【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及人工晶体培育工艺，具体的说是一种人工晶体包裹体控制所用的门型挡片，包括一对Y向边框和一条X向边框，所述Y向边框与X向边框组成“门”型结构，所述Y向边框长度与人工晶体Y向长度一致，所述X向边框长度等于人工晶体X向生长量加上籽晶X向宽度，所述门型挡片厚度为20mm~50mm。本技术可以遮挡、干扰液流中杂质进入晶体，限制人工晶体无用部分的生长，有效提高原晶的利用率，提高工人晶体的内在品质。【专利说明】—种人工晶体门型挡片
本技术涉及人工晶体培育工艺，具体的说是一种人工晶体包裹体控制所用的门型挡片。
技术介绍
人工晶体的培育是用水热法在SiO2的过饱和溶液中生长的。在常温常压下，石英晶体不溶于水，也没有有效的助溶剂。但是在高温高压下有利于石英晶体的溶解，加入适当的助溶剂后即可使石英晶体达到所需要的溶解度。人工晶体的培育主要靠高温高压下过饱和SiO2在籽晶上的再结晶，再结晶的过程中由于原料的杂质和高压釜内壁脱落等容易形成包裹体。另外由于人工晶体的固有特性，生长过多的正X区，在产品加工中是没有必要的。包裹体的控制能力，是人工晶体培育工艺水平最重要的体现。人工晶体领域对于包裹体的控制目标是:无限趋近于零包裹体。随着电子器件加工工艺的发展，器件日益小型化，对人工晶体中包裹体的密度、粒度都提出了更高的要求。因此需要有新的工艺技术来满足要求日益严格的行业需求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种人工晶体包裹体控制过程中所用的门型挡片，提高工人晶体的内在品质，以满足日益严格的行业需求。本技术是通过以下技术方案实现的:一种人工晶体门型挡片，包括一对Y向边...
【技术保护点】
一种人工晶体门型挡片，其特征在于：包括一对Y向边框和一条X向边框，所述Y向边框与X向边框组成“门”型结构；所述Y向边框长度与人工晶体Y向长度一致，所述X向边框长度等于人工晶体X向生长量加上籽晶X向宽度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭卫民，郭玉娥，
申请(专利权)人：北京石晶光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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