一种径向充磁塑磁体制造技术

技术编号:10054170 阅读:138 留言:0更新日期:2014-05-16 03:20
本发明专利技术涉及一种径向充磁塑磁体,为一个环形的磁体,其磁体的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。上述的径向充磁塑磁体,其将磁体的壁厚设计成随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置,从而大大的减少了所需材料,节约了产品的成本,降低了产品的质量,减少了物流成本,提高了产品的竞争力。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种径向充磁塑磁体,为一个环形的磁体,其磁体的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。上述的径向充磁塑磁体,其将磁体的壁厚设计成随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置,从而大大的减少了所需材料,节约了产品的成本,降低了产品的质量,减少了物流成本,提高了产品的竞争力。【专利说明】一种径向充磁塑磁体
本专利技术涉及到一种径向充磁塑磁体。
技术介绍
径向充磁塑磁体通常有两种形式:内充多极磁体和外充多极磁体,由于径向充磁的磁性能是随壁厚的变化而变化,而径向充磁的磁性能是正弦波,如果磁体的壁厚是恒定的,势必造成材料的浪费,从而使产品的成本大幅度的提高,而且产品重量的增加还会增加物流成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是:提供一种不会造成材料浪费的径向充磁塑磁体。为解决上述问题,本专利技术采用的技术方案是:一种径向充磁塑磁体,为一个环形的磁体,其磁体的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。所述磁体的外壁上沿环向均匀间隔设置有外凹槽。所述磁体的内壁上沿环向均匀间隔设置有内凹槽。本专利技术的有益效果是:上述的径向充磁塑磁体,其将磁体的壁厚设计成随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置,从而大大的减少了所需材料,节约了产品的成本,降低了产品的质量,减少了物流成本,提高了产品的竞争力。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的一种实施例的结构示意图;图2是本专利技术的另一种实施例的结构示意图;图中:1、磁体,2、外凹槽,3、内凹槽。【具体实施方式】下面通过具体实施例对本专利技术所述的一种径向充磁塑磁体作进一步的详细描述。如图1所示,一种径向充磁塑磁体,为内充多极磁体的形式,为一个环形的磁体1,所述磁体I的外壁上沿环向均匀间隔设置有外凹槽2,其磁体I的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。如图2所示,一种径向充磁塑磁体,为外充多极磁体的形式,为一个环形的磁体1,所述磁体I的内壁上沿环向均匀间隔设置有内凹槽3,其磁体I的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。上述的径向充磁塑磁体,其将磁体的壁厚设计成随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置,从而大大的减少了所需材料,节约了产品的成本,降低了产品的质量,减少了物流成本,提高了产品的竞争力。上述的实施例仅例示性说明本专利技术创造的原理及其功效,以及部分运用的实施例,而非用于限制本专利技术;应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本专利技术的保护范围。【权利要求】1.一种径向充磁塑磁体,为一个环形的磁体,其特征在于:其磁体的壁厚随正弦波的规律大小变化,壁厚波峰的位置正对磁性能的波峰位置。2.根据权利要求1所述的一种径向充磁塑磁体,其特征在于:所述磁体的外壁上沿环向均匀间隔设置有外凹槽。3.根据权利要求1所述的一种径向充磁塑磁体,其特征在于:所述磁体的内壁上沿环向均匀间隔设置有内凹槽。【文档编号】H01F7/02GK103794329SQ201410069993【公开日】2014年5月14日 申请日期:2014年2月27日 优先权日:2014年2月27日 【专利技术者】胡必武 申请人:张家港倍恩特磁塑科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡必武
申请(专利权)人:张家港倍恩特磁塑科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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