一种集成封装电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种集成封装电源，包括控制部分、磁性器件和连接部分；所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路，所述控制芯片产生高频信号，所述功率管对所述高频信号进行功率放大；所述磁性器件包括绕组和封装材料，由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件；所述连接部分用于提供支撑，并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。本实用新型专利技术充分利用了集成封装区域的整个空间结构，通过绕组与封装材料共同作用形成磁性器件，在有限体积内增加了磁性器件感量，加大了绕组过电流能力，减小了功率磁性器件的占板面积，减小了集成封装电源的体积，降低了电源厚度，提高了功率密度，提升了产品竞争力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种集成封装电源，包括控制部分、磁性器件和连接部分；所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路，所述控制芯片产生高频信号，所述功率管对所述高频信号进行功率放大；所述磁性器件包括绕组和封装材料，由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件；所述连接部分用于提供支撑，并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。本技术充分利用了集成封装区域的整个空间结构，通过绕组与封装材料共同作用形成磁性器件，在有限体积内增加了磁性器件感量，加大了绕组过电流能力，减小了功率磁性器件的占板面积，减小了集成封装电源的体积，降低了电源厚度，提高了功率密度，提升了产品竞争力。【专利说明】一种集成封装电源
本技术涉及电源
，特别是涉及一种集成封装电源。
技术介绍
随着通信、宽带网络等各个行业发展，要求电源供电系统体积越来越小，功率密度越来越高。鉴于此，各电源厂家纷纷推出将控制1C、功率M0SFET、阻容、磁性器件等分立器件封装在一起，可以作为一个整体调用的集成封装电源模块。以非隔离电源模块为例，现有技术的集成封装电源的结构如图1和图2所示，包括三个主要部分:a)集成了控制芯片、功率MOSFET及阻容器件的控制部分2 ；b)传统已经成型的铁氧体或铁粉芯功率电感器3 ;c)将控制部分2与功率电感3实现电气连接并为之提供支撑的引线框架或其他产品结构I。图1所示的集成封装电源通过封装材料将1、2、3组合固定成型，作为一个整体供用户调用。为了提高集成了功率MOSFET的控制部分2散热，通常封装完成后的结构如图3所示，集成封装电源最高高度由图1中功率电感器3的最高高度决定。图2中间虚线左侧12代表包括功率电感器、输入、输出滤波电容等高器件部分，虚线右侧11代表控制器件、功率M0SFET、小封装阻容等低器件部分。但是，现有技术的集成封装电源使用的磁性器件具有体积大、感量小、绕组普遍通流能力小的缺点。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种集成封装电源，用以解决现有技术的集成封装电源使用的磁性器件体积大、感量小、绕组普遍通流能力小的问题。为解决上述技术问题，一方面，本技术提供一种集成封装电源，包括控制部分、磁性器件和连接部分；所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路，所述控制芯片产生高频信号，所述功率管对所述高频信号进行功率放大；所述磁性器件包括绕组和封装材料，由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件；所述连接部分用于提供支撑，并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。进一步，所述绕组的一部分位于所述控制部分的正上方空间。进一步，所述磁性器件的绕组为一个或由多个相互耦合在一起的绕组组成。进一步，所述磁性器件的绕组由多个单绕组并行组成，每个单绕组封装完成后有两个外露的供用户连接使用的端子。进一步，所述控制部分的器件的连接端子及所述连接部分的电气引线上含有绝缘层，用于增大所述连接端子及电气引线与所述封装材料之间的电阻系数。进一步，所述功率管为功率MOSFET或功率三极管。进一步，所述连接部分为印刷电路板或弓I线框架。进一步，还包括已经成型磁性元器件，所述已经成型磁性元器件通过所述连接部分与所述控制部分连接，并封装于所述封装材料内。进一步，所述已经成型磁性元器件由铁氧体或铁粉芯磁性材料构成。进一步，所述已经成型磁性元器件为单个或多个功率电感、单个或多个变压器、单个或多个电感与变压器耦合磁性元器件。进一步，所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子上含有绝缘层，用于增大所述已经成型磁性元器件表面及引脚电气连接端子与所述封装材料之间的电阻系数。本技术有益效果如下:本技术充分利用了集成封装区域的整个空间结构，通过绕组与封装材料共同作用形成磁性器件，在有限体积内增加了磁性器件感量，加大了绕组过电流能力，减小了功率磁性器件的占板面积，减小了集成封装电源的体积，降低了电源厚度，提高了功率密度，提升了产品竞争力。【专利附图】【附图说明】图1是现有技术的集成封装电源的结构图；图2是图1的主视图；图3是图1的集成封装电源封装完成后的透视图；图4是本技术实施例的一种集成封装电源的结构图；图5是图4的集成封装电源封装完成后的透视图；图6是本技术实施例的一种包含已经成型磁性元器件的集成封装电源的结构图；图7是本技术实施例绕组结构不闭封，留出外露引脚端子由用户根据需要选择连接的绕组结构示意图；图8是图7基础上增加已经成型磁性元器件的结构示意图。【具体实施方式】为了解决现有技术的集成封装电源使用的磁性器件体积大、感量小、绕组普遍通流能力小的问题，本技术提供了一种集成封装电源，以下结合附图以及六个实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不限定本技术。实施例1以非隔离产品为例，本技术实施例的一种集成封装电源的结构如图4所示，其封装后的透视图如图5所示。参照图4和图5，本实施例的集成封装电源包括控制部分2、磁性器件和连接部分I。所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路，所述控制芯片产生高频信号，所述功率管对所述高频信号进行功率放大；所述功率管可以功率M0SFET，也可以采用功率三极管。所述磁性器件包括绕组5和封装材料6，由绕组5与封装材料6共同作用形成磁性器件。本实施例中所述绕组5的一部分位于所述控制部分2的正上方空间。所述控制部分2的器件的连接端子及所述连接部分I的电气引线上也可以采用绝缘层，用于增大所述连接端子及电气引线与所述封装材料6之间的电阻系数。所述连接部分I用于提供支撑，并实现所述控制部分2和磁性器件的电气连接，本实施例中，所述连接部分采用印刷电路板。现有封装电源产品中的磁性元器件是封装前即已经完全成型，而本实施例所述封装电源产品中的磁性元器件在封装前没有成型或没有完全成型，封装后，绕组与封装材料共同作用形成功率磁性器件。本实施例中，绕组5为半匝电感绕组结构，给出的只是一种优选实施例，具体应用时可根据需要任意改变绕组结构或由几个相互耦合在一起的绕组结构组成，更好的利用整个集成封装电源产品的板上空间以及系统中低器件的正上方空间部分，增大电感感量、力口大绕组线径以增大绕组通流能力、减小电感体积，进一步减小非隔离集成封装电源产品体积，提升产品的市场竞争力。实施例2本技术实施例的另一种集成封装电源的结构如图6所示，与实施例1相比，本实施例还包括已经成型磁性元器件7，所述已经成型磁性元器件7通过所述连接部分I与所述控制部分2连接，并封装于所述封装材料内。本实施例中，所述已经成型磁性元器件由铁氧体或铁粉芯等磁性材料构成，代表单个或多个功率电感、单个或多个变压器、单个或多个电感与变压器耦合磁性元器件等各种本领域技术人员所了解的磁性元器件单体、多体或组合体。本实施例中，已经成型磁性元器件7表面及引脚电气连接端子上可以采用绝缘层，用于增大所述已经成型磁性元器7件表面及引脚电气连接端子与所述封装材料之间的电阻系数。实施例3本技术实施例的另一种集成封装电源的结构如图7所示，其中磁性器件的绕组由两个单绕组8、9并行组成，每个单绕组封装完成后有两个外露的供用户连接使用的端子，用户可根据需要并行或串行连接这些端子，以达到所需要的感量或通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成封装电源，其特征在于，包括控制部分、磁性器件和连接部分；所述控制部分包括控制芯片、功率管和外围电路，所述控制芯片产生高频信号，所述功率管对所述高频信号进行功率放大；所述磁性器件包括绕组和封装材料，由绕组与封装材料共同作用形成磁性器件；所述连接部分用于提供支撑，并实现所述控制部分和磁性器件的电气连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳艳红，张滨，甘旭，王新坤，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44