一种导电性组合物，其至少包括：a)平均短轴长度为1nm以上、150nm以下的金属导电性纤维，及b)相对于上述金属导电性纤维为0.1质量％以上、1000质量％以下的由下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物。P-(CR1＝Y)n-Q通式(1)(通式(1)中，P及Q分别独立地表示由OH、NR2R3或CHR4R5所表示的基团。R2及R3分别独立地表示氢原子或可取代在氮原子上的基团。R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基。Y表示CR6或氮原子，R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基。由R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团可相互键结而形成环。n表示0～5的整数。其中，当n为0时，P及Q不会是由OH及CHR4R5所表示的基团。当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同)R7-C(＝O)-H通式(2)(通式(2)中，R7表示氢原子、OH基、烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种导电性组合物，其至少包括：a)平均短轴长度为1nm以上、150nm以下的金属导电性纤维，及b)相对于上述金属导电性纤维为0.1质量％以上、1000质量％以下的由下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物。P-(CR1＝Y)n-Q通式(1)(通式(1)中，P及Q分别独立地表示由OH、NR2R3或CHR4R5所表示的基团。R2及R3分别独立地表示氢原子或可取代在氮原子上的基团。R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基。Y表示CR6或氮原子，R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基。由R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团可相互键结而形成环。n表示0～5的整数。其中，当n为0时，P及Q不会是由OH及CHR4R5所表示的基团。当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同)R7-C(＝O)-H通式(2)(通式(2)中，R7表示氢原子、OH基、烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基)。【专利说明】导电性组合物、导电性构件及其制造方法、触摸屏及太阳电池
本专利技术涉及一种导电性组合物、导电性构件及其制造方法、触摸屏及太阳电池。
技术介绍
近年来，在液晶面板、电子纸等显示元件上搭载有触摸屏作为输入元件。作为触摸屏的构成，已知有电阻膜式、表面弹性波式、电容式等各种方式，但作为可实现多点触摸且容易进行大面积化的方式，已知有电容式，例如揭示有一种使用氧化铟锡(IndiumTin Oxide, ITO)作为透明导电材料的电容式触摸屏(参照《信息显示》(InformationDISPLAY)，Vol.26, N0.3, pp.16-21)。但是，由于存在如下等课题，即作为ITO的原料的铟的价格高且稳定供给存在极限，因制作薄膜时需要真空过程而导致制造成本变高，另外，ITO膜脆、耐弯曲性欠佳，因此还提出有金属纳米线、碳纳米管、聚-3，4-乙烯二氧噻吩(Poly-3，4-Ethylenedioxythiophene, PED0T)、聚苯胺等代替物质。已提出有一种具有如下的导电性层的导电性构件，该导电性层包含如金属纳米线、碳纳米管、及碳纳米管与金属的复合物那样的导电性纤维(例如参照日本专利特表2009-505358号公报)。该导电性构件是在基材上具备包含多根金属纳米线的导电性层的导电性构件，通过使导电性层中含有作为基质(matrix)的光硬化性组合物，并利用图案曝光及紧随其后的显影，而可容易地加工成具有包含所期望的导电性区域与非导电性区域的导电性层的导电性构件。作为上述包含导电性纤维的导电性构件的另一方式，也可通过如下方法等而容易地加工成具有包含所期望的导电性区域与非导电性区域的导电性层的导电性构件:使导电性层中含有作为基质的非光硬化性组合物，进行干燥及/或视需要的利用缩合反应或聚合反应的交联，由此形成导电性层后，进而，利用蚀刻阻剂(etching resist)等使抗蚀剂层(resist layer)成影像(imagewise)地形成于导电性层的上层后进行蚀刻处理的方法；或利用激光光照射使以相同方式形成的透明导电性层内的导电性网络的一部分断线的方法(例如参照日本专利特表2010-507199号公报、日本专利特开2010-44968号公报)。另外，作为上述包含导电性纤维的导电性构件的又一方式，还提出有如下的导电性层转印型的导电性构件，该导电性构件是在临时支撑体上形成包含导电性纤维的导电性层，转印至玻璃基板等上后，视需要利用光微影等方法进行图案化的导电性构件(例如参照日本专利特开2006-35771号公报、日本专利特开2009-251186号公报)。作为可优选地用于如上所述的导电性构件的导电性纤维，已知有银、金、铜等的金属纳米线及纳米棒，碳纳米管、碳纳米棒、及碳纳米管与金属的复合物等各种材料。其中，已知由银、金、铜等金属所形成的金属导电性纤维更优选地提供低电阻且光透明性高的优异的导电性构件，可特别优选地使用在低电阻性、耐久性、价格的平衡方面优异的银纳米线。但是，使用这些金属导电性纤维的导电性构件在长时间暴露于高温条件、高湿度条件或臭氧存在下等严酷的条件下时，有时会产生被推断为由金属的氧化或形态变化所引起的电阻率的上升，且根据用途，有时需要耐候性的改良。作为提升含有金属导电性纤维的透明导电材料的耐候性的方法，揭示有使用特定结构的金属吸附性化合物的方法(例如参照日本专利特表2009-505358号公报、日本专利特开2009-146678号公报)。该方法虽然通过特定的保存条件而显示有效性，但因金属吸附性化合物对金属导电性纤维显示强吸附性，故在制造透明导电材料时，金属导电性纤维凝聚而导致导电性层的均质性下降，因此有时会产生如下等问题:产生导电性层的导电性或透明性的下降，或金属导电性纤维彼此的接触电阻增加，而导致导电性层的导电性下降。作为包含金属纳米线的水性分散物的制造方法，揭示有向含有卤素化合物及还原剂的水溶剂中添加金属络合物溶液或金属离子溶液的方法(例如参照日本专利特开2010-84173号公报)。在该制造方法中，为了提升金属纳米线的纯度而优选地实施脱盐处理，推断在进行了实施例中所揭示的脱盐(清洗)处理的情况下，无助于金属纳米线的形成的还原剂的大部分被去除。在该日本专利特开2010-84173号公报中，关于有意使对金属络合物进行还原时所添加的还原剂残存、及其效果并无任何记载。如上所述，在现有的技术中，即便在高温条件、高湿度条件或臭氧存在下等严酷的条件下，也稳定地保持含有金属导电性纤维的透明导电材料的导电性这一点称不上充分，而需要耐候性的改良。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术欲解决的课题在于提供一种即便暴露于高温条件、高湿度条件或臭氧存在下等严酷的条件下，导电性及透明性也优异的含有金属导电性纤维的导电性组合物、具有包含该导电性组合物的导电性层的导电性构件、其制造方法、以及使用该导电性构件的触摸屏及太阳电池。解决问题的技术手段解决上述课题的本专利技术如下所述。<1> 一种导电性组合物，其至少包括:a)平均短轴长度为1nm以上、150nm以下的金属导电性纤维，及b)相对于上述金属导电性纤维为0.1质量％以上、1000质量％以下的由下述通式(1)或通式(2)所表示的化合物。Ρ-(α^ = Y)n_Q 通式(1)(通式⑴中，P及Q分别独立地表示由OH、NR2R3或CHR4R5所表示的基团。R2及R3分别独立地表示氢原子或可取代在氮原子上的基团。R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基。Y表示CR6或氮原子,R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基。由RpRyRyRpR5或R6所表示的基团中的至少两个基可相互键结而形成环。η表示O~5的整数。其中，当η为O时，P及Q不会是由OH及CHR4R5所表示的基团。当η表示2以上的数时，由(CR1 =Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同)R7-C ( = O)-H 通式(2)(通式⑵中，R7表示氢原子、OH基、烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基)〈2>如〈1>所述的导电性组合物，其中由上述通式(I)所表示的化合物为由下述的通式(3)~通式(17)中的任一个所表示的化合物。【权利要求】1.一种导电性组合物,其至少包括: a)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种导电性组合物，其至少包括：a)平均短轴长度为1nm以上、150nm以下的金属导电性纤维，及b)相对于所述金属导电性纤维为0.1质量％以上、1000质量％以下的由下述通式(1)或下述通式(2)所表示的化合物，P?(CR1＝Y)n?Q通式(1)(所述通式(1)中，P及Q分别独立地表示由OH、NR2R3或CHR4R5所表示的基团；R2及R3分别独立地表示氢原子或可取代在氮原子上的基团；R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基；Y表示CR6或氮原子，R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基；由R1、R2、R3、R4、R5或R6所表示的基团中的至少两个基团可相互键结而形成环n表示0～5的整数；其中，当n为0时，P及Q不会是由OH及CHR4R5所表示的基团；当n表示2以上的数时，由(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同，也可不同)R7?C(＝O)?H通式(2)(所述通式(2)中，R7表示氢原子、OH基、烷基、烯基、炔基、芳基或杂环基)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：大屋豊尚，中平真一，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：
国别省市：
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