连接的源极配线， 所述绝缘层，在所述栅极配线与所述源极配线交叉的部分形成在所述栅极配线与所述源极配线之间。3.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于: 在所述基板的一部分区域的所述栅极电极的端面，所述绝缘层以与所述端面相接的方式设置在所述基板上。4.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于: 所述基板的一部分区域为所述基板的周围区域。5.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于: 所述基板的一部分区域为所述基板的连接区域。6.如权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于: 所述绝缘层的与所述栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：田中哲宪，伴厚志，妹尾亨，中村涉，嶋田幸峰，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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