半导体器件及用于减小其中的路径延迟差值的方法技术

本发明专利技术提供一种多重图案化的半导体器件。半导体器件包括具有由掩模限定的信号迹线的一个或多个层以及用于在信号迹线之间转移信号并且重供电信号的结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及用于减小其中的路径延迟差值的方法
本专利技术总体涉及一种半导体器件，并且更具体地涉及一种多重图案化的（multiple-patterned）半导体器件。
技术介绍
半导体工业正在采用越来越小的特征尺寸产生越来越有能力的部件。由于对于高度集成半导体器件的需求增大，已经变得强烈依赖于在更小裸片面积中制作更多半导体器件的先进技术。这种半导体器件的生产展现出有待致力开发的新设计和制造挑战，以便维持或者改进半导体器件性能。随着半导体的器件密度增大，半导体器件内的导线宽度和间距减小。多图案光刻代表开发用于光刻以增强半导体器件的特征密度的一类技术。双重图案化作为多重图案化的子集可以用于半导体工业中早在45nm的技术节点的时候，并且可以是针对32nm以及以下节点的主要技术。双重图案化利用多个掩模和光刻步骤以产生半导体器件的特定层级。具有诸如更小节距和更窄线条的优点，双重图案化改变涉及半导体器件布线的变量与布线质量之间的关系以维持性能。
技术实现思路
在实施例中，本公开涉及一种多重图案化半导体器件。半导体器件可以包括一个或者多个层。半导体器件的特定层级可以包括由不同掩模和曝光限定的信号迹线。半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：信号导体层，包括：在所述信号导体层上的第一信号迹线，由第一掩模限定；在所述信号导体层上的第二信号迹线，由第二掩模限定；以及转发器结构，用于实现时序容差标准，所述时序容差标准适用于对在所述第一信号迹线中的第一导体上的第一信号重供电并且将所述第一信号转移至所述第二信号迹线中的第二导体，以及对在所述第二信号迹线中的第三导体上的第二信号重供电并且将所述第二信号转移至所述第一信号迹线中的第四导体。

【技术特征摘要】
2013.01.02 US 13/732,5251.一种半导体器件，包括：信号导体层，包括：在所述信号导体层上的第一信号迹线，由第一掩模限定；在所述信号导体层上的第二信号迹线，由第二掩模限定，其中所述第一信号迹线与所述第二信号迹线相邻；以及转发器结构，用于实现时序容差标准，所述时序容差标准适用于对在所述第一信号迹线中的第一导体上的第一信号重供电并且将所述第一信号转移至所述第二信号迹线中的第二导体，以及对在所述第二信号迹线中的第三导体上的第二信号重供电并且将所述第二信号转移至所述第一信号迹线中的第四导体。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述转发器结构适用于将信号转移至不同信号导体层中的信号迹线中的导体。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述时序容差标准包括来自用于信号路径将信号运载一定距离的时间量的差值。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述转发器结构适用于在所述信号迹线之间交替所述信号以实现所述时序容差标准。5.一种半导体器件，包括：具有由第一掩模创建的第一信号迹线和由第二掩模创建的第二信号迹线的层，其中所述第一信号迹线与所述第二信号迹线相邻；以及开关，适用于将第一信号从所述第一信号迹线十字交叉至所述第二信号迹线，并且适用于将第二信号从所述第二信号迹线十字交叉至所述第一信号迹线。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述开关包括缓冲器电路以对信号重供电。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·H·艾伦，D·M·德万兹，D·P·鲍尔森，J·E·希茨二世，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US