当前位置: 首页 > 专利查询>湘南学院专利>正文

一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构制造技术

技术编号:10148072 阅读:113 留言:0更新日期:2014-06-30 17:03
本发明专利技术公开了一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构,与介质芯、金属空腔一起构成TE模介质谐振器。该支撑(3)一般采用介电常数较谐振器介质芯小的介质材料制作,其作用是将介质谐振器中介质芯配置于腔体中。发明专利技术通过对筒形或柱形支撑(3)与谐振器主体或TE模介质芯(2)的连接部位置处开槽(31、32、33、34),在满足支撑与介质芯的连接机械强度要求下,减小二者之间的TE模耦合,削弱支撑中的损耗,从而在不改变介质芯、支撑及金属空腔的材质、工艺下,提高TE模介质谐振器的Q值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高TE模介质谐振器Q值的支撑结构,是一个筒或柱形支撑(3);其特征在于,在筒或柱形支撑(3)与谐振器主体或TE模介质芯(2)的连接部位置处开槽(31、32、33、34)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄健全陈功田丁淑芳夏芬唐政华何艳红
申请(专利权)人:湘南学院郴州功田电子陶瓷技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1