有机电激发光元件的画素结构制造技术

本发明专利技术提供一种有机电激发光元件的画素结构，包括在基板上的一扫描线、一数据线、一偏压线以及一读出线，以及一第一开关元件、一电容器、一驱动元件、一有机发光元件、一第二开关元件以及一光感测元件。第一开关元件电性连接于扫描线以及数据线。电容器电性连接于第一开关元件以及偏压线。驱动元件电性连接于第一开关元件、电容器以及偏压线。有机发光元件电性连接于驱动元件。第二开关元件电性连接于扫描线与读出线。光感测元件电性连接于第二开关元件以及偏压线。

【技术实现步骤摘要】
有机电激发光元件的画素结构
本专利技术是有关于一种画素结构，且特别是有关于一种有机电激发光元件的画素结构。
技术介绍
作为一种发光元件，有机电激发光元件具有许多优点如无视角限制、低制造成本、高响应速度(较液晶的响应速度快约一百倍以上)、节省能源、适于在可携式装置中直接以电流驱动、使用温度范围广泛、重量轻，且提供小型与薄型的设计。因此，有机电激发光元件具有高发展潜力且被预期是下一世代的平板显示器。此外，电子产品，例如手机、手提式个人电脑、个人数字助理与智能手机流行于我们的日常生活中。为了符合现今的需求如便于携带、小型、对使用者友善的信息科技产品，触控感测屏幕被用于输入装置而取代传统的键盘与鼠标。在众多触控感测屏幕中，一种兼具触控与显示功能的触控感测面板是现今最流行的产品。因此，需要发展具有触控感测功能的有机电激发光元件。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机电激发光元件的画素结构，其具有触控感测的功能。本专利技术提供的有机电激发光元件的画素结构，包括在基板上的一扫描线、一数据线、一偏压线以及一读出线，以及一第一开关元件、一电容器、一驱动元件、一有机发光元件、一第二开关元件以及一光感测元件。第一开关元件电性连接于扫描线以及数据线。电容器电性连接于第一开关元件以及偏压线。驱动元件电性连接于第一开关元件、电容器以及偏压线。有机发光元件电性连接于驱动元件。第二开关元件电性连接于扫描线与读出线。光感测元件电性连接于第二开关元件以及偏压线。本专利技术提供的有机电激发光元件的画素结构，包括一基板、一第一导体层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二导体层、一第二绝缘层、一第三导体层、一第三绝缘层、一有机发光层以及一上部电极。第一导体层配置在基板上且包括一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极以及一第一电极。第一绝缘层覆盖第一导体层。半导体层配置在第一绝缘层上且包括一第一通道层、一第二通道层、一第三通道层以及一第四通道层。第二导体层配置在半导体层上且包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极、一第三源极、一第三漏极、一第四源极、一第四漏极以及一第二电极。第一栅极、第一通道层、第一源极以及第一漏极形成一第一开关元件。第二栅极、第二通道层、第二源极以及第二漏极形成一驱动元件。第三栅极、第三通道层、第三源极以及第三漏极形成一第二开关元件。第一电极与及第二电极形成一电容器。第二绝缘层覆盖第二导体层。第三导体层配置在第二绝缘层上且包括一第四栅极以及一下部电极。第四栅极、第四通道层、第四源极以及第四极漏极形成一光感测元件。下部电极电性连接于第二漏极。第三绝缘层配置在第三导体层上且暴露下部电极。有机发光层配置在暴露的下部电极上。上部电极配置在有机发光层上。本专利技术提供的有机电激发光元件的画素结构，包括一基板、一第一导体层、一第一绝缘层、一半导体层、一第二导体层、一第二绝缘层、一下部电极、一有机发光层以及一上部电极。第一导体层配置在基板上且包括一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极、一第四栅极以及一第一电极。第一绝缘层覆盖第一导体层。半导体层配置于第一绝缘层上且包括一第一通道层、一第二通道层、一第三通道层以及一第四通道层。第二导体层配置在半导体层上且包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极、一第三源极、一第三漏极、一第四源极、一第四漏极以及一第二电极。第一栅极、第一通道层、第一源极以及第一漏极形成一第一开关元件。第二栅极、第二通道层、第二源极、第二漏极形成一驱动元件。第三栅极、第三通道层、第三源极以及第三漏极形成一第二开关元件。第四栅极、第四通道层、第四源极以及第四漏极形成一光感测元件。第一电极以及第二电极形成一电容器。第二绝缘层覆盖第二导体层。下部电极配置在第二绝缘层上且电性连接于驱动元件的该第二漏极。第三绝缘层配置在第二绝缘层上暴露下部电极。有机发光层配置在暴露的下部电极上。上部电极配置在有机发光层上。基于上述，由于画素结构中具有有机发光元件与光感测元件，因此有机电激发光元件具有触控感测功能。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的画素结构的等效电路图；图2为本专利技术一实施例的画素结构的剖面图；图3为本专利技术一实施例的画素结构的仰视图；图4与图5为本专利技术其他的实施例的画素结构的等效电路图；图6为本专利技术另一实施例的画素结构的仰视图；图7为本专利技术另一实施例的画素结构的剖面图；图8至图11为本专利技术的数个实施例的画素结构的剖面图；图12至图13为本专利技术的数个实施例的画素结构的仰视图。附图标记说明：100：基板；102：第一绝缘层；104：第二绝缘层；106：第三绝缘层；120：下部电极；122：连接图案；130：有机发光层；140：上部电极；SL：扫描线；DL：数据线；BL1：第一偏压线；BL2：第二偏压线；RL：读出线；C：电容器；O：有机发光元件；M1：第一导体层；M2：第二导体层；M3：第三导体层；G1：第一栅极；G2：第二栅极；G3：第三栅极；G4：第四栅极；CH：半导体层；CH1：第一通道层；CH2：第二通道层；CH3：第三通道层；CH4：第四通道层；S1：第一源极；S2：第二源极；S3：第三源极；S4：第四源极；D1：第一漏极；D2：第二漏极；D3：第三漏极；D4：第四漏极；E1：第一电极；E2：第二电极；T1：第一开关元件；T2：驱动元件；T3：第二开关元件；T4：光感测元件；V1、V2、V3：接触窗；SH、B：遮光图案。具体实施方式图1为本专利技术一实施例的画素结构的等效电路图。请参照图1，画素结构包括一扫描线SL、一数据线DL、一第一偏压线BL1、一第二偏压线BL2、一读出线RL、一第一开关元件T1、一电容器C、一驱动元件T2、一有机发光元件O、一第二开关元件T3以及一光感测元件T4。第一开关元件T1电性连接于扫描线SL与数据线DL。电容器C电性连接于第一开关元件T1与第一偏压线BL1。驱动元件T2电性连接于第一开关元件T1、电容器C与第一偏压线BL1。有机发光元件O电性连接于驱动元件T2。第二开关元件T3电性连接于扫描线SL与读出线RL。光感测元件T4电性连接于第二开关元件T3与第二偏压线BL2。第一开关元件T1、驱动元件T2、第二开关元件T3与光感测元件T4可分别为一顶栅极式薄膜晶体管或一底栅极式薄膜晶体管。第一开关元件T1、驱动元件T2、第二开关元件T3与光感测元件T4可分别为一非晶硅薄膜晶体管或一低温多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管。有机发光元件O可以是一向下发光式有机发光元件、一向上发光式有机发光元件或是一双重发光式有机发光元件。为了清楚地示出本专利技术的画素结构，本实施例中描述一个具有有机发光元件O(向下发光式)、第一开关元件T1(底栅极式薄膜晶体管)、驱动元件T2(底栅极式薄膜晶体管)，第二开关元件T3(底栅极式薄膜晶体管)与光感测元件T4(顶栅极式薄膜晶体管)，但并非用于限定本专利技术。图2为本专利技术一实施例的画素结构的剖面图。图3为本专利技术一实施例的画素结构的仰视图，但并未示出画素结构的有机发光层与上部电极层。请参照图1、图2与图3，画素结构包括一基板100、一第一导体层M1、一第一绝缘层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电激发光元件的画素结构，其特征在于，包括：一扫描线，一数据线，一偏压线以及一读出线，配置在一基板上；一第一开关元件，电性连接于该扫描线与该数据线；一电容器，电性连接于该第一开关元件与该偏压线；一驱动元件，电性连接于该第一开关元件、该电容器与该偏压线；一有机发光元件，电性连接于该驱动元件；一第二开关元件，电性连接于该扫描线与该读出线；以及一光感测元件，电性连接于该第二开关元件与该偏压线。

【技术特征摘要】
2012.02.04 US 13/366,2701.一种有机电激发光元件的画素结构，其特征在于，包括：一扫描线，一数据线，一偏压线以及一读出线，配置在一基板上；一第一开关元件，电性连接于该扫描线与该数据线；一电容器，电性连接于该第一开关元件与该偏压线；一驱动元件，电性连接于该第一开关元件、该电容器与该偏压线；一有机发光元件，电性连接于该驱动元件；一第二开关元件，电性连接于该扫描线与该读出线；以及一光感测元件，电性连接于该第二开关元件与该偏压线，其中该光感测元件仅由一个薄膜晶体管构成，且该薄膜晶体管为一顶闸极式薄膜晶体管或一底闸极式薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该偏压线包括：一第一偏压线，平行地配置于该数据线且电性连接于该电容器与该驱动元件；以及一第二偏压线，平行地配置于该扫描线且电性连接于该光感测元件。3.根据权利要求2所述的画素结构，其特征在于，该光感测元件配置在该第一偏压线与该读出线之间。4.根据权利要求2所述的画素结构，其特征在于，该读出线配置在该第一偏压线与该光感测元件之间。5.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该偏压线平行地配置于该数据线且电性连接于该电容器、该驱动元件与该光感测元件。6.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该偏压线平行地配置于该扫描线且电性连接于该电容器、该驱动元件与该光感测元件。7.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该有机发光元件为一向下发光式有机发光元件，且该光感测元件为一顶栅极式薄膜晶体管。8.根据权利要求7所述的画素结构，其特征在于，还包括一遮光图案，覆盖该光感测元件。9.根据权利要求8所述的画素结构，其特征在于，该遮光图案配置在该基板的一外表面，该遮光图案介于该基板与该光感测元件之间，或该遮光图案在该光感测元件上。10.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该有机发光元件为一向上发光式有机发光元件，且该光感测元件为一底栅极式薄膜晶体管。11.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该第一开关元件、该驱动元件与该第二开关元件分别为一底栅极式薄膜晶体管。12.根据权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该有机发光元件为一向下发光式有机发光元件，且该光感测元件为一底栅极式薄膜晶体管。13.一种有机电激发光元件的画素结构，其特征在于，包括：一基板；一第一导体层，配置在该基板上且包括一第一栅极、一第二栅极、一第三栅极以及一第一电极；一第一绝缘层，覆盖该第一导体层；一半导体层，配置在该第一绝缘层上且包括一第一通道层、第二通道层、一第三通道层以及一第四通道层；一第二导体层，配置在该半导体层上且包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极、一第三源极、一第三漏极、一第四源极、一第四漏极以及一第二电极，其中该第一栅极、该第一通道层、该第一源极以及该第一漏极形成一第一开关元件，该第二栅极、该第二通道层、第二源极以及该第二漏极形成一驱动元件，该第三栅极、第三通道层、第三源极以及该第三漏极形成一第二开关元件，且该第一电极以及该第二电极形成一电容器；一第二绝缘层，覆盖该第二导体层；一第三导体层，配...

【专利技术属性】
技术研发人员：张营辉，黄乃杰，廖胜泰，
申请(专利权)人：剑扬股份有限公司，
类型：发明
国别省市：