【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种抗PID晶体硅电池，包括依次覆盖于硅衬底上的二氧化硅层和氮化硅层减反层。一种抗PID晶体硅电池的制备方法，包括以下步骤：将硅衬底进行清洗、制绒、扩散、去磷硅玻璃及边缘刻蚀；通过臭氧发生装置在硅衬底表面生成臭氧，再将硅衬底置于紫外灯下照射,生长一层氧化硅；采用PECVD设备在氧化硅上生长一层氮化硅减反层，然后完成正反面电极印刷、烧结。本专利技术主要对电池的减反射层结构进行改进，在传统的单层或多层氮化硅与晶硅衬底之间采用紫外灯照射的方法制备一层致密的二氧化硅层，二氧化硅层可以阻挡正离子对PN结的侵蚀，从而减小PID效应的影响。【专利说明】抗PID晶体硅电池及其制备方法
本专利技术涉及晶体硅太阳能电池生产领域，具体而言，涉及一种抗PID晶体硅电池及其制备方法。
技术介绍
PID (电势诱发衰减)现象是指太阳能晶硅组件长期工作在湿热环境及高电压下，输出功率发生衰减的现象。一般认为玻璃中的钠离子在湿热环境下析出，通过在高电压下，晶体硅电池及封装材料对组件边框形成的回路，对电池PN结造成侵蚀，是造成PID现象的主要原因。近年来PID已...
【技术保护点】
一种抗PID晶体硅电池，其特征在于：包括依次覆盖于硅衬底（1）上的二氧化硅层（2）和氮化硅层减反层（3）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊宇，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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