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一种中频超声雾化器制造技术

技术编号:10012597 阅读:151 留言:0更新日期:2014-05-08 02:56
本发明专利技术公开了一种中频超声雾化器,包括:压电陶瓷、上端绝缘环、金属端帽、中央金属环、负极引线、正极引线、下端金属环、进液口、下端绝缘环、银;金属端帽的形状为旋轮线,其压电陶瓷极化方向为径向厚度方向,雾化量大、可靠性高、寿命长;所述中频超声雾化器,其工作频率可以达到300KHz~500KHz,该中频超声雾化器可以得到较小雾滴又不会破坏营养液的化学结构,克服了高频超声雾化喷头破坏营养液的化学结构,低频超声雾化喷头产生的雾滴比较大的缺点。本发明专利技术可应用于雾化栽培领域。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种中频超声雾化器,包括:压电陶瓷、上端绝缘环、金属端帽、中央金属环、负极引线、正极引线、下端金属环、进液口、下端绝缘环、银;金属端帽的形状为旋轮线,其压电陶瓷极化方向为径向厚度方向,雾化量大、可靠性高、寿命长;所述中频超声雾化器,其工作频率可以达到300KHz~500KHz,该中频超声雾化器可以得到较小雾滴又不会破坏营养液的化学结构,克服了高频超声雾化喷头破坏营养液的化学结构,低频超声雾化喷头产生的雾滴比较大的缺点。本专利技术可应用于雾化栽培领域。【专利说明】一种中频超声雾化器
本专利技术属于雾化栽培领域,具体涉及一种超声雾化技术。
技术介绍
传统压电超声雾化器,其压电陶瓷部分为径向振动模式的压电陶瓷薄圆片或压电陶瓷薄圆环。设r为压电瓷薄圆片半径,w为压电陶瓷薄圆片厚度,其w远小于r。设Dl为压电陶瓷薄圆环内径,D2为压电陶瓷薄圆环外径,w为压电陶瓷薄圆环厚度,t为压电陶瓷薄圆环径向厚度,其w远小于D1,D2和t。压电陶瓷薄圆片和压电陶瓷薄圆环,均在振子的厚度方向极化。振子的谐振频率与半径的关系为:【权利要求】1.一种中频超声雾化器,包括在中央位置有用激光打的激光通孔的金属端帽(3);其特征在于还包括:径向厚度方向被极化的压电陶瓷(I)、上端绝缘环(2)、金属端帽(3)、中央金属环(4)、正极引线(6)、下端金属环(7)和下端绝缘环(9); 所述压电陶瓷(I)的内壁和外壁均涂有银层(10);上端绝缘环(2)的上端面与金属端帽(3)的水平环形部分下端面粘贴在一起,下端面与压电陶瓷(I)的上端面粘贴在一起;金属端帽(3)的下端面与激光通孔区域所对应的位置连接于中央金属环(4);中央金属环(4)位于压电陶瓷(I)中心;中央金属环(4)、下端金属环(7)、下端绝缘环(9)和压电陶瓷(I)由轴心向外均依次同轴过盈配合在一起,且下端面位于同一平面内; 所述压电陶瓷(I)的极化方向为径向厚度方向;所述金属端帽(3)的形状为旋轮线;所述旋轮线由半径为2_的圆沿一条直线在垂直平面内运动时,起始位置时圆上最顶端的一个点在滚动一周过程中所形成的轨迹;所述旋轮线左端与右端均为3-5mm的直线,顶端为弧长为0.5 jr的圆弧。2.根据权利要求书I所述的一种中频超声雾化器,其特征在于:所述压电陶瓷(I)内壁连接下端绝缘环(9),下端绝缘环(9)上与压电陶瓷(I)的连接处开有一凹槽;连接压电陶瓷(I)内壁的正极引线(6)通过下端绝缘环(9)的凹槽引出与电源正极相连;所述金属端帽(3)的外径边缘处的形状为水平环形,所述水平环形部分的径向厚度与压电陶瓷(I)及上端绝缘环(2)的径向厚度相同;金属端帽(3)、上端绝缘环(2)及压电陶瓷(I)为同轴位置关系。【文档编号】B05B17/06GK103769337SQ201410017254【公开日】2014年5月7日 申请日期:2014年1月15日 优先权日:2014年1月15日 【专利技术者】高建民, 张竞宇 申请人:江苏大学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:高建民张竞宇
申请(专利权)人:江苏大学
类型:发明
国别省市:

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