具有抗裂膜结构的微机电系统器件及其制造方法技术方案

提供了抗裂微机电系统(MEMS)器件及其制造方法。在一个实施例中，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。所述多层膜结构是通过在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层具有不平的上表面制造的。然后将预定厚度的基膜层去除以赋予所述基膜层平的上表面。在所述基膜层的所述平的上表面上形成的盖膜层包括具有基本平行的晶粒取向的多晶硅的材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制造微机电系统(MEMS)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成牺牲体；在所述衬底上制造多层膜结构，其中所述制造包括：在所述牺牲体上和周围形成基膜层使得所述基膜层有不平的上表面；从所述基膜层的顶部去除预定厚度的材料以赋予所述基膜层以平的上表面；在所述基膜层的所述平的上表面上形成盖膜层，所述盖膜层包括在所述盖膜层和所述基膜层之间的界面处的具有基本平行的晶粒取向的多晶硅；以及去除至少一部分所述牺牲体以在所述多层膜结构内形成内腔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·S·道森，D·比利克，刘连军，A·C·麦克内尔，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US