碳纳米壁和石墨烯纳米带及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碳纳米壁及其制备方法。该方法包括如下步骤：对金属衬底进行酸处理；将金属衬底置于无氧环境中，加热至600～900℃，然后在紫外光照射条件下通入保护性气体与气态含碳物质进行化学气相沉积反应，停止反应后，得到附着于金属衬底表面上的碳纳米壁。该方法采用刻蚀和光催化化学气相沉积两步法制备垂直碳纳米壁，其制备工艺简单，条件易控，生产效率较高，并有效避免了现有采用等离子体制备碳纳米壁而对碳纳米壁结构造成破坏，使得碳纳米壁的厚度和形貌均匀，结构更完整。此外，本发明专利技术还提供一种尺寸可调控的石墨烯纳米带及其制备方法。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种碳纳米壁及其制备方法。该方法包括如下步骤：对金属衬底进行酸处理；将金属衬底置于无氧环境中，加热至600～900℃，然后在紫外光照射条件下通入保护性气体与气态含碳物质进行化学气相沉积反应，停止反应后，得到附着于金属衬底表面上的碳纳米壁。该方法采用刻蚀和光催化化学气相沉积两步法制备垂直碳纳米壁，其制备工艺简单，条件易控，生产效率较高，并有效避免了现有采用等离子体制备碳纳米壁而对碳纳米壁结构造成破坏，使得碳纳米壁的厚度和形貌均匀，结构更完整。此外，本专利技术还提供一种尺寸可调控的石墨烯纳米带及其制备方法。【专利说明】
本专利技术涉及纳米碳材料领域,特别是涉及一种。
技术介绍
碳材料的种类有零维的富勒烯(C6(l)、一维的碳纳米管、碳纳米纤维、二维的石墨烯、三维的石墨、金刚石等。碳纳米壁(carbon nanowall, CNW)是具有二维扩散的碳纳米结构体，其最典型的形貌就是垂直于基底材料表面生长，厚度大于石墨烯的壁状结构，与富勒烯、碳纳米管、石墨烯等的特征完全不同，可作为制备其它碳材料的原料，如用于制备石墨烯纳米带等。早于石墨烯发现之前人们就开始研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳纳米壁的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：对金属衬底进行酸处理；将经酸处理后的金属衬底置于无氧环境中，加热至600～900℃，然后在紫外光照射条件下通入保护性气体与气态含碳物质进行化学气相沉积反应，停止反应后，得到附着于所述金属衬底表面上的碳纳米壁。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，袁新生，王要兵，吴凤，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44