低压直流负载过载测控电路制造技术

本发明专利技术涉及一种低压直流负载过载测控电路。本发明专利技术包括测控主电路和过载判别电路，具体包括驱动器DR、直流负载DL、晶闸管VT1、MOS管VT2、稳压管DW1、限压管DW2、比较器IC1、电感L1、二极管D1、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、稳压电容C1、滤波电容C2、设定电容C3等。本发明专利技术利用超低导通电阻的功率场效应管，既作为电流检测元件，也作为电路关断控制元件，结合晶闸管的半控特性及在负载回路中串接的微量电感及快速判别电路，实现对低压直流负载的过载与短路故障进行实时检测、判别与安全控制，本发明专利技术结构简单、安全可靠、成本低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种低压直流负载过载测控电路。本专利技术包括测控主电路和过载判别电路，具体包括驱动器DR、直流负载DL、晶闸管VT1、MOS管VT2、稳压管DW1、限压管DW2、比较器IC1、电感L1、二极管D1、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、稳压电容C1、滤波电容C2、设定电容C3等。本专利技术利用超低导通电阻的功率场效应管，既作为电流检测元件，也作为电路关断控制元件，结合晶闸管的半控特性及在负载回路中串接的微量电感及快速判别电路，实现对低压直流负载的过载与短路故障进行实时检测、判别与安全控制，本专利技术结构简单、安全可靠、成本低。【专利说明】低压直流负载过载测控电路
本专利技术属于工业测控领域，涉及一种电路，特别涉及一种低压直流负载过载测控电路，适用于需要对低压直流负载的过载或短路故障进行实时检测与安全保护控制的场口 O
技术介绍
在用直流驱动电源(也称驱动器)给低压直流负载的供电中，经常发生因负载过载或发生短路现象而损坏直流驱动电源及负载本身，因此，必须进行对过载与短路故障进行实时检测与安全保护控制。目前常用的有效方法是:通过响应迅速的霍尔电流传感器对负载电流进行实时检测、比较判断，当超过安全阈值时即发出指令，关断驱动器并发出报警指示，以实现对驱动器、直流负载的安全保护。该方法存在的问题是:一是因负载过载或短路故障时电流很大，因此驱动器内的功率器件容量要取较大裕量，用于短路检测的霍尔电流传感器的量程也要选得比正常工作电流大较多的，这使得成本很高；二是对于瞬间发生的短路故障，往往来不及保护就将造成驱动器内部功率器件的损坏。为此，研究成本低、安全性高的过载与短路故障测控方案具有重要的技术与经济意义，且用途广泛。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足，提出一种低压直流负载过载测控电路。该电路利用超低导通电阻的功率场效应管(M0SFET)，既作为电流检测元件，也同时作为电路关断控制元件，结合晶闸管的半控特性及在负载回路中串接的微量电感及快速判别电路，可实现对低压直流负载的过载与短路故障进行实时检测、判别与安全控制。本专利技术包括测控主电路和过载判别电路。测控主电路包括驱动器DR、电感L1、二极管D1、直流负载DL、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压管DW1、限压管DW2、晶闸管VTUMOS管VT2、稳压电容Cl、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、分压电阻R6，驱动器DR的正输出端+E端与电感LI的一端、二极管Dl的阴极、电源灯LEDl的阳极、阳极电阻R2的一端、栅极电阻R3的一端、输出灯LED2的阳极连接，驱动器DR的负输出端-E端接地，电源灯LEDl的阴极与稳压电阻Rl的一端连接，稳压电阻Rl的另一端与稳压管DWl的阴极、稳压电容Cl的一端、上拉电阻R7的一端、基准电阻R8的一端、比较器ICl的正电源端V+端连接，稳压管DWl的阳极、稳压电容Cl的另一端均接地，阳极电阻R2的另一端与晶闸管VTl的阳极、限压管DW2的阴极、栅极电阻R3的另一端、MOS管VT2的栅极端G端连接，晶闸管VTl的门极与门极电阻R5的一端、分压电阻R6的一端连接，晶闸管VTl的阴极、门极电阻R5的另一端、限压管DW2的阳极及MOS管VT2的源极端S端均接地，MOS管VT2的漏极端D端与输出电阻R4的一端、直流负载DL的负端-1N端、检测电阻RlI的一端连接，输出电阻R4的另一端与输出灯LED2的阴极连接，直流负载DL的正端+IN端与电感LI的另一端、二极管Dl的阳极连接。过载判别电路包括比较器IC1、上拉电阻R7、基准电阻R8、设定电阻R9、滤波电阻R10、检测电阻R11、滤波电容C2、设定电容C3，比较器ICl的地端GND端接地，比较器ICl的正输入端IN+端与检测电阻Rll的另一端、滤波电阻RlO的一端、滤波电容C2的一端连接，滤波电阻RlO的另一端、滤波电容C2的另一端均接地，比较器ICl的负输入端IN-端与基准电阻R8的另一端、设定电阻R9的一端、设定电容C3的一端连接，设定电阻R9的另一端、设定电容C3的另一端均接地，比较器ICl的输出端OUT端与分压电阻R6的另一端、上拉电阻R7的另一端连接。本专利技术的有益效果如下:本专利技术利用一只超低导通电阻的功率场效应管(M0SFET)，既作为电流检测元件，也同时作为电路关断控制元件，结合晶闸管的半控特性及在负载回路中串接的微量电感及快速判别电路，即可实现对低压直流负载的过载与短路故障进行实时检测、快速判别与安全控制。该电路方案结构简单、安全可靠、成本低、应用范围广。【专利附图】【附图说明】图1为本专利技术的电路图。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术作进一步说明。如图1所示，低压直流负载过载测控电路，包括测控主电路和过载判别电路。测控主电路包括驱动器DR、电感L1、二极管D1、直流负载DL、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压管DW1、限压管DW2、晶闸管VTUMOS管VT2、稳压电容Cl、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、分压电阻R6，驱动器DR的正输出端+E端与电感LI的一端、二极管Dl的阴极、电源灯LEDl的阳极、阳极电阻R2的一端、栅极电阻R3的一端、输出灯LED2的阳极连接，驱动器DR的负输出端-E端接地，电源灯LEDl的阴极与稳压电阻Rl的一端连接，稳压电阻Rl的另一端与稳压管DWl的阴极、稳压电容Cl的一端、上拉电阻R7的一端、基准电阻R8的一端、比较器ICl的正电源端V+端连接，稳压管DWl的阳极、稳压电容Cl的另一端均接地，阳极电阻R2的另一端与晶闸管VTl的阳极、限压管DW2的阴极、栅极电阻R3的另一端、MOS管VT2的栅极端G端连接，晶闸管VTl的门极与门极电阻R5的一端、分压电阻R6的一端连接，晶闸管VTl的阴极、门极电阻R5的另一端、限压管DW2的阳极及MOS管VT2的源极端S端均接地，MOS管VT2的漏极端D端与输出电阻R4的一端、直流负载DL的负端-1N端、检测电阻Rl I的一端连接，输出电阻R4的另一端与输出灯LED2的阴极连接，直流负载DL的正端+IN端与电感LI的另一端、二极管Dl的阳极连接。过载判别电路包括比较器IC1、上拉电阻R7、基准电阻R8、设定电阻R9、滤波电阻R10、检测电阻R11、滤波电容C2、设定电容C3，比较器ICl的地端GND端接地，比较器ICl的正输入端IN+端与检测电阻Rll的另一端、滤波电阻RlO的一端、滤波电容C2的一端连接，滤波电阻RlO的另一端、滤波电容C2的另一端均接地，比较器ICl的负输入端IN-端与基准电阻R8的另一端、设定电阻R9的一端、设定电容C3的一端连接，设定电阻R9的另一端、设定电容C3的另一端均接地，比较器ICl的输出端OUT端与分压电阻R6的另一端、上拉电阻R7的另一端连接。本专利技术所使用的包括晶闸管VTUMOS管VT2、比较器ICl、稳压管DWl、限压管DW2、电源灯LED1、输出灯LED2等在内的所有器件均采用现有的成熟产品，可以通过市场取得。例如:晶闸管采用KP1-2，MOS管采用IRF系列N沟道MOSFET管，比较器采用高速电本文档来自技高网...

【技术保护点】
低压直流负载过载测控电路，包括测控主电路和过载判别电路，其特征在于：测控主电路包括驱动器DR、电感L1、二极管D1、直流负载DL、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压管DW1、限压管DW2、晶闸管VT1、MOS管VT2、稳压电容C1、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、分压电阻R6，驱动器DR的正输出端+E端与电感L1的一端、二极管D1的阴极、电源灯LED1的阳极、阳极电阻R2的一端、栅极电阻R3的一端、输出灯LED2的阳极连接，驱动器DR的负输出端‑E端接地，电源灯LED1的阴极与稳压电阻R1的一端连接，稳压电阻R1的另一端与稳压管DW1的阴极、稳压电容C1的一端、上拉电阻R7的一端、基准电阻R8的一端、比较器IC1的正电源端V+端连接，稳压管DW1的阳极、稳压电容C1的另一端均接地，阳极电阻R2的另一端与晶闸管VT1的阳极、限压管DW2的阴极、栅极电阻R3的另一端、MOS管VT2的栅极端G端连接，晶闸管VT1的门极与门极电阻R5的一端、分压电阻R6的一端连接，晶闸管VT1的阴极、门极电阻R5的另一端、限压管DW2的阳极及MOS管VT2的源极端S端均接地，MOS管VT2的漏极端D端与输出电阻R4的一端、直流负载DL的负端‑IN端、检测电阻R11的一端连接，输出电阻R4的另一端与输出灯LED2的阴极连接，直流负载DL的正端+IN端与电感L1的另一端、二极管D1的阳极连接；过载判别电路包括比较器IC1、上拉电阻R7、基准电阻R8、设定电阻R9、滤波电阻R10、检测电阻R11、滤波电容C2、设定电容C3，比较器IC1的地端GND端接地，比较器IC1的正输入端IN+端与检测电阻R11的另一端、滤波电阻R10的一端、滤波电容C2的一端连接，滤波电阻R10的另一端、滤波电容C2的另一端均接地，比较器IC1的负输入端IN‑端与基准电阻R8的另一端、设定电阻R9的一端、设定电容C3的一端连接，设定电阻R9的另一端、设定电容C3的另一端均接地，比较器IC1的输出端OUT端与分压电阻R6的另一端、上拉电阻R7的另一端连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈德传，陈亚龙，郑忠杰，李明星，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33