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本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN1610高密度框架，包括矩形片状结构的框架，在框架上设有多个与DFN1610封装结构相适应的芯片安装部，所述芯片安装部包括芯片安置区和引脚焊接区，在芯片安置区和引脚焊接区之间还设有芯片支撑...
该专利属于成都先进功率半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都先进功率半导体股份有限公司授权不得商用。

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