【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种数字移相器，其特征在于，该数字移相器的开关器件为具有GaN基异质结的高电子迁移率场效应晶体管，该场效应晶体管的异质结上设置有肖特基接触电极和欧姆接触电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗卫军，陈晓娟，袁婷婷，庞磊，刘新宇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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