I线光刻胶组合物以及使用该组合物形成精细图案的方法技术

本发明专利技术公开了一种在200～250℃高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该组合物形成精细图案的方法，通过该组合物可以形成使用酸扩散层的精细光刻胶图案。该I线光刻胶组合物包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，重复单元选自由1～99mol%的说明书中化学式1代表的重复单元、化学式2代表的重复单元、化学式3代表的重复单元及其混合物构成的组;含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及有机溶剂。在化学式2和3中，R*和R**分别是H或甲基，R1是H或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基，该烃基含有1～4个氧原子或不含氧原子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，尤其涉及一种在200?250°C高温下具有良好热稳定性的I线光刻胶组合物以及利用该光刻胶形成精细图案的方法，通过该光刻胶可以形成使用酸扩散层(acid-diffusion layer)的精细光刻胶图案。
技术介绍
尺寸更小、集成度更高的半导体器件需要实现精细图案的技术。在形成半导体器件精细图案的方法中，最有效的方法是利用精细光刻胶图案，通过曝光装置显影和附加过程弓I入可以获得上述精细光刻胶图案。在附加过程中，利用嵌段共聚物(block copolymer (BCP))自组装的定向自组装(DSA)光刻有可能形成线宽(line width)小于或等于20nm的精细图案，这是已知的常规光学图案形成方法的极限。DSA光刻，与常规的光刻胶图案过程联合，将BCP的随机定向改变为有序定向，从而形成半导体器件的精细图案。具体地，为了 BCP的有序定向，BCP被涂覆在形成光刻胶图案的晶片(wafer)或ITO玻璃薄膜上，然后加热以形成BCP涂覆层。在超过玻璃化转变温度(Tg)的温度下，加热BCP涂覆层，BCP涂覆层被重排，从而获得有序定向的自组装图案。因此，利用DSA光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种I线光刻胶组合物，包括：含有1～99mol%的重复单元的聚合物，所述重复单元选自由1～99mol%的以下化学式1代表的重复单元、以下化学式2代表的重复单元、以下化学式3代表的重复单元以及它们的混合物构成的组；含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物;以及有机溶剂；[化学式1][化学式2][化学式3]其中，在所述化学式2和化学式3中，R*和R**分别是氢原子或甲基基团，R1是氢原子或具有3～15个碳原子的链状、分支状或环状烃基基团，所述烃基基团含有1～4个氧原子或不含氧原子，R2是具有1～30个碳原子的链状、分支状或环状烃基基团，所述烃基基团含有1～4个氧原子或不含氧原子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.22 KR 10-2011-00957541.一种I线光刻胶组合物，包括: 含有I~99mol%的重复单元的聚合物，所述重复单元选自由I~99mol%的以下化学式I代表的重复单元、以下化学式2代表的重复单元、以下化学式3代表的重复单元以及它们的混合物构成的组； 含有至少两个重氮萘醌(DNQ)基团的光敏化合物；以及 有机溶剂； [化学式I] 2.如权利要求1所述的I线光刻胶组合物，其中所述聚合物选自由以下化学式Ia~Id代表的聚合物构成的组， [化学式Ia] 3.如权利要求1所述的I线光刻胶组合物，其中所述聚合物选自由以下化学式2a~2f代表的聚合物构成的组， [化学式2a] 4.如权利要求1所述的I线光刻胶组合物，其中所述光敏化合物选自由以下化学式4代表的化合物、以下化学式5代表的化合物、以下化学式6代表的化合物以及它们的化合物构成的组， [化学式4] 5.如权利要求1所述的I线光刻胶组合物，其中所述有机溶剂选自由乙酸正丁酯(nBA)、乙酸乙酯(EL)、Y - 丁内酯(GBL)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)以及它们的混合物构成的组...

【专利技术属性】
技术研发人员：李正烈，张有珍，李载禹，金宰贤，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：韩国;KR