太阳能电池、其制造方法及其模组技术

一种太阳能电池、其制造方法及其模组，该电池包含一包括一背面的基板、多个以二维阵列配置于该背面且朝该基板内延伸的第一孔洞、一配置于该背面与每一第一孔洞的一第一表面处的第一导电型层、一配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一配置于该背面的钝化层、一穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极。本发明专利技术可增加该第一导电型层的表面积，同时可减少载子传输的路径长度，进而提高载子收集效率与开路电压并降低串联电阻，而有助于提升光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池、制造方法与模组，特别涉及一种背接触式太阳能电池、其制造方法及其模组。
技术介绍
参阅图1，一般指叉式背接触（Interdigitated Back Contact，简称IBC）太阳能电池，通常包含：一n型的基板91、分别位于该基板91的一背面911处之内的一p++型掺杂区92与一n++型掺杂区93、一位于该背面911上的钝化层94、一电连接该p++型掺杂区92的第一电极95、以及一电连接该n++型掺杂区93的第二电极96。该背接触式太阳能电池的主要特色在于：该第一电极95与该第二电极96都位于该基板91的背面911的一侧，该基板91的一正面912未设置电极，从而可避免受光的该正面912被遮挡，因此可以提升该正面912的入光量。其中，该基板91通过光电效应而产生载子，前述产生于基板91内部的载子往往需要传输至该p++型掺杂区92或该n++型掺杂区93之后，才能被该第一电极95与该第二电极96导出以供使用。为此，如何增加该p++型掺杂区92与该n++型掺杂区93的表面积（Junction Area），以及如何减少载子传输至该p++型掺杂区92与该n++型掺杂区93的路径长度（Travelling Length）以避免载子的再结合（Recombination），进而增加载子收集效率与开路电压，并降低串联电阻，是一重要的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可减少载子传输的路径长度、降低载子再结合的机率，从而可增加载子收集效率与开路电压，并降低串联电阻的太阳能电池、其制造方法及其模组。本专利技术太阳能电池，包含：一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面。该太阳能电池还包含多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸并分别具有一个第一表面的第一孔洞、一个配置于该背面以及每一个第一表面处的第一导电型层、一个配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一个配置于该背面且接触该第一导电型层与该第二导电型层的钝化层、一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极，该钝化层具有多个对应该第一导电型层而供该第一电极穿过的第一开口、以及多个对应该第二导电型层而供该第二电极穿过的第二开口。本专利技术所述的太阳能电池，该多个第一开口位于该基板的背面或/及位于该多个第一表面中的至少一个第一表面上。本专利技术所述的太阳能电池，该基板还包括多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层配置于该背面以及每一个第二表面处。本专利技术所述的太阳能电池，该多个第二开口位于该基板的背面或/及位于该多个第二表面中的至少一个第二表面上。本专利技术所述的太阳能电池，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5～200μm。本专利技术所述的太阳能电池，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为5～50μm。本专利技术所述的太阳能电池，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为20～200μm。本专利技术太阳能电池模组，包含：一个第一板材、一个第二板材、以及一个位于该第一板材与该第二板材间的封装材。该太阳能电池模组还包含至少一个如上述的太阳能电池，该太阳能电池设置于该第一板材与该第二板材间，该封装材接触该太阳能电池。本专利技术太阳能电池的制造方法，包含：提供一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面；在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第一孔洞，而每一个第一孔洞具有一个第一表面；在该基板的背面以及该多个第一表面处形成一个第一导电型层；在该基板的背面形成一个位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层；在该基板的背面且位于该第一导电型层与该第二导电型层上形成一个钝化层，且于该钝化层上形成多个对应该第一导电型层的第一开口、以及多个对应该第二导电型层的第二开口；形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第一开口而接触该第一导电型层的第一电极；及形成一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层的第二开口而接触该第二导电型层的第二电极。本专利技术所述的太阳能电池的制造方法，在形成该第二导电型层之前，先在该基板的背面形成多个以二维阵列形式排列且朝该基板内延伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二导电型层形成于该背面以及该多个第二表面处。本专利技术所述的太阳能电池的制造方法，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为5～200μm，该多个第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为5～50μm，相邻的该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为20～200μm。本专利技术的有益效果在于：在该背面形成内凹的该多个第一孔洞，使得该第一导电型层除了沿着该背面处配置之外，还可沿着该多个第一孔洞的第一表面处设置，前述创新的结构设计，不仅可增加该第一导电型层的表面积，还可减少载子传输的路径长度，如此可降低载子再结合的机率，进而增加收集载子的能力与开路电压并降低串联电阻，而有助于提升光电转换效率。附图说明图1是一般指叉式背接触太阳能电池的局部剖视示意图。图2是本专利技术太阳能电池模组的一较佳实施例的一局部剖视示意图。图3是该较佳实施例的一太阳能电池的一局部剖视示意图。图4是该太阳能电池的一局部背面示意图。图5是图3的一局部放大图。图6是一类似图4的放大图，说明该较佳实施例的一钝化层、一第一电极与一第二电极之间不同的变化设计态样。图7是本专利技术太阳能电池的制造方法的一较佳实施例的步骤流程方块图。图8是该制造方法的前段步骤进行时的示意图。图9是该制造方法的后段步骤进行时的示意图。具体实施方式下面结合附图及实施例对本专利技术进行详细说明。参阅图2、图3，本专利技术太阳能电池模组的较佳实施例包含：上下相对设置的一第一板材1与一第二板材2、多个阵列式地排列设置于该第一板材1与该第二板材2间且彼此电连接的太阳能电池3、以及一位于该第一板材1与该第二板材2间且包覆地接触该多个太阳能电池3的封装材4。当然在实施上，该太阳能电池模组可以仅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，包含：一个基板，该基板包括一个受光的正面、以及一个与该正面相对的背面；其特征在于，该太阳能电池还包含多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延伸并分别具有一个第一表面的第一孔洞、一个配置于该背面以及每一个第一表面处的第一导电型层、一个配置于该背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一个配置于该背面且接触该第一导电型层与该第二导电型层的钝化层、一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第一导电型层的第一电极、以及一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第二导电型层的第二电极，该钝化层具有多个对应该第一导电型层而供该第一电极穿过的第一开口、以及多个对应该第二导电型层而供该第二电极穿过的第二开口。

【技术特征摘要】
2013.01.22 TW 1021023291.一种太阳能电池，包含：一个基板，该基板包括一个受
光的正面、以及一个与该正面相对的背面；其特征在于，该太
阳能电池还包含多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该
基板内延伸并分别具有一个第一表面的第一孔洞、一个配置于
该背面以及每一个第一表面处的第一导电型层、一个配置于该
背面且位于该第一导电型层的旁边的第二导电型层、一个配置
于该背面且接触该第一导电型层与该第二导电型层的钝化层、
一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接触该第一导电型层
的第一电极、以及一个配置于该钝化层上且穿过该钝化层而接
触该第二导电型层的第二电极，该钝化层具有多个对应该第一
导电型层而供该第一电极穿过的第一开口、以及多个对应该第
二导电型层而供该第二电极穿过的第二开口。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该多个
第一开口位于该基板的背面或/及位于该多个第一表面中的至
少一个第一表面上。
3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，该基板
还包括多个以二维阵列形式排列配置于该背面且朝该基板内延
伸的第二孔洞，每一个第二孔洞具有一个第二表面，而该第二
导电型层配置于该背面以及每一个第二表面处。
4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个
第二开口位于该基板的背面或/及位于该多个第二表面中的至
少一个第二表面上。
5.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个
第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的孔径为
5～200μm。
6.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，该多个
第一孔洞或/及该多个第二孔洞中至少一个孔洞的深度为

\t5～50μm。
7.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，相邻的
该多个第一孔洞或/及相邻的该多个第二孔洞彼此间的间距为<...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖光杰，黄世贤，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71