一种Ge衬底异质结热光伏电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次生长有发射区、上电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，Ge衬底为较窄禁带宽度p-Ge层；发射区为较宽禁带宽度n-GaxInyP层。本实用新型专利技术由于采用具有较宽禁带宽度的Ga和In比例能够精确调节的n-GaxInyP层作为发射区，采用较窄禁带宽度的p-Ge衬底作为基区，形成了发射区与基区晶格精确匹配的异质结结构，降低了GaxInyP/Ge界面复合，宽带隙发射区减少了发射区对光的吸收而增加了基区对光的吸收，从而减小了光生载流子在n型发射区及其表面处复合，提高了光生载流子收集效率，提高了电池的光电转换效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ge衬底异质结热光伏电池，包括作为基区的Ge衬底，Ge衬底上面自下至上依次为发射区、电极接触层和上电极,Ge衬底下面制有下电极，其特征在于：所述Ge衬底为厚度50～500μm的窄禁带宽度p‑Ge层；所述发射区为厚度小于500nm的宽禁带宽度n‑GaxInyP层，电极接触层与上电极的形状、线宽相同，其顶部被上电极所覆盖；发射区未被栅线和电极接触层覆盖的上表面制有光学减反射层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘振，赵彦民，方亮，纪伟伟，赖运子，乔在祥，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十八研究所，
类型：新型
国别省市：天津;12