【技术实现步骤摘要】
本申请是优先权日为2006年10月13日、申请日为2007年10月15日、申请号为200710162468.0、专利技术名称为“显示装置”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种显示装置,尤其是具有矩形以外的形状的液晶显示装置、EL(电发光:Electroluminescence)显示装置等的面显示装置。
技术介绍
有源矩阵液晶显示装置构成为多个像素排列成行和列,即配置成矩阵状。像素矩阵的各行共有在薄膜晶体管(TFT)的栅电极上连接的栅极配线。像素矩阵的各列共有供给数据信号的数据配线。栅极配线的信号控制薄膜晶体管的导通、截止,在薄膜晶体管导通时,数据配线的信号施加到液晶材料上,由此改变液晶材料的光学特性。图19表示有源矩阵液晶显示装置中现有的像素结构。像素矩阵的各行共有共用的栅极配线10,像素矩阵的各列共有共同的数据配线12。各像素具有:串联地配置在数据配线和共用电极18之间的薄膜晶体管14以及液晶单元16。薄膜晶体管14由供给到栅极配线的信号来切换导通及截止。因此,栅极配线与像素的对应行的各薄膜电极14的栅电极连接。并且,各像素具有存储电容20。该存储电容的一端与下一栅极配线、前一栅极配线或者其他存储电容配线连接。该存储电容20即使在薄膜晶体管14被截止之后,也维持液晶单元16的电压地存储电荷。为了向液晶单元施加希望的电压以得到所需的灰度级(grayscale level), ...
【技术保护点】
一种TFT面显示装置,将多个包括构成扫描电路一段的单位电路和与所述单位电路的输出节点连接的像素电路的显示装置要素,以一笔画成的要领设置在显示装置基板上,其特征在于:所述单位电路,从前段输入扫描信号,向所述单位电路的所述输出节点输出,同时,在单位电路与后段连接的情况下,向后段的单位电路输出,所述单位电路包括:以串联方式顺序连接在高位电源和低位电源间的第1至第4的开关元件,所述第1、第2开关元件由p型的MOS型晶体管构成,所述第3、第4开关元件由n型的MOS型晶体管构成,1个所述p型的MOS型晶体管和1个所述n型的MOS型晶体管的栅电极共用地连接,输入从前段供给的脉冲信号,在剩余的2个所述MOS型晶体管的栅电极中输入有时钟信号,所述单位电路由所述第2、第3MOS晶体管的漏电极作为输出节点的单相时钟控制型倒相器构成,所述像素电路具有显示元件、和根据来自对应的所述单位电路的扫描信号对数据信号与所述显示元件的连接进行导通/截止控制的像素开关,在一个所述单位电路的所述输出节点,一对一地连接相对应的所述像素电路的一个像素开关,对级联连接的多个所述单位电路,共同地供给时钟信号,具有非矩形的外形形状,通 ...
【技术特征摘要】
2006.10.13 JP 2006-2802341.一种TFT面显示装置,将多个包括构成扫描电路一段的单位电
路和与所述单位电路的输出节点连接的像素电路的显示装置要素,以
一笔画成的要领设置在显示装置基板上,其特征在于:
所述单位电路,从前段输入扫描信号,向所述单位电路的所述输
出节点输出,同时,在单位电路与后段连接的情况下,向后段的单位
电路输出,
所述单位电路包括:以串联方式顺序连接在高位电源和低位电源
间的第1至第4的开关元件,
所述第1、第2开关元件由p型的MOS型晶体管构成,
所述第3、第4开关元件由n型的MOS型晶体管构成,
1个所述p型的MOS型晶体管和1个所述n型的MOS型晶体管
的栅电极共用地连接,输入从前段供给的脉冲信号,
在剩余的2个所述MOS型晶体管的栅电极中输入有时钟信号,
所述单位电路由所述第2、第3MOS晶体管的漏电极作为输出节
点的单相时钟控制型倒相器构成,
所述像素电路具有显示元件、和根据来自对应的所述单位电路的
扫描信号对数据信号与所述显示元件的连接进行导通/截止控制的像
素开关,
在一个所述单位电路的所述输出节点,一对一地连接相对应的所
述像素电路的一个像素开关,
对级联连接的多个所述单位电路,共同地供给时钟信号,
具有非矩形的外形形状,通过在与所述外形形状大致一致的非矩
形的区域内配设所述显示装置要素而形成非矩形的显示区域。
2.根据权利要求1所述的TFT面显示装置,其特征在于:
所述扫描电路由1相的时钟信号驱动。
3.根据权利要求1所述的TFT面显示装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:芳贺浩史,浅田秀树,金子节夫,
申请(专利权)人:NLT科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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