一种离子量可调的离子发生电路制造技术

本发明专利技术涉及一种离子量可调的离子发生电路，其包括第一升压电路、第二升压电路和一分别控制第一升压电路和第二升压电路的控制器，所述第二升压电路包括基准参考控制电路、谐振放电回路和第二变压器，所述谐振放电回路包括与第二变压器的原边绕组形成回路的第一电容、第一电感和双向可控硅，所述第二变压器的原边绕组一端接地、另一端连接第一电感，所述第一升压电路输出电压至第二升压电路，所述基准参考控制电路根据第一升压电路的输出电压控制双向可控硅的导通，所述第二变压器的副边绕组连接正负离子电晕放电针。本发明专利技术有效得保证了输出电压的一致性，可以准确调节离子量的输出量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种离子量可调的离子发生电路，其包括第一升压电路、第二升压电路和一分别控制第一升压电路和第二升压电路的控制器，所述第二升压电路包括基准参考控制电路、谐振放电回路和第二变压器，所述谐振放电回路包括与第二变压器的原边绕组形成回路的第一电容、第一电感和双向可控硅，所述第二变压器的原边绕组一端接地、另一端连接第一电感，所述第一升压电路输出电压至第二升压电路，所述基准参考控制电路根据第一升压电路的输出电压控制双向可控硅的导通，所述第二变压器的副边绕组连接正负离子电晕放电针。本专利技术有效得保证了输出电压的一致性，可以准确调节离子量的输出量。【专利说明】一种离子量可调的离子发生电路
本专利技术涉及离子发生电路，尤其是离子量可调的离子发生电路。
技术介绍
传统的正负离子(等离子)发生电路都是利用放电二极管(触发二极管)，以及放电二极管(触发二极管)加双向可控硅来产生正负高压，再通过电晕放电来得到正负离子。所以正负离子的离子量跟电晕放电的电压有直接的关系，而在传统正负离子发生电路中电晕放电电压是由放电二极管触发电压决定的。而恰恰放电二极管的触发电压的一致性都不太高(一般厂家的规格书里面给出的至少都有10%的变化范围)，离子量也不好调整控制。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是克服现有技术的不足，提供一种输出电压的一致性较高，输出离子量稳定的离子量可调的离子发生电路。为了达到上述目的，采用如下技术方案:一种离子量可调的离子发生电路，包括第一升压电路、第二升压电路和一分别控制第一升压电路和第二升压电路的控制器，所述第二升压电路包括基准参考控制电路、谐振放电回路和第二变压器，所述谐振放电回路包括与第二变压器的原边绕组形成回路的第一电容、第一电感和双向可控娃，所述第二变压器的原边绕组一端接地、另一端连接第一电感，所述第一升压电路输出电压至第二升压电路，所述基准参考控制电路根据第一升压电路的输出电压控制双向可控硅的导通，所述第二变压器的副边绕组连接正负离子电晕放电针。进一步地，所述第一升压电路包括第一变压器，其副边绕组一端接地，另一端依次串联连接第二升压电路的第三二极管、第六电阻、第八电阻和地线，所述第一电容连接至第三二极管负极和第六电阻的交点，基准参考控制电路还包括基准控制芯片、第九电阻、PNP三极管、第十电阻和第十一电阻，所述PNP三极管的发射极连接至第一控制电压，其基极通过第九电阻连接至第一控制电压，其集电极依次串联第十电阻和第十一电阻后接地，所述双向可控硅的控制端连接至第十电阻和第十一电阻的交点，所述基准控制芯片以第六电阻和第八电阻的交点电压为触发电压，其输出端连接至PNP三极管的基极。进一步地，所述第一升压电路还包括连接至第一变压器原边绕组一端的第一电阻，以及集电极连接至第一变压器原边绕组另一端、发射极接地、集电极通过串联连接的第十四电阻和第二电阻连接至控制器的NPN三极管，所述第一电阻的另一极分别通过第三电容接地、第二二极管连接至第二控制电压。进一步地，所述第一变压器的原边绕组与第一电阻的交点和第二电阻与第十四电阻的交点之间设置第三电阻，所述第二电阻与第十四电阻的交点通过一稳压管接地。进一步地，所述第一变压器还包括与副边绕组耦合的辅助绕组，其一端接地、另一端通过正反馈单元反馈至第二电阻与第十四电阻的交点。进一步地，所述正反馈单元包括串联连接的第四电容和第五电阻，与串联的第四电容和第五电阻并联连接的第十三电阻。进一步地，所述第六电阻与第八电阻的交点通过第四电阻连接至控制器。进一步的，所述第一电感与第二变压器的原边绕组的交点和第四电阻之间通过补偿电路连接，所述补偿电路包括正极连接至第一电感与第二变压器的原边绕组的交点、负极通过第二电容接地的第四二极管，以及分别连接第四二极管负极、第四电阻的第七电阻。进一步地，所述PNP三极管的集电极通过第十二电阻连接至控制器。进一步地，所述控制器为MCU或电位器。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于:本专利技术的离子量可调的离子发生电路去除触发电压一致性比较差的放电二极管(触发二极管)，采用精度高(误差在1%以内)的基准电压作为参考电压，明显提高了输出电压的一致性，使离子的稳定性提高。本专利技术还通过MCU或电位器在第四电阻输出端调节第六电阻与第八电阻交点的电压，从而控制基准参考控制电路的触发电压，进而控制谐振放电回路工作，从而很方便地控制离子的数量，实际上还具有AIT离子电路的功能。本专利技术通过第十二电阻检测基准参考控制电路的触发情况，反馈至控制器，从而计算出整个离子发生电路的放电频率，进而通过第二电阻调节基准参考控制电路的触发功率，而达到稳定并调节整个离子发生电路的放电频率的目的。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术所述离子发生电路的电路图；图2是图1电路图中Vl点的波形图；图3是图1电路图中V2点的波形图；图4是图1电路图中V3点的波形图；图5是VI点跟V3点的时间关系图；图6是Vl点波形跟V2点波形的时间关系图；【具体实施方式】下面结合具体实施例，对本专利技术做进一步说明:如图1所示，本专利技术的离子发生电路包括左侧的控制器Ml、第一升压电路，以及由正负离子电晕放电针及其与第一变压器Tl之间的电路构成的第二升压电路。其中，第一升压电路包括第一变压器Tl，第一变压器Tl及控制器Ml之间的电路构成。控制器Ml输出控制信号至第一升压电路和第二升压电路，控制第一升级电路能量的传递的开启和截止，控制第二升级电路能量的存储和释放，释放的能量通过正负离子电晕放电针电离空气形成正负离子。第二升压电路包括基准参考控制电路、谐振放电回路和第二变压器T2。谐振放电回路包括与第二变压器T2的原边绕组形成回路的第一电容Cl、第一电感LI和双向可控硅TR1。第二变压器T2的原边绕组一端接地、另一端连接第一电感LI，基准参考控制电路控制双向可控硅TRl的导通，令第一电容Cl、第一电感L1、原边绕组、地线形成回路放电，并产生谐振。谐振电压经过第二变压器T2耦合升压后，再经过第一二极管Dl和第五二极管D5分别连接至正负离子电晕放电针产生正负离子。第二二极管D2的正极连接输入端，负极分别连接第三电容C3和第一电阻R1。其中，第三电容C3接地，第一电阻Rl连接至第一变压器Tl的原边绕组一端。当输入端输入交流电时，交流电经过第二二极管D2和第三电容C3整流后变成直流。当VCC端输入直流时，第二二极管D2可以防止由于直流反接而发生损坏电路的元器件的事情。直流再经过第一电阻Rl限流后供给第一级升压电路。控制器Ml的一个输出端通过第二电阻R2可以调节第一升压电路的功率，其原理是第二电阻R2接在控制器Ml的4脚和NPN三极管Ql的基极之间，第一变压器Tl的4-5脚的最大电流为NPN三极管Ql的集电极电流Ic= β (IR2+IR3)，β为三极管的电流放大倍数。当控制器Ml的4脚的电压升高的时候，流过第二电阻R2的电流IR2增加，相应流过第一变压器Tl的4-5脚的最大电流也会增加，那么第一变压器Tl的输出功率也会增加，同理，控制器Ml的4脚的电压降低,第一变压器Tl的4-5脚最大电流会减小，第一变压器Tl的输出功率也会减小。第一升压电路经过第三二极管D3整流后输出至第二升级电路。此时，Vl点的电压就是第二升压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种离子量可调的离子发生电路，其特征在于，包括第一升压电路、第二升压电路和一分别控制第一升压电路和第二升压电路的控制器，所述第二升压电路包括基准参考控制电路、谐振放电回路和第二变压器，所述谐振放电回路包括与第二变压器的原边绕组形成回路的第一电容、第一电感和双向可控硅，所述第二变压器的原边绕组一端接地、另一端连接第一电感，所述第一升压电路输出电压至第二升压电路，所述基准参考控制电路根据第一升压电路的输出电压控制双向可控硅的导通，所述第二变压器的副边绕组连接正负离子电晕放电针。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐银华，姚铁明，曾庆杰，江舫，
申请(专利权)人：广州勒夫蔓德电器有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44