集成电路标识自检验制造技术

一种储存有一标识符和一校验码的无线射频（RFID）标签集成电路。该集成电路通过与校验码对比确定该储存的标识符是否损毁。如果储存的标识符与该校验码不相对应，该集成电路则能终止操作或指示错误。该集成电路还可能从校验码重建正确的标识符。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种储存有一标识符和一校验码的无线射频（RFID）标签集成电路。该集成电路通过与校验码对比确定该储存的标识符是否损毁。如果储存的标识符与该校验码不相对应，该集成电路则能终止操作或指示错误。该集成电路还可能从校验码重建正确的标识符。【专利说明】集成电路标识自检验
技术介绍
无线射频识别(RFID)系统通常包括RFID阅读器，也被称为RFID读/写器或者RFID讯问器，和RFID标签。RFID系统可以多种方式用于定位和识别标签所依附的物体。RFID系统在产品和服务相关产业非常有用，其可以用于追踪正被加工、库存或处理的物品。在这种情况下，一 RFID标签经常被附着在单件商品，或者其包装上。一般而言，RFID技术需要使用RFID阅读器以询问一个或者多个RFID标签。该阅读器发射无线射频波来执行询问。该无线射频波通常为电磁波，至少在远场上。在近场主要为电或磁。无线射频波可以将一个或者多个命令进行编码，该命令用于指示标签执行一个或者多个动作。一感应到询问射频波的标签可能通过回发另一无线射频波来响应。标签既可以产生固有回发无线射频波，也可以通过一个被称为反向散射的过程反射部分询问无线射频波。反向散射可能以多种途径发生。反射回来的无线射频波可以编码存储在标签中的数据，比如一个数字。该响应被阅读器解调和解码，阅读器从而识别，计数，或者与相关物品交互作用。该被解码的数据能够表示一个序号、一个价格、一个日期、一个目的地(或多个目的地)、其他属性以及其任意组合等等。因此，当一阅读器接收到标签数据时，其能得知标签所依附的物品和/或标签本身。一 RFID标签通常包括天线段，无线电部分，动力管理部分，且通常还包括一逻辑部分，一存储器，或者两者均有。一些RFID标签的动力管理部分包括能量存储装置，如一电池。带有能量存储装置的无线射频标签被称为电池辅助的、半主动的、或者主动标签。其他的RFID标签只能由其接受到的射频信号来驱动。这类RFID标签没有能量存储装置，被称为被动标签。当然，即便是被动标签通常也包括临时能量存储元件和信息/标签存储元件，如电容或电感。
技术实现思路
该
技术实现思路
被提供以以简化的形式来介绍一些概念，这些概念将在后面的【具体实施方式】中被进一步阐述。该
技术实现思路
并不倾向于确定关键特征或者要求保护的主题的必要技术特征，也倾向于帮助确定权利要求所要保护的范围。具体实施例是针对一存储有一标识符和一校验码的RFID标签集成电路(1C)。该集成电路通过比较标识符与校验码来确定被存储的标识符是否被损毁。如果被存储的标识符与校验码不相对应，集成电路可以终止操作和/或表明有误。该集成电路也可能从校验码重建正确的标识符。通过阅读下述具体说明和浏览相关附图，这些及其他特征以及优点将会显而易见。可以理解的是，前述概括性描述和下述具体说明是仅用于解释和并不构成权利要求书所要要求保护的部分的限制。【专利附图】【附图说明】下面的具体说明是结合相应的附图进行的，其中:图1是RFID系统部件的框图。图2是一个示意图，其所显示的是被动标签，比如一个能被用于图1所示系统的标签元件。图3是一概念示图，用于阐明图1所示RFID系统各部件间通信的半双工传输模型。图4是一显示RFID标签，比如图2所示RFID标签细节的框图。图5A和5B阐明了图4框图中标签至阅读器和阅读器至标签通信的信号路径。图6阐明了存储于依具体实施例的RFID标签集成电路的一标识符和一校验码。图7A-B是一个描述了依具体实施例的标识符自校验过程的流程图。图8是一个描述了依具体实施例的标识符自检验和校正过程的流程图。【具体实施方式】在下面的具体说明中，所涉及的附图为本文一部分，且在此通过阐明具体实施例或示例的方式被展现。这些具体实施例或示例可以被组合在一起，其他方面也可以被利用，也可能在不背离本揭露的精神和范围的情况下作结构性改变。因此，下述具体说明不应被当作限制，和本专利技术的范围由所附权利要求及其等同来界定。如本文所使用，“存储器”为ROM，RAM,静态随机存储器(SRAM)，动态随机存储器(DRAM),非易失忆存储器(NVM)，电可擦只读存储器(EEPROM)，闪存(FLASH)，保险丝存储器(Fuse)，磁性随机存储器(MRAM)，铁电存储器(FRAM)以及本领域
人员所知的其它类似信息存储技术中的一种。存储器的一部分是可写入的，一部分则不是。“命令”表不一阅读器请求一个或多个标签来执行一个或多个动作。“协议”表不一用于阅读器和标签间之间通信(反之亦然)的工业标准，如由EPCglobal公司提供的、在860MHz-960MHz进行通信的第 I 阶第 2 代超高频 RFID 协议(Class-lGeneration_2UHF RFID Protocol forCommunications at860MHz - 96OMHz by EPCglobal, Inc,“Gen2 规范，，)，在此处 1.2.0 版本以引用的方式并入本文。图1是一个典型的RFID系统100的部件示意图，其结合具体实施例。一 RFID阅读器110传送一询问无线射频信号112。RFID标签120在RFID阅读器120附近感应到询问无线射频信号112，并产生信号126作为回应。RFID阅读器110感应并解码信号126。信号112和信号126可以包括无线射频波和/或者非传播无线射频信号{比如，被动近场信号(reactive near-field signals)}。阅读器110和标签120通过信号112和信号126进行通信。在通讯时，各自编码、调制、并传送数据给另一方，且各自从另一方接收，解调，并解码数据。数据能够调制为无线射频波形和自无线射频波形解调。无线射频波形通常在一个适当的频率范围，如900Mhz左右，13.56Mhz左右,等等。阅读器和标签之间的通信使用符号(symbols),也称作RFID符号。一个符号可以是一个定界符，一个标定值，等等。如果需要的话，符号可以实施(implemented for) 二进制信息交换，如“O”和“I”。当符号被阅读器110和标签120处理时，他们可以被当作数值，数字7等等。标签120可以是一被动标签,或一主动或者电池辅助标签(比如,一具有自己动力源的标签)。当标签120是一被动标签时，它由信号112来提供动力。图2是一 RFID标签220的示意图，标签220可以起到图1中标签120的作用。标签220被绘制成一个被动标签，意味着它没有自己的动力源。但是，这个文档中所描述的部分，也适用于主动和电池辅助标签。标签220通常(尽管不是必须)成形在一个基本上是平的嵌体222，该嵌体222可以以本领域所知的多种多种方法制成。标签220包括一个电路，该电路可以被应用于(implemented as)集成电路224。在一些具体实施例中，集成电路224在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中被实现(implementedas)。在其他的具体实施例中，集成电路224可以在其他技术上中被实现(implemented as),如双极面结型晶体管(BJT)技术,金属-半导体场效应晶体管(MESFET)技术，以及其他所属
人员所知的技术。集成电路224被安置在嵌本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于无线射频识别集成电路以避免发送一损毁标识符至一RFID阅读器的方法，其特征在于，包括：从一接收到的RF信号提取一运行电力；用所述提取到的运行电力对一存储器给电；从所述存储器取回一储存的标识符和一校验码；基于所述校验码，确认所述储存的标识符被损毁；接收来自所述RFID阅读器的指令；和基于所述损毁确认，以一回应响应所述指令，其中所述回应包括一个可替代的标识符和一个损毁指示符两者中的至少其中之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迪奥里奥·CJ，
申请(专利权)人：冀京秋，
类型：发明
国别省市：中国香港;81